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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GPP 1.5A 600V GBL
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 1.5A Through Hole GBL
  
  型号：G2SBA60-E3/45
  仓库库存编号：G2SBA60-E3/45-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GPP 1.5A 600V GBL
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 1.5A Through Hole GBL
  
  型号：G2SBA60L-E3/45
  仓库库存编号：G2SBA60L-E3/45-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GPP 1.5A 800V GBL
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 1.5A Through Hole GBL
  
  型号：G2SBA80-E3/45
  仓库库存编号：G2SBA80-E3/45-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  TVS DIODE 18.8VWM 39.3VC SMB
  
  型号：SM6T22AY
  仓库库存编号：497-10933-1-ND
  别名：497-10933-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  TVS DIODE 58.1VWM 121VC SMB
  
  型号：SM6T68AY
  仓库库存编号：497-10937-1-ND
  别名：497-10937-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 30mA（Tj） 740mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：LND150N3-G-P002
  仓库库存编号：LND150N3-G-P002-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 30mA（Tj） 740mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：LND150N3-G-P003
  仓库库存编号：LND150N3-G-P003-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 30mA（Tj） 740mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：LND150N3-G-P013
  仓库库存编号：LND150N3-G-P013-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 30mA（Tj） 740mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：LND150N3-G-P014
  仓库库存编号：LND150N3-G-P014-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 69W（Tc） TO-251AA
  
  型号：SIHU3N50D-E3
  仓库库存编号：SIHU3N50D-E3-ND
  别名：SIHU3N50D-E3CT
  SIHU3N50D-E3CT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TRANS PNP 25V 0.2A SC70-3
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 250MHz Surface Mount SOT-323
  
  型号：MMST4126-7
  仓库库存编号：MMST4126DICT-ND
  别名：MMST4126
  MMST41267
  MMST4126CT
  MMST4126CT-ND
  MMST4126DICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TRANS NPN 25V 0.2A SC70-3
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 300MHz Surface Mount SOT-323
  
  型号：MMST4124-7
  仓库库存编号：MMST4124DICT-ND
  别名：MMST4124
  MMST41247
  MMST4124CT
  MMST4124CT-ND
  MMST4124DICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TRANS PNP 60V 0.6A SC70-3
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 200MHz Surface Mount SOT-323
  
  型号：MMST2907A-7
  仓库库存编号：MMST2907ADICT-ND
  别名：MMST2907A
  MMST2907A7
  MMST2907ACT
  MMST2907ACT-ND
  MMST2907ADICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Comchip Technology
  RECTIFIER BRIDGE 2.0A 800V DF
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 2A Through Hole 4-DF
  
  型号：DF208-G
  仓库库存编号：DF208-G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 40A PPAK 8SO
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40A（Tc） 5W（Ta），56.8W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR403EDP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR403EDP-T1-GE3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  TVS DIODE 15.3VWM 32.5VC SMB
  
  型号：SM6T18CAY
  仓库库存编号：497-10796-1-ND
  别名：497-10796-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V SO8FL
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 9.1A, 13.7A 1.09W, 1.15W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
  
  型号：NTMFD4C20NT3G
  仓库库存编号：NTMFD4C20NT3G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 60V 16.5A 8SO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16.5A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SO
  
  型号：AO4262E
  仓库库存编号：AO4262E-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE SMD TO-269AA
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 500mA Surface Mount TO-269AA (MBS)
  
  型号：MB2S/1
  仓库库存编号：MB2S/1-ND
  别名：MB2S
  MB2S-ND
  Q1157761
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE SMD TO-269AA
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 500mA Surface Mount TO-269AA (MBS)
  
  型号：MB2S45
  仓库库存编号：MB2S45/45-ND
  别名：MB2S45-ND
  MB2S45/45
  Q1157761A
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V SO-8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12.7A（Ta），100A（Tc） 890mW（Ta），55.5W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4946NT1G
  仓库库存编号：NTMFS4946NT1GOSCT-ND
  别名：NTMFS4946NT1GOSCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2N-CH 30V 50A/60A DFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 50A, 60A 3.1W Surface Mount 8-DFN (5x6)
  
  型号：AON6996
  仓库库存编号：AON6996-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 10.2A SO-8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.2A（Ta），75A（Tc） 880mW（Ta），48W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4837NHT1G
  仓库库存编号：NTMFS4837NHT1G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  TRANS NPN 60V 10A DPAK-4
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 2MHz Surface Mount DPAK
  
  型号：NJVMJD3055T4G
  仓库库存编号：NJVMJD3055T4G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 520V 1.3A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 1.3A（Tc） 2.5W（Ta），26W（Tc） TO-251（IPAK）
  
  型号：SSU1N50BTU
  仓库库存编号：SSU1N50BTU-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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