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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 310mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：VN10KN3-G-P003
  仓库库存编号：VN10KN3-G-P003-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 310mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：VN10KN3-G-P013
  仓库库存编号：VN10KN3-G-P013-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 310mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：VN10KN3-G-P014
  仓库库存编号：VN10KN3-G-P014-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  TVS DIODE 171VWM 248VC SMC
  
  型号：STRVS248X02C
  仓库库存编号：497-13727-1-ND
  别名：497-13727-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.5A（Tc） 22W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD80R2K4P7ATMA1
  仓库库存编号：IPD80R2K4P7ATMA1CT-ND
  别名：IPD80R2K4P7ATMA1CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 2.8A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 2.8A（Tc） 2.5W（Ta），49W（Tc） I-Pak
  
  型号：FQU5N60CTU
  仓库库存编号：FQU5N60CTU-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta），136A（Tc） 3.1W（Ta）, 64W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4C022NT1G
  仓库库存编号：NTMFS4C022NT1G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 40A 8TSDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 2.1W（Ta）, 46W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
  
  型号：BSZ068N06NSATMA1
  仓库库存编号：BSZ068N06NSATMA1CT-ND
  别名：BSZ068N06NSATMA1CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GPP 1.5A 600V GBL
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 1.5A Through Hole GBL
  
  型号：G2SB60-E3/45
  仓库库存编号：G2SB60-E3/45-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GPP 1.5A 800V GBL
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 1.5A Through Hole GBL
  
  型号：G2SB80-E3/45
  仓库库存编号：G2SB80-E3/45-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 8A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Ta） 800mW（Ta） 8-SOIC
  
  型号：NTMS4939NR2G
  仓库库存编号：NTMS4939NR2G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 40V 20A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta），85A（Tc） 2.3W（Ta），83W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6234
  仓库库存编号：785-1332-1-ND
  别名：785-1332-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 2A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V Through Hole GBL
  
  型号：D2SB05HD2G
  仓库库存编号：D2SB05HD2G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 2A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V Through Hole GBL
  
  型号：D2SB10HD2G
  仓库库存编号：D2SB10HD2G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 2A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V Through Hole GBL
  
  型号：D2SB20HD2G
  仓库库存编号：D2SB20HD2G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 2A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V Through Hole GBL
  
  型号：D2SB40HD2G
  仓库库存编号：D2SB40HD2G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 2A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V Through Hole GBL
  
  型号：D2SB60HD2G
  仓库库存编号：D2SB60HD2G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 2A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V Through Hole GBL
  
  型号：D2SB80HD2G
  仓库库存编号：D2SB80HD2G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 13A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta），93A（Tc） 930mW（Ta），48W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4935NBT3G
  仓库库存编号：NTMFS4935NBT3G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GPP 1.5A 200V GBL
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 1.5A Through Hole GBL
  
  型号：G2SBA20-E3/51
  仓库库存编号：G2SBA20-E3/51-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GPP 1.5A 600V GBL
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 1.5A Through Hole GBL
  
  型号：G2SBA60-E3/51
  仓库库存编号：G2SBA60-E3/51-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GPP 1.5A 600V GBL
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 1.5A Through Hole GBL
  
  型号：G2SBA60L-E3/51
  仓库库存编号：G2SBA60L-E3/51-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GPP 1.5A 800V GBL
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 1.5A Through Hole GBL
  
  型号：G2SBA80-E3/51
  仓库库存编号：G2SBA80-E3/51-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  TVS DIODE 20.5VWM 42.8VC SMB
  
  型号：SM6T24CAY
  仓库库存编号：497-10936-1-ND
  别名：497-10936-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS Integrated Circuits Division
  IC MOSFET DRIVER 1.5A 8SOIC
  详细描述：Low-Side Gate Driver IC Inverting 8-SOIC
  
  型号：IX4426NTR
  仓库库存编号：IX4426NTR-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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