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• Diodes Incorporated
  RECT BRIDGE GPP 100V 25A GBPCW
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 25A Through Hole GBPC-W
  
  型号：GBPC2501W
  仓库库存编号：GBPC2501WDI-ND
  别名：GBPC2501WDI
  
  规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  RECT BRIDGE GPP 200V 25A GBPCW
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 25A Through Hole GBPC-W
  
  型号：GBPC2502W
  仓库库存编号：GBPC2502WDI-ND
  别名：GBPC2502WDI
  
  规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  RECT BRIDGE GPP 400V 25A GBPCW
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 25A Through Hole GBPC-W
  
  型号：GBPC2504W
  仓库库存编号：GBPC2504WDI-ND
  别名：GBPC2504WDI
  
  规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  RECT BRIDGE GPP 600V 25A GBPCW
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 25A Through Hole GBPC-W
  
  型号：GBPC2506W
  仓库库存编号：GBPC2506WDI-ND
  别名：GBPC2506WDI
  
  规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  RECT BRIDGE GPP 800V 25A GBPCW
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 25A Through Hole GBPC-W
  
  型号：GBPC2508W
  仓库库存编号：GBPC2508WDI-ND
  别名：GBPC2508WDI
  
  规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  RECT BRIDGE GPP 1000V 25A GBPCW
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 25A Through Hole GBPC-W
  
  型号：GBPC2510W
  仓库库存编号：GBPC2510WDI-ND
  别名：GBPC2510WDI
  
  规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  RECT BRIDGE GPP 50V 35A GBPC
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 35A QC Terminal GBPC
  
  型号：GBPC35005
  仓库库存编号：GBPC35005DI-ND
  别名：GBPC35005DI
  
  规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  RECT BRIDGE GPP 100V 35A GBPCW
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 35A Through Hole GBPC-W
  
  型号：GBPC35005W
  仓库库存编号：GBPC35005WDI-ND
  别名：GBPC35005WDI
  
  规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  RECT BRIDGE GPP 100V 35A GBPCW
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 35A Through Hole GBPC-W
  
  型号：GBPC3501W
  仓库库存编号：GBPC3501WDI-ND
  别名：GBPC3501WDI
  
  规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  RECT BRIDGE GPP 400V 35A GBPCW
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 35A Through Hole GBPC-W
  
  型号：GBPC3504W
  仓库库存编号：GBPC3504WDI-ND
  别名：GBPC3504WDI
  
  规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  RECT BRIDGE GPP 600V 35A GBPCW
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 35A Through Hole GBPC-W
  
  型号：GBPC3506W
  仓库库存编号：GBPC3506WDI-ND
  别名：GBPC3506WDI
  
  规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  RECT BRIDGE GPP 800V 35A GBPCW
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 35A Through Hole GBPC-W
  
  型号：GBPC3508W
  仓库库存编号：GBPC3508WDI-ND
  别名：GBPC3508WDI
  
  规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  TVS DIODE 15.3VWM 25.2VC SMA
  
  型号：P4SMA18A
  仓库库存编号：P4SMA18AFS-ND
  别名：P4SMA18AFS
  
  规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  TVS DIODE 15.3VWM 25.2VC SMA
  
  型号：P4SMA18A_D84Z
  仓库库存编号：P4SMA18A_D84Z-ND
  
  规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 6A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 6A（Tc） 1.25W（Ta），20W（Tc） DPAK-3
  
  型号：MTD6N15T4G
  仓库库存编号：MTD6N15T4GOSCT-ND
  别名：MTD6N15T4GOSCT
  
  规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  TRANS NPN 450V 2A DPAK
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 450V 2A 13MHz 50W Surface Mount DPAK-3
  
  型号：MJD18002D2T4G
  仓库库存编号：MJD18002D2T4GOSCT-ND
  别名：MJD18002D2T4GOSCT
  
  规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  TVS DIODE 12VWM 19.9VC SMB
  
  型号：SMBJ12AONT3G
  仓库库存编号：SMBJ12AONT3GOSCT-ND
  别名：SMBJ12AONT3GOSCT
  
  规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 340MA SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 340mA（Ta） 830mW（Ta） TO-236AB（SOT23）
  
  型号：2N7002K,215
  仓库库存编号：568-4984-1-ND
  别名：568-4984-1
  
  规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 6A（Tc） 1.25W（Ta），20W（Tc） DPAK-3
  
  型号：MTD6N15T4GV
  仓库库存编号：MTD6N15T4GV-ND
  
  规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
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• Littelfuse Inc.
  TVS DIODE 110VWM 177VC SMD
  
  型号：SMDJ110CA
  仓库库存编号：SMDJ110CACT-ND
  别名：F3691CT
  F3691CT-ND
  SMDJ110CACT
  
  规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 520MA SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 520mA（Tc） 6.25W（Tc） SOT-223
  
  型号：BSP110,115
  仓库库存编号：568-6812-1-ND
  别名：568-6812-1
  
  规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 10CFLATPACK
  
  型号：JANTX1N5772
  仓库库存编号：1088-1001-ND
  别名：1088-1001
  1088-1001-MIL
  
  规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 3.2A（Ta） 8.3W（Tc） SOT-223
  
  型号：BSP100,135
  仓库库存编号：568-6956-1-ND
  别名：568-6956-1
  
  规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TVS DIODE 70VWM 8VC SOT323
  
  型号：DESD1P0RFW-7
  仓库库存编号：DESD1P0RFW-7DICT-ND
  别名：DESD1P0RFW-7DICT
  
  规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TVS DIODE 70VWM 8VC SOT323
  
  型号：DESD1P0RFWQ-7
  仓库库存编号：DESD1P0RFWQ-7DICT-ND
  别名：DESD1P0RFWQ-7DICT
  
  规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
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