规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
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ON Semiconductor
TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK-4
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 25MHz Surface Mount DPAK-3
型号：
NJVMJD117T4G
仓库库存编号：
NJVMJD117T4G-ND
规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington Surface Mount SOT-223 (TO-261)
型号：
SBSP52T1G
仓库库存编号：
SBSP52T1G-ND
规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS NPN DARL 80V 4A DPAK
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington Surface Mount DPAK
型号：
NJVMJD6039T4G
仓库库存编号：
NJVMJD6039T4G-ND
规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Central Semiconductor Corp
THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 250MHz Through Hole TO-92
型号：
2N5366
仓库库存编号：
2N5366CS-ND
别名：2N5366CS
规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
搜索
Central Semiconductor Corp
TVS DIODE 12.8VWM 21.2VC DO214AA
型号：
P6SMB15CA TR13
仓库库存编号：
P6SMB15CA TR13-ND
规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Central Semiconductor Corp
THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN Through Hole TO-92
型号：
2N3417 APM
仓库库存编号：
2N3417 APM-ND
规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 200VWM SMBJ
型号：
SMBJ200AE3/TR13
仓库库存编号：
SMBJ200AE3/TR13-ND
规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 200VWM SMBJ
型号：
SMBJ200E3/TR13
仓库库存编号：
SMBJ200E3/TR13-ND
规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 220VWM SMBJ
型号：
SMBJ220AE3/TR13
仓库库存编号：
SMBJ220AE3/TR13-ND
规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 220VWM SMBJ
型号：
SMBJ220E3/TR13
仓库库存编号：
SMBJ220E3/TR13-ND
规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 250VWM SMBJ
型号：
SMBJ250AE3/TR13
仓库库存编号：
SMBJ250AE3/TR13-ND
规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 250VWM SMBJ
型号：
SMBJ250E3/TR13
仓库库存编号：
SMBJ250E3/TR13-ND
规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 300VWM SMBJ
型号：
SMBJ300AE3/TR13
仓库库存编号：
SMBJ300AE3/TR13-ND
规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 300VWM SMBJ
型号：
SMBJ300E3/TR13
仓库库存编号：
SMBJ300E3/TR13-ND
规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 350VWM SMBJ
型号：
SMBJ350AE3/TR13
仓库库存编号：
SMBJ350AE3/TR13-ND
规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 350VWM SMBJ
型号：
SMBJ350E3/TR13
仓库库存编号：
SMBJ350E3/TR13-ND
规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 400VWM SMBJ
型号：
SMBJ400AE3/TR13
仓库库存编号：
SMBJ400AE3/TR13-ND
规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 400VWM SMBJ
型号：
SMBJ400E3/TR13
仓库库存编号：
SMBJ400E3/TR13-ND
规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 440VWM SMBJ
型号：
SMBJ440AE3/TR13
仓库库存编号：
SMBJ440AE3/TR13-ND
规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 440VWM SMBJ
型号：
SMBJ440E3/TR13
仓库库存编号：
SMBJ440E3/TR13-ND
规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Central Semiconductor Corp
JFET P-CH 20V 300MA 360MW TO92
详细描述：JFET P-Channel 300mA @ 10V 360mW Through Hole TO-92
型号：
2N3820
仓库库存编号：
2N3820CS-ND
别名：2N3820CS
规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
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ON Semiconductor
TRANS NPN 120V 12A TO-220AB
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN Through Hole TO-220AB
型号：
BUV27G
仓库库存编号：
BUV27G-ND
规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Diodes Incorporated
TRANS NPN 450V 4A
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 4MHz Through Hole TO-220F-3
型号：
APT13005DTF-G1
仓库库存编号：
APT13005DTF-G1-ND
规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 200VWM SMBJ
型号：
SMBJ200CAE3/TR13
仓库库存编号：
SMBJ200CAE3/TR13-ND
规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
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TVS DIODE 200VWM SMBJ
型号：
SMBJ200CE3/TR13
仓库库存编号：
SMBJ200CE3/TR13-ND
规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
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