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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.9A 2W Surface Mount 8-SOP
  
  型号：DMN3033LSD-13
  仓库库存编号：DMN3033LSD-13-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 2W Surface Mount 8-SOIC
  
  型号：AO4822A
  仓库库存编号：785-1060-1-ND
  别名：785-1060-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  TVS DIODE 6.4VWM 14.5VC SMB
  
  型号：SM6T7V5AY
  仓库库存编号：497-10938-1-ND
  别名：497-10938-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 11.6A SO-8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11.6A（Ta），79A（Tc） 920mW（Ta），43W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4936NCT1G
  仓库库存编号：NTMFS4936NCT1G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 50V 1.5A DB
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 1.5A Through Hole DB
  
  型号：DB151G
  仓库库存编号：DB151GGN-ND
  别名：DB151GGN
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 100V 1.5A DB
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 1.5A Through Hole DB
  
  型号：DB152G
  仓库库存编号：DB152GGN-ND
  别名：DB152GGN
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 200V 1.5A DB
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 1.5A Through Hole DB
  
  型号：DB153G
  仓库库存编号：DB153GGN-ND
  别名：DB153GGN
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 400V 1.5A DB
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 1.5A Through Hole DB
  
  型号：DB154G
  仓库库存编号：DB154GGN-ND
  别名：DB154GGN
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 600V 1.5A DB
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 1.5A Through Hole DB
  
  型号：DB155G
  仓库库存编号：DB155GGN-ND
  别名：DB155GGN
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 800V 1.5A DB
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 1.5A Through Hole DB
  
  型号：DB156G
  仓库库存编号：DB156GGN-ND
  别名：DB156GGN
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 1000V 1.5A DB
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 1.5A Through Hole DB
  
  型号：DB157G
  仓库库存编号：DB157GGN-ND
  别名：DB157GGN
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8.5A 3.1W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4214DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4214DY-T1-GE3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  PWR MID PERF TRANSISTOR TO252
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 3MHz Surface Mount TO-252, (D-Pak)
  
  型号：MJD31CUQ-13
  仓库库存编号：MJD31CUQ-13-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  PWR MID PERF TRANSISTOR TO252
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 3MHz Surface Mount TO-252, (D-Pak)
  
  型号：MJD32CUQ-13
  仓库库存编号：MJD32CUQ-13-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  BRIDGE RECTIFIER MSBL
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V Surface Mount 4-MSBL
  
  型号：MSB30KH-13
  仓库库存编号：MSB30KH-13-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 32A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 27A（Ta），32A（Tc） 4.1W（Ta），41W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6758
  仓库库存编号：785-1370-1-ND
  别名：785-1370-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 60V 13.5A 8SO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13.5A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SO
  
  型号：AO4264E
  仓库库存编号：AO4264E-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 8V 24V U-WLB1010-4
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.6A（Ta） 1.4W U-WLB1010-4
  
  型号：DMP2042UCB4-7
  仓库库存编号：DMP2042UCB4-7-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 41V 60V TSOT26
  详细描述：表面贴装 P 沟道 7.3A（Ta） 1.8W（Ta） TSOT-26
  
  型号：DMP6110SVTQ-7
  仓库库存编号：DMP6110SVTQ-7-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  DIODE, TVS, BIDIRECTIONAL, 1500W
  
  型号：1.5SMC100CA R7G
  仓库库存编号：1.5SMC100CA R7G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  DIODE, TVS, BIDIRECTIONAL, 1500W
  
  型号：1.5SMC10CA R7G
  仓库库存编号：1.5SMC10CA R7G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  DIODE, TVS, BIDIRECTIONAL, 1500W
  
  型号：1.5SMC120CA R7G
  仓库库存编号：1.5SMC120CA R7G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  DIODE, TVS, BIDIRECTIONAL, 1500W
  
  型号：1.5SMC12CA R7G
  仓库库存编号：1.5SMC12CA R7G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  DIODE, TVS, BIDIRECTIONAL, 1500W
  
  型号：1.5SMC150CA R7G
  仓库库存编号：1.5SMC150CA R7G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  DIODE, TVS, BIDIRECTIONAL, 1500W
  
  型号：1.5SMC15CA R7G
  仓库库存编号：1.5SMC15CA R7G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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