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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 630mA（Ta） 1W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  
  型号：IRFD224PBF
  仓库库存编号：IRFD224PBF-ND
  别名：*IRFD224PBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Comchip Technology
  TVS DIODE 5VWM SOT143
  
  型号：CSRS045V0-G
  仓库库存编号：CSRS045V0-G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 20V 16A 2.36W, 2.8W Surface Mount 6-PowerPair?
  
  型号：SIZ700DT-T1-GE3
  仓库库存编号：SIZ700DT-T1-GE3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 40A（Tc） 37.8W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR820DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR820DP-T1-GE3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 11A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 11A（Tc） 272W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：AOB11N60L
  仓库库存编号：785-1467-1-ND
  别名：785-1467-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 50V 4A KBJ
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 50V Through Hole KBJ
  
  型号：KBJ4005G
  仓库库存编号：KBJ4005GGN-ND
  别名：KBJ4005GGN
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 100V 8A KBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 100V Through Hole KBU
  
  型号：KBU8B
  仓库库存编号：KBU8BGN-ND
  别名：KBU8BGN
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 200V 8A KBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 200V Through Hole KBU
  
  型号：KBU8D
  仓库库存编号：KBU8DGN-ND
  别名：KBU8DGN
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 400V 8A KBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 400V Through Hole KBU
  
  型号：KBU8G
  仓库库存编号：KBU8GGN-ND
  别名：KBU8GGN
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 800V 8A KBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 800V Through Hole KBU
  
  型号：KBU8K
  仓库库存编号：KBU8KGN-ND
  别名：KBU8KGN
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 150V 3A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 3A（Ta），13A（Tc） 2.1W（Ta），41W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF454L
  仓库库存编号：AOTF454L-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 4A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 50V Through Hole GBL
  
  型号：GBL005 D2G
  仓库库存编号：GBL005 D2G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 4A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 100V Through Hole GBL
  
  型号：GBL01 D2G
  仓库库存编号：GBL01 D2G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 4A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 200V Through Hole GBL
  
  型号：GBL02 D2G
  仓库库存编号：GBL02 D2G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 20V 16A POWERPAIR
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 20V 16A 27W, 48W Surface Mount 6-PowerPair?
  
  型号：SIZ720DT-T1-GE3
  仓库库存编号：SIZ720DT-T1-GE3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 350V 0.23A SOT89-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 350V 230mA（Tj） 1.6W（Ta） TO-243AA（SOT-89）
  
  型号：TN5335N8-G
  仓库库存编号：TN5335N8-G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IC DRIVER HIGH SIDE HV 8-SOIC
  详细描述：High-Side Gate Driver IC Inverting 8-SO
  
  型号：L9856-TR
  仓库库存编号：L9856-TR-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IC DRIVER HIGH SIDE HV 8-SOIC
  详细描述：High-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-SO
  
  型号：L9857-TR
  仓库库存编号：L9857-TR-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE 1PH 4A 600V
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 600V Through Hole GBU
  
  型号：G3SBA60-M3/45
  仓库库存编号：G3SBA60-M3/45-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE 1PH 4A 600V
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 600V Through Hole GBU
  
  型号：G3SBA60L-M3/45
  仓库库存编号：G3SBA60L-M3/45-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 4A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 4A（Tc） 83W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：AOB4S60L
  仓库库存编号：785-1262-2-ND
  别名：785-1262-2
  AOB4S60
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 12A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 12A（Tc） 50W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF12T60P
  仓库库存编号：AOTF12T60P-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 50V 5.3A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50V 5.3A（Tc） 25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9010TRLPBF
  仓库库存编号：IRFR9010TRLPBF-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 5.1A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9014TRLPBF
  仓库库存编号：IRFR9014TRLPBF-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 6.5A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4426DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4426DY-T1-E3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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