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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.9A（Tc） 42W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD80R2K8CEATMA1
  仓库库存编号：IPD80R2K8CEATMA1CT-ND
  别名：IPD80R2K8CEATMA1CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 80A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12.4A（Ta） 780mW（Ta），33W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4C35NT1G
  仓库库存编号：NTMFS4C35NT1G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8SO
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8.5A 3.1W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4214DDY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4214DDY-T1-E3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 38W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF8T50P
  仓库库存编号：AOTF8T50P-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GPP 1.5A 1400V LOPRO 4SMD
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1400V 1.5A Surface Mount DFS
  
  型号：DFL1514S-E3/77
  仓库库存编号：DFL1514S-E3/77-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 2A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V Through Hole GBL
  
  型号：D2SB05 D2G
  仓库库存编号：D2SB05 D2G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 2A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V Through Hole GBL
  
  型号：D2SB10 D2G
  仓库库存编号：D2SB10 D2G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 2A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V Through Hole GBL
  
  型号：D2SB20 D2G
  仓库库存编号：D2SB20 D2G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 2A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V Through Hole GBL
  
  型号：D2SB40 D2G
  仓库库存编号：D2SB40 D2G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 27.8W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIRA64DP-T1-RE3
  仓库库存编号：SIRA64DP-T1-RE3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 5.4A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.95A（Ta） 8-SOIC
  
  型号：NVMS5P02R2G
  仓库库存编号：NVMS5P02R2G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 20.3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20.3A（Tc） 6.25W（Tc） 8-SO
  
  型号：PHK18NQ03LT,518
  仓库库存编号：PHK18NQ03LT,518-ND
  别名：934058815518
  PHK18NQ03LT /T3
  PHK18NQ03LT /T3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Comchip Technology
  RECTIFIER BRIDGE 2.0A 50V DF
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 2A Through Hole 4-DF
  
  型号：DF2005-G
  仓库库存编号：DF2005-G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Comchip Technology
  RECTIFIER BRIDGE 2.0A 100V DF
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 2A Through Hole 4-DF
  
  型号：DF201-G
  仓库库存编号：DF201-G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Comchip Technology
  RECTIFIER BRIDGE 2.0A 200V DF
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 2A Through Hole 4-DF
  
  型号：DF202-G
  仓库库存编号：DF202-G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 7A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 192W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT7N60
  仓库库存编号：785-1189-5-ND
  别名：785-1189-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 7A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 38.5W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF7N60
  仓库库存编号：AOTF7N60-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 3A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 61W（Tc） I-Pak
  
  型号：NDD04N50Z-1G
  仓库库存编号：NDD04N50Z-1GOS-ND
  别名：NDD04N50Z-1G-ND
  NDD04N50Z-1GOS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V 4A SO8FL
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4A 2W Surface Mount 8-SOIC
  
  型号：NVMD4N03R2G
  仓库库存编号：NVMD4N03R2G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 65A U8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta），67A（Tc） 810mW（Ta），31W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
  
  型号：NTTFS4C06NTAG
  仓库库存编号：NTTFS4C06NTAG-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.9A（Tc） 18W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD80R3K3P7ATMA1
  仓库库存编号：IPD80R3K3P7ATMA1CT-ND
  别名：IPD80R3K3P7ATMA1CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GPP 1A 150V 50NS 4SMD
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 150V 1A Surface Mount DFS
  
  型号：EDF1CS-E3/77
  仓库库存编号：EDF1CS-E3/77-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GPP 1A 50V 50NS 4SMD
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 1A Surface Mount DFS
  
  型号：EDF1AS-E3/77
  仓库库存编号：EDF1AS-E3/77GICT-ND
  别名：EDF1AS-E3/77GICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2N-CH 30V 22A/30A 8DFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 22A, 30A 3.6W, 4.3W Surface Mount 8-DFN (5x6)
  
  型号：AON6934
  仓库库存编号：785-1373-1-ND
  别名：785-1373-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GPP 1.5A 200V GBL
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 1.5A Through Hole GBL
  
  型号：G2SBA20-E3/45
  仓库库存编号：G2SBA20-E3/45-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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