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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 7A 24W TO220FP
  详细描述：IGBT Through Hole TO-220FP
  
  型号：STGF8NC60KD
  仓库库存编号：497-7478-5-ND
  别名：497-7478-5
  STGF8NC60KD-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GPP 1PH 4A 50V GBL
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 3A Through Hole GBL
  
  型号：GBL005-E3/51
  仓库库存编号：GBL005-E3/51-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GPP 1PH 4A 100V GBL
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 3A Through Hole GBL
  
  型号：GBL01-E3/51
  仓库库存编号：GBL01-E3/51GI-ND
  别名：GBL01-E3/51-ND
  GBL01E351
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GPP 1PH 3A 400V GBL
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 3A Through Hole GBL
  
  型号：GBL04-E3/51
  仓库库存编号：GBL04-E3/51-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GPP 1PH 4A 600V GBL
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 3A Through Hole GBL
  
  型号：GBL06-E3/51
  仓库库存编号：GBL06-E3/51GI-ND
  别名：GBL06-E3/51-ND
  GBL06E351
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GPP 1PH 4A 800V GBL
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 3A Through Hole GBL
  
  型号：GBL08-E3/51
  仓库库存编号：GBL08-E3/51-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GPP 1PH 4A 1000V GBL
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 3A Through Hole GBL
  
  型号：GBL10-E3/51
  仓库库存编号：GBL10-E3/51-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 400V 11A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 184W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT12N40L
  仓库库存编号：AOT12N40L-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 800V 2.8A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 2.8A（Tc） 35W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF3N80
  仓库库存编号：785-1639-5-ND
  别名：785-1639-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GPP 1PH 3A 50V GBPC1
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 2A Through Hole GBPC1
  
  型号：GBPC1005-E4/51
  仓库库存编号：GBPC1005-E4/51-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GPP 1PH 3A 100V GBPC1
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 2A Through Hole GBPC1
  
  型号：GBPC101-E4/51
  仓库库存编号：GBPC101-E4/51-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 900V 6A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 50W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF6N90
  仓库库存编号：AOTF6N90-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 5W（Ta），48W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7634BDP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7634BDP-T1-E3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 250V 20A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 208W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT20N25L
  仓库库存编号：785-1588-5-ND
  别名：AOT20N25L-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V SO-8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.4A（Ta），75A（Tc） 920mW（Ta），48W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4899NFT1G
  仓库库存编号：NTMFS4899NFT1GOSTR-ND
  别名：NTMFS4899NFT1GOSTR
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 30V 15A 8DFN
  详细描述：表面贴装 P 沟道 15A（Ta），30A（Tc） 2.5W（Ta），83W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6405L
  仓库库存编号：785-1340-1-ND
  别名：785-1340-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 650V 10A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 250W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT10N65
  仓库库存编号：AOT10N65-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 650V 10A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 50W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF10N65
  仓库库存编号：AOTF10N65-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 25A DFN5X6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta），85A（Tc） 2.3W（Ta），83W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6404A
  仓库库存编号：785-1574-1-ND
  别名：785-1574-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI506
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35.8A（Ta） 2.5W（Ta） PowerDI5060-8
  
  型号：DMT31M6LPS-13
  仓库库存编号：DMT31M6LPS-13-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 4.5A（Tc） 100W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP5N60C
  仓库库存编号：FQP5N60C-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  BRIDGE RECT 4A GPP 600V GBL
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 4A Through Hole GBL
  
  型号：GBLA06-M3/51
  仓库库存编号：GBLA06-M3/51-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  BRIDGE RECT 4A GPP 800V GBL
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 4A Through Hole GBL
  
  型号：GBLA08-M3/51
  仓库库存编号：GBLA08-M3/51-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  BRIDGE RECT 4A GPP 1000V GBL
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 4A Through Hole GBL
  
  型号：GBLA10-M3/51
  仓库库存编号：GBLA10-M3/51-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  BRIDGE RECT 4A GPP 600V GBL
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 4A Through Hole GBL
  
  型号：GBLA06-M3/45
  仓库库存编号：GBLA06-M3/45-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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