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• Diodes Incorporated
  MOSFET NCH 100V 8.9A 8SO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.9A（Ta） 1.2W（Ta） 8-SO
  
  型号：DMT10H014LSS-13
  仓库库存编号：DMT10H014LSS-13-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET P-CH 40V 0.175A TO92-3
  详细描述：通孔 P 沟道 175mA（Tj） 740mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：TP2104N3-G-P003
  仓库库存编号：TP2104N3-G-P003-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 40V 350MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 350mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：VN0104N3-G-P013
  仓库库存编号：VN0104N3-G-P013-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 100V 14.5A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14.5A（Ta），46A（Tc） 7.4W（Ta），78W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6298
  仓库库存编号：AON6298-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 8A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V Through Hole D3K
  
  型号：UR8KB100 C2G
  仓库库存编号：UR8KB100 C2G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 8A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V Through Hole D3K
  
  型号：UR8KB60 C2G
  仓库库存编号：UR8KB60 C2G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 8A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V Through Hole D3K
  
  型号：UR8KB80 C2G
  仓库库存编号：UR8KB80 C2G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GPP 1PH 4A 50V GBL
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 3A Through Hole GBL
  
  型号：GBL005-E3/45
  仓库库存编号：GBL005-E3/45-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GPP 1PH 4A 200V GBL
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 3A Through Hole GBL
  
  型号：GBL02-E3/45
  仓库库存编号：GBL02-E3/45-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GPP 1PH 3A 400V GBL
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 3A Through Hole GBL
  
  型号：GBL04-E3/45
  仓库库存编号：GBL04-E3/45-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  IC DVR EXPD 25V 0.8A VEC8
  详细描述：Half Bridge (2) Driver General Purpose Power MOSFET SOT-28FL/VEC8
  
  型号：TND321VD-TL-H
  仓库库存编号：TND321VD-TL-H-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  IC DVR EXPD 25V 0.8A VEC8
  详细描述：Half Bridge (2) Driver General Purpose Power MOSFET SOT-28FL/VEC8
  
  型号：TND322VD-TL-H
  仓库库存编号：TND322VD-TL-H-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  IC DVR EXPD 25V 0.8A VEC8
  详细描述：Half Bridge (2) Driver General Purpose Power MOSFET SOT-28FL/VEC8
  
  型号：TND323VD-TL-H
  仓库库存编号：TND323VD-TL-H-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.1A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD3P50TM_F085
  仓库库存编号：FQD3P50TM_F085-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• SMC Diode Solutions
  BRIDGE RECT 1PHASE 50V 15A GBJ
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V Through Hole GBJ
  
  型号：GBJ15005TB
  仓库库存编号：GBJ15005TB-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• SMC Diode Solutions
  BRIDGE RECT 1PHASE 100V 15A GBJ
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V Through Hole GBJ
  
  型号：GBJ1501TB
  仓库库存编号：GBJ1501TB-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• SMC Diode Solutions
  BRIDGE RECT 1PHASE 200V 15A GBJ
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V Through Hole GBJ
  
  型号：GBJ1502TB
  仓库库存编号：GBJ1502TB-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• SMC Diode Solutions
  BRIDGE RECT 1PHASE 400V 15A GBJ
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V Through Hole GBJ
  
  型号：GBJ1504TB
  仓库库存编号：GBJ1504TB-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• SMC Diode Solutions
  BRIDGE RECT 1PHASE 800V 15A GBJ
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V Through Hole GBJ
  
  型号：GBJ1508TB
  仓库库存编号：GBJ1508TB-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET PCH 40V 6A 8SO
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6A（Ta） 1.52W（Ta） 8-SO
  
  型号：DMP4025LSSQ-13
  仓库库存编号：DMP4025LSSQ-13-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 6TSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.5A 1.15W Surface Mount 6-TSOP
  
  型号：AO6810
  仓库库存编号：785-1207-1-ND
  别名：785-1207-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 50V 6A KBL
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 6A Through Hole KBL
  
  型号：KBL601G
  仓库库存编号：KBL601GGN-ND
  别名：KBL601GGN
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 100V 6A KBL
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 6A Through Hole KBL
  
  型号：KBL602G
  仓库库存编号：KBL602GGN-ND
  别名：KBL602GGN
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 200V 6A KBL
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 6A Through Hole KBL
  
  型号：KBL603G
  仓库库存编号：KBL603GGN-ND
  别名：KBL603GGN
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 400V 6A KBL
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 6A Through Hole KBL
  
  型号：KBL604G
  仓库库存编号：KBL604GGN-ND
  别名：KBL604GGN
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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