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SMC Diode Solutions
BRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A GBU
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 800V Through Hole GBU
型号:
GBU408GTB
仓库库存编号:
GBU408GTB-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta),69A(Tc) 2.55W(Ta),30.5W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4C025NT1G
仓库库存编号:
NTMFS4C025NT1G-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Comchip Technology
BRIDGE DIODE GPP 0.8A 400V MBM
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 400V 800mA Through Hole MBM
型号:
MB4M-G
仓库库存编号:
MB4M-G-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Comchip Technology
BRIDGE DIODE GPP 0.8A 600V MBM
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 600V 800mA Through Hole MBM
型号:
MB6M-G
仓库库存编号:
MB6M-G-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Comchip Technology
BRIDGE DIODE GPP 0.8A 1000V MBM
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 1000V 800mA Through Hole MBM
型号:
MB10M-G
仓库库存编号:
MB10M-G-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Ta),69A(Tc) 770mW(Ta),30.5W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4C06NT1G
仓库库存编号:
NTMFS4C06NT1GOSCT-ND
别名:NTMFS4C06NT1GOSCT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta),69A(Tc) 2.55W(Ta),30.5W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4C06NBT1G
仓库库存编号:
NTMFS4C06NBT1G-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
TVS DIODE 10.2VWM 21.7VC SMC
型号:
SM15T12CA
仓库库存编号:
497-12771-1-ND
别名:497-12771-1
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 500V 0.013A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 13mA(Tj) 360mW(Ta) SOT-23(TO-236AB)
型号:
LND250K1-G
仓库库存编号:
LND250K1-G-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 500V 3A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 3A(Tc) 31W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF3N50
仓库库存编号:
AOTF3N50-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 6HUSON
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 3.4A 490mW Surface Mount DFN2020-6
型号:
PMDPB55XP,115
仓库库存编号:
1727-1329-1-ND
别名:1727-1329-1
568-10759-1
568-10759-1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 8A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Tc) 2W(Ta),4.6W(Tc) 8-SO
型号:
SI4196DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4196DY-T1-GE3-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH
详细描述:表面贴装 N 沟道 36A(Ta),85A(Tc) 6.2W(Ta),48W(Tc) 8-DFN(5x6)
型号:
AON6572
仓库库存编号:
AON6572-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Diodes Incorporated
TRANS PNP 140V 1A SOT23
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 75MHz Surface Mount SOT-23
型号:
ZXTP25140BFHQTA
仓库库存编号:
ZXTP25140BFHQTA-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 25V 30V SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.9A(Ta) 1.5W(Ta) SOT-23-3
型号:
ZXMN3A14FQTA
仓库库存编号:
ZXMN3A14FQTA-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE BRIDGE 1.5A 50V KBPM
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 50V 1.5A Through Hole KBPM
型号:
3N246-E4/51
仓库库存编号:
3N246-E4/51-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Diodes Incorporated
TRANS PNP 30V 1A SOT223
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 100MHz Surface Mount SOT-223
型号:
FZT589TA
仓库库存编号:
FZT589TADI-ND
别名:FZT589TADI
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 8.2A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.2A(Ta),46A(Tc) 750mW(Ta) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4C290NT1G
仓库库存编号:
NTMFS4C290NT1G-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Comchip Technology
TVS DIODE 10VWM 17VC SMC
型号:
TV15C100J-G
仓库库存编号:
TV15C100J-G-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Comchip Technology
TVS DIODE 10VWM 17VC SMC
型号:
TV15C100J-HF
仓库库存编号:
TV15C100J-HF-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Comchip Technology
TVS DIODE 100VWM 162VC SMC
型号:
TV15C101J-G
仓库库存编号:
TV15C101J-G-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Comchip Technology
TVS DIODE 100VWM 162VC SMC
型号:
TV15C101J-HF
仓库库存编号:
TV15C101J-HF-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Comchip Technology
TVS DIODE 11VWM 18.2VC SMC
型号:
TV15C110J-G
仓库库存编号:
TV15C110J-G-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Comchip Technology
TVS DIODE 11VWM 18.2VC SMC
型号:
TV15C110J-HF
仓库库存编号:
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TVS DIODE 110VWM 177VC SMC
型号:
TV15C111J-G
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TV15C111J-G-ND
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