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SMC Diode Solutions
TVS DIODE 9VWM 15.4VC SMC
型号：
3.0SMCJ9.0ATR
仓库库存编号：
3.0SMCJ9.0ATRSMC-ND
别名：3.0SMCJ9.0ATRSMC
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
ON Semiconductor
TRANS PNP 80V 10A TO-220AB
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 1.5MHz Through Hole TO-220AB
型号：
BD810G
仓库库存编号：
BD810G-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GPP 1PH 4A 50V GBL
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 3A Through Hole GBL
型号：
GBLA005-E3/45
仓库库存编号：
GBLA005-E3/45-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GPP 1PH 4A 100V GBL
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 3A Through Hole GBL
型号：
GBLA01-E3/45
仓库库存编号：
GBLA01-E3/45-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GPP 1PH 4A 200V GBL
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 3A Through Hole GBL
型号：
GBLA02-E3/45
仓库库存编号：
GBLA02-E3/45-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GPP 1PH 4A 400V GBL
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 3A Through Hole GBL
型号：
GBLA04-E3/45
仓库库存编号：
GBLA04-E3/45-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GPP 1PH 4A 600V GBL
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 3A Through Hole GBL
型号：
GBLA06-E3/45
仓库库存编号：
GBLA06-E3/45-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GPP 1PH 4A 800V GBL
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 3A Through Hole GBL
型号：
GBLA08-E3/45
仓库库存编号：
GBLA08-E3/45-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GPP 1PH 4A 1000V GBL
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 3A Through Hole GBL
型号：
GBLA10-E3/45
仓库库存编号：
GBLA10-E3/45-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 31V 40V TO252
详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 3.3W TO-252，（D-Pak）
型号：
DMP4010SK3-13
仓库库存编号：
DMP4010SK3-13-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET 2N-CH 40V 9A DFN5X6
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 9A 1.6W Surface Mount 8-DFN (5x6)
型号：
AON6884
仓库库存编号：
AON6884-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET 2N-CH 30V 22A/36A 8DFN
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 22A, 36A 3.6W, 4.3W Surface Mount 8-DFN (5x6)
型号：
AON6932A
仓库库存编号：
AON6932A-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 4.2A 6TSOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.2A（Ta） 600mW（Ta） 6-TSOP
型号：
NVGS3130NT1G
仓库库存编号：
NVGS3130NT1G-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 700V 7A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 198W（Tc） TO-220
型号：
AOT7N70
仓库库存编号：
AOT7N70-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Bourns Inc.
TVS DIODE 8.5VWM 14.4VC DO214AB
型号：
SMLJ8.5CA
仓库库存编号：
SMLJ8.5CABCT-ND
别名：SMLJ8.5CABCT
SMLJ8.5CACT
SMLJ8.5CACT-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 2A,
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V Through Hole GBL
型号：
GBL204 D2G
仓库库存编号：
GBL204 D2G-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Comchip Technology
TVS DIODE 10VWM 17VC SMC
型号：
TV30C100JB-G
仓库库存编号：
TV30C100JB-G-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Comchip Technology
TVS DIODE 100VWM 162VC SMC
型号：
TV30C101JB-G
仓库库存编号：
TV30C101JB-G-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Comchip Technology
TVS DIODE 11VWM 18.2VC SMC
型号：
TV30C110JB-G
仓库库存编号：
TV30C110JB-G-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Comchip Technology
TVS DIODE 110VWM 177VC SMC
型号：
TV30C111JB-G
仓库库存编号：
TV30C111JB-G-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Comchip Technology
TVS DIODE 12VWM 19.9VC SMC
型号：
TV30C120JB-G
仓库库存编号：
TV30C120JB-G-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Comchip Technology
TVS DIODE 120VWM 193VC SMC
型号：
TV30C121JB-G
仓库库存编号：
TV30C121JB-G-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Comchip Technology
TVS DIODE 13VWM 21.5VC SMC
型号：
TV30C130JB-G
仓库库存编号：
TV30C130JB-G-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Comchip Technology
TVS DIODE 130VWM 209VC SMC
型号：
TV30C131JB-G
仓库库存编号：
TV30C131JB-G-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Comchip Technology
TVS DIODE 14VWM 23.2VC SMC
型号：
TV30C140JB-G
仓库库存编号：
TV30C140JB-G-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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