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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 33W（Tc） TO-220F
  
  型号：AOTF10T60PL
  仓库库存编号：785-1651-5-ND
  别名：785-1651-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 10A 5DFB
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 208W（Tc） TO-262
  
  型号：AOW10T60P
  仓库库存编号：785-1654-5-ND
  别名：785-1654-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 10A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 28W（Tc） TO-262F
  
  型号：AOWF10T60P
  仓库库存编号：785-1655-5-ND
  别名：785-1655-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 208W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT10T60PL
  仓库库存编号：785-1694-5-ND
  别名：785-1694-5
  AOT10T60PL-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 10A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 43W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF10T60P
  仓库库存编号：AOTF10T60P-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 400V 4A KBJ
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 4A Through Hole KBJ
  
  型号：KBJ404G
  仓库库存编号：KBJ404GGN-ND
  别名：KBJ404GGN
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET POW
  详细描述：表面贴装 N 沟道 124A（Tc） 47W（Tc） 8-PQFN（3.3x3.3），Power33
  
  型号：FDMC2D8N025S
  仓库库存编号：FDMC2D8N025S-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IC GATE DVR DUAL 4A 8-SOIC
  详细描述：Low-Side Gate Driver IC Inverting, Non-Inverting 8-SOIC
  
  型号：FAN3225CMX
  仓库库存编号：FAN3225CMXCT-ND
  别名：FAN3225CMXCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 700V 9A TO262F
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 28W（Tc）
  
  型号：AOWF9N70
  仓库库存编号：AOWF9N70-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  IC DVR EXPD 600V 0.17A 8SOIC
  详细描述：Half Bridge (2) Driver General Purpose Power MOSFET 8-SOIC
  
  型号：TND525SS-TL-2H
  仓库库存编号：TND525SS-TL-2H-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.2A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR214PBF
  仓库库存编号：IRFR214PBF-ND
  别名：*IRFR214PBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.2A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR214TRRPBF
  仓库库存编号：IRFR214TRRPBF-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11.7A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7114DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7114DN-T1-GE3TR-ND
  别名：SI7114DN-T1-GE3TR
  SI7114DNT1GE3
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11.7A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7114DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7114DN-T1-GE3DKR-ND
  别名：SI7114DN-T1-GE3DKR
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TVS DIODE 58VWM 93.6VC SMC
  
  型号：SMCJ58CA-13-F
  仓库库存编号：SMCJ58CA-FDITR-ND
  别名：SMCJ58CA-FDITR
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.3A（Ta） 1.3W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7703EDN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7703EDN-T1-E3TR-ND
  别名：SI7703EDN-T1-E3TR
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 8V 8TSSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.5W（Ta） 8-TSSOP
  
  型号：SI6469DQ-T1-GE3
  仓库库存编号：SI6469DQ-T1-GE3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 9A PPAK 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7230DN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7230DN-T1-E3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 9A PPAK 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7230DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7230DN-T1-GE3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 6.4A PPAK 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6.4A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7421DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7421DN-T1-GE3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7806ADN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7806ADN-T1-GE3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  TRANS NPN 20V 1A 89SC3
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 350MHz Surface Mount SC-89-3
  
  型号：NSV20101JT1G
  仓库库存编号：NSV20101JT1G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 8SO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.3A（Ta） 1.56W（Ta） 8-SO
  
  型号：ZXMN6A25N8TA
  仓库库存编号：ZXMN6A25N8TADI-ND
  别名：ZXMN6A25N8TADI
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  PT9 30V/16V NCH POWERTRENCH MOSF
  详细描述：表面贴装 N 沟道 163A (Tc) 75W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
  
  型号：FDMS2D4N03S
  仓库库存编号：FDMS2D4N03S-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  CFET 3A / 500V
  详细描述：通孔 N 沟道 1.8A（Tc） 62W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP3N50C_F080
  仓库库存编号：FQP3N50C_F080-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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