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• IXYS Integrated Circuits Division
  2A 8 DFN DUAL INVERTING
  详细描述：Low-Side Gate Driver IC Inverting 8-DFN-EP (5x4)
  
  型号：IXDI602D2TR
  仓库库存编号：IXDI602D2TR-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS Integrated Circuits Division
  2A 8 SOIC DUAL INVERTING
  详细描述：Low-Side Gate Driver IC Inverting 8-SOIC
  
  型号：IXDI602SIATR
  仓库库存编号：IXDI602SIATR-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS Integrated Circuits Division
  2A 8 LEAD SOIC DUAL NON INVERTIN
  详细描述：Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC
  
  型号：IXDN602SIATR
  仓库库存编号：IXDN602SIATR-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS Integrated Circuits Division
  IC GATE DVR 2A DUAL HS 8DFN
  详细描述：Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-DFN-EP (5x4)
  
  型号：IXDN602D2TR
  仓库库存编号：IXDN602D2TR-ND
  别名：IXDNI602D2TR
  IXDNI602D2TR-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 350V 0.12A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 120mA（Tj） 1W（Tc） TO-92（TO-226）
  
  型号：DN2535N3-G-P003
  仓库库存编号：DN2535N3-G-P003-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 350V 0.12A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 120mA（Tj） 1W（Tc） TO-92（TO-226）
  
  型号：DN2535N3-G-P013
  仓库库存编号：DN2535N3-G-P013-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 350V 0.11A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 110mA（Tj） 360mW（Ta） SOT-23（TO-236AB）
  
  型号：TN5335K1-G
  仓库库存编号：TN5335K1-G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Comchip Technology
  TVS DIODE 54VWM 87.1VC SMC
  
  型号：TV30C540JB-G
  仓库库存编号：TV30C540JB-G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 9.8A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4463BDY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4463BDY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4463BDY-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 100V 4A GBL
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 4A Through Hole GBL
  
  型号：GBL01
  仓库库存编号：GBL01GN-ND
  别名：GBL01GN
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 400V 4A GBL
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 4A Through Hole GBL
  
  型号：GBL04
  仓库库存编号：GBL04GN-ND
  别名：GBL04GN
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 600V 4A GBL
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 4A Through Hole GBL
  
  型号：GBL06
  仓库库存编号：1242-1221-ND
  别名：1242-1221
  GBL06GN
  GBL06GN-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 800V 4A GBL
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 4A Through Hole GBL
  
  型号：GBL08
  仓库库存编号：GBL08GN-ND
  别名：GBL08GN
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 1000V 4A GBL
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 4A Through Hole GBL
  
  型号：GBL10
  仓库库存编号：GBL10GN-ND
  别名：GBL10GN
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 200V 4A GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 4A Through Hole GBU
  
  型号：GBU4D
  仓库库存编号：GBU4DGN-ND
  别名：GBU4DGN
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 600V 4A GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 4A Through Hole GBU
  
  型号：GBU4J
  仓库库存编号：GBU4JGN-ND
  别名：GBU4JGN
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 800V 4A GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 4A Through Hole GBU
  
  型号：GBU4K
  仓库库存编号：GBU4KGN-ND
  别名：GBU4KGN
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 1000V 4A GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 4A Through Hole GBU
  
  型号：GBU4M
  仓库库存编号：GBU4MGN-ND
  别名：GBU4MGN
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 650V 10A TO262F
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 25W（Tc）
  
  型号：AOWF10N65
  仓库库存编号：AOWF10N65-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 501V 650V TO251
  详细描述：通孔 N 沟道 2.8A（Tc） 41W（Tc） TO-251
  
  型号：DMG3N60SJ3
  仓库库存编号：DMG3N60SJ3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• SMC Diode Solutions
  BRIDGE RECT 1PHASE 50V 25A GBJ
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V Through Hole GBJ
  
  型号：GBJ25005TB
  仓库库存编号：GBJ25005TB-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• SMC Diode Solutions
  BRIDGE RECT 1PHASE 100V 25A GBJ
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V Through Hole GBJ
  
  型号：GBJ2501TB
  仓库库存编号：GBJ2501TB-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• SMC Diode Solutions
  BRIDGE RECT 1PHASE 200V 25A GBJ
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V Through Hole GBJ
  
  型号：GBJ2502TB
  仓库库存编号：GBJ2502TB-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• SMC Diode Solutions
  BRIDGE RECT 1PHASE 400V 25A GBJ
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V Through Hole GBJ
  
  型号：GBJ2504TB
  仓库库存编号：GBJ2504TB-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• SMC Diode Solutions
  BRIDGE RECT 1PHASE 800V 25A GBJ
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V Through Hole GBJ
  
  型号：GBJ2508TB
  仓库库存编号：GBJ2508TB-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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