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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GPP 1.5A 200V GBL
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 1.5A Through Hole GBL
  
  型号：G2SB20-E3/51
  仓库库存编号：G2SB20-E3/51-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 350mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：TN0106N3-G-P003
  仓库库存编号：TN0106N3-G-P003-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 350mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：TN0106N3-G-P013
  仓库库存编号：TN0106N3-G-P013-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual), Schottky 30V Surface Mount 8-PowerPair?
  
  型号：SIZ998DT-T1-GE3
  仓库库存编号：SIZ998DT-T1-GE3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.2A（Tc） 25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR010PBF
  仓库库存编号：IRFR010PBF-ND
  别名：*IRFR010PBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.2A（Tc） 25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR010TRLPBF
  仓库库存编号：IRFR010TRLPBF-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.2A（Tc） 25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR010TRPBF
  仓库库存编号：IRFR010TRPBF-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR014TRLPBF
  仓库库存编号：IRLR014TRLPBF-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 10A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 250W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT10N60L
  仓库库存编号：AOT10N60L-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  IGBT 600V 10A 31.2W TO220F
  详细描述：IGBT 600V 14A 31.2W Through Hole TO-220-3F
  
  型号：AOTF5B60D
  仓库库存编号：AOTF5B60D-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 6.8A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 6.6A（Tc） 84W（Tc） DPAK
  
  型号：NDD60N745U1T4G
  仓库库存编号：NDD60N745U1T4G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 10A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 10A（Tc） 250W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：AOB10N60L
  仓库库存编号：785-1541-1-ND
  别名：785-1541-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  IGBT 600V 10A 82.4W TO263
  详细描述：IGBT 600V 23A 82.4W Surface Mount TO-263 (D2Pak)
  
  型号：AOB5B60D
  仓库库存编号：AOB5B60D-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N CH 8V 8A DFN 2X2B
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8V 8A（Ta） 2.8W（Ta） 6-DFN-EP（2x2）
  
  型号：AON2400
  仓库库存编号：785-1422-1-ND
  别名：785-1422-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 500V 13A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 13A（Tc） 250W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT13N50
  仓库库存编号：AOT13N50-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 500V 13A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 13A（Tc） 50W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF13N50
  仓库库存编号：AOTF13N50-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 12A TO262F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 12A（Tc） 28W（Tc）
  
  型号：AOWF12N60
  仓库库存编号：AOWF12N60-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 65A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 17.5A（Ta），65A（Tc） 1.63W（Ta），22.73W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4985NFT1G
  仓库库存编号：NTMFS4985NFT1G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TRANS NPN 60V 6A SOT-223
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 6A 130MHz 3W Surface Mount SOT-223
  
  型号：FZT851QTA
  仓库库存编号：FZT851QTADI-ND
  别名：FZT851QTADI
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS Integrated Circuits Division
  IC MOSFET DRIVER 3A SOIC
  详细描述：Low-Side Gate Driver IC Inverting 8-SOIC
  
  型号：IX4423NTR
  仓库库存编号：IX4423NTR-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS Integrated Circuits Division
  IC MOSFET DRIVER 3A SOIC
  详细描述：Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC
  
  型号：IX4424NTR
  仓库库存编号：IX4424NTR-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS Integrated Circuits Division
  IC MOSFET DRIVER 3A SOIC
  详细描述：Low-Side Gate Driver IC Inverting, Non-Inverting 8-SOIC
  
  型号：IX4425NTR
  仓库库存编号：IX4425NTR-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 1200V 16A IPAK
  详细描述：IGBT 1200V 16A 105W Through Hole IPAK (TO-251)
  
  型号：STGD3NC120H-1
  仓库库存编号：STGD3NC120H-1-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET NCH 600V 3A TO251
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 3A（Tc） 41W（Tc） TO-251
  
  型号：DMG4N60SJ3
  仓库库存编号：DMG4N60SJ3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 6A TO-220 FPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 6A（Tc） 30W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：SIHF6N40D-E3
  仓库库存编号：SIHF6N40D-E3-ND
  别名：SIHF6N40DE3
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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