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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 6.5A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4426DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4426DY-T1-GE3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 6.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 6.5A（Tc） 90W（Tc） DPAK
  
  型号：FDD8N50NZTM
  仓库库存编号：FDD8N50NZTMTUBE-ND
  别名：FDD8N50NZTMTUBE
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Ta） 2.3W PowerDI5060-8
  
  型号：DMT4002LPS-13
  仓库库存编号：DMT4002LPS-13-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  PTNG 100/20V NCH TRENCH MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 47A（Tc） 52W（Tc） 8-PQFN（3.3x3.3），Power33
  
  型号：FDMC86183
  仓库库存编号：FDMC86183-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 1.7A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR310TRLPBF
  仓库库存编号：IRFR310TRLPBF-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 50V 6A GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 50V Through Hole GBU
  
  型号：GBU6A
  仓库库存编号：GBU6AGN-ND
  别名：GBU6AGN
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 200V 6A GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 200V Through Hole GBU
  
  型号：GBU6D
  仓库库存编号：GBU6DGN-ND
  别名：GBU6DGN
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 400V 6A GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 400V Through Hole GBU
  
  型号：GBU6G
  仓库库存编号：GBU6GGN-ND
  别名：GBU6GGN
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 800V 6A GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 800V Through Hole GBU
  
  型号：GBU6K
  仓库库存编号：GBU6KGN-ND
  别名：GBU6KGN
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 1000V 6A GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 1kV Through Hole GBU
  
  型号：GBU6M
  仓库库存编号：GBU6MGN-ND
  别名：GBU6MGN
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 4A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 50V Through Hole GBL
  
  型号：GBLA005HD2G
  仓库库存编号：GBLA005HD2G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 4A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 100V Through Hole GBL
  
  型号：GBLA01HD2G
  仓库库存编号：GBLA01HD2G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 4A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 200V Through Hole GBL
  
  型号：GBLA02HD2G
  仓库库存编号：GBLA02HD2G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 4A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 400V Through Hole GBL
  
  型号：GBLA04HD2G
  仓库库存编号：GBLA04HD2G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 4A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 600V Through Hole GBL
  
  型号：GBLA06HD2G
  仓库库存编号：GBLA06HD2G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 4A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 800V Through Hole GBL
  
  型号：GBLA08HD2G
  仓库库存编号：GBLA08HD2G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 4A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 1kV Through Hole GBL
  
  型号：GBLA10HD2G
  仓库库存编号：GBLA10HD2G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4430BDY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4430BDY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4430BDY-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 4.5A（Tc） 37W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD80R1K2P7ATMA1
  仓库库存编号：IPD80R1K2P7ATMA1CT-ND
  别名：IPD80R1K2P7ATMA1CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N CH 100V 15A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 15A（Ta），50A（Tc） 6.25W（Ta），83W（Tc） 8-DFN-EP（3.3x3.3）
  
  型号：AON7290
  仓库库存编号：AON7290-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual), Schottky 30V 20A (Tc), 60A (Tc) 20W, 66W Surface Mount 8-PowerPair?
  
  型号：SIZ980DT-T1-GE3
  仓库库存编号：SIZ980DT-T1-GE3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 10A（Tc） 147W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP10N40D-GE3
  仓库库存编号：SIHP10N40D-GE3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IC GATE DVR LOW DUAL 4A HS 8MLP
  详细描述：Low-Side Gate Driver IC Inverting 8-MLP (3x3)
  
  型号：FAN3223TMPX
  仓库库存编号：FAN3223TMPXCT-ND
  别名：FAN3223TMPXCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 18.2A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 18.2A（Tc） 3W（Ta），5.2W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4686DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4686DY-T1-GE3TR-ND
  别名：SI4686DY-T1-GE3TR
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 8.6A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8.6A（Ta） 810mW（Ta） 8-SOIC
  
  型号：NTMS4937NR2G
  仓库库存编号：NTMS4937NR2G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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