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• STMicroelectronics
  IGBT 1200V 10A 75W IPAK
  详细描述：IGBT 1200V 10A 75W Through Hole I-Pak
  
  型号：STGD5NB120SZ-1
  仓库库存编号：497-16445-ND
  别名：497-16445
  STGD5NB120SZ-1-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 25A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V Through Hole TS-6P
  
  型号：TS25P05G D2G
  仓库库存编号：TS25P05G D2G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 25A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V Through Hole TS-6P
  
  型号：TS25P06G D2G
  仓库库存编号：TS25P06G D2G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 25A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V Through Hole TS-6P
  
  型号：TS25P07G D2G
  仓库库存编号：TS25P07G D2G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 20A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V Through Hole TS-6P
  
  型号：TS20P05G C2G
  仓库库存编号：TS20P05G C2G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 20A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V Through Hole TS-6P
  
  型号：TS20P05G D2G
  仓库库存编号：TS20P05G D2G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
  详细描述：通孔 N 沟道 4.5A（Tc） 50W（Tc） TO-251（IPAK）
  
  型号：TSM60N900CH C5G
  仓库库存编号：TSM60N900CH C5G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
  详细描述：通孔 N 沟道 4.5A（Tc） 50W（Tc） TO-251（IPAK）
  
  型号：TSM70N900CH C5G
  仓库库存编号：TSM70N900CH C5G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 10.5A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 10.5A（Tc） 40W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF12NK80Z
  仓库库存编号：STF12NK80Z-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 151A 8PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 151A (Tc) 138W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
  
  型号：FDMS86180
  仓库库存编号：FDMS86180CT-ND
  别名：FDMS86180CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 12A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 130W（Tc） TO-220
  
  型号：STP14N80K5
  仓库库存编号：STP14N80K5-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 41.7W（Tc） ITO-220S
  
  型号：TSM60NB600CF C0G
  仓库库存编号：TSM60NB600CF C0G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 850V 8A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB（IXFP）
  
  型号：IXFP8N85X
  仓库库存编号：IXFP8N85X-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 6.2A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 6.2A（Tc） 140W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW8NK80Z
  仓库库存编号：497-12807-5-ND
  别名：497-12807-5
  STW8NK80Z-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 12A I2PAK-FP
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 35W（Tc） I2PAKFP（TO-281）
  
  型号：STFI13N80K5
  仓库库存编号：497-15374-5-ND
  别名：497-15374-5
  STFI13N80K5-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 110W（Tc） TO-251（IPAK）
  
  型号：TSM80N950CH C5G
  仓库库存编号：TSM80N950CH C5G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 7A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 110W（Tc） TO-247
  
  型号：STW9N80K5
  仓库库存编号：STW9N80K5-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 1000V 2.5A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 2.5A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF3NK100Z
  仓库库存编号：497-7473-5-ND
  别名：497-7473-5
  STF3NK100Z-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 950V 7A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 160W（Tc） TO-247
  
  型号：STW9NK95Z
  仓库库存编号：STW9NK95Z-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 12A I2PAKFP
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 30W（Tc） I2PAKFP（TO-281）
  
  型号：STFI14N80K5
  仓库库存编号：STFI14N80K5-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 600V 10A BU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 10A Through Hole isoCINK+? BU
  
  型号：BU1006A-M3/45
  仓库库存编号：BU1006A-M3/45GI-ND
  别名：BU1006A-M3/45-ND
  BU1006A-M3/45GI
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 800V 10A BU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 10A Through Hole isoCINK+? BU
  
  型号：BU1008A-M3/45
  仓库库存编号：BU1008A-M3/45GI-ND
  别名：BU1008A-M3/45-ND
  BU1008A-M3/45GI
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 1000V 10A BU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 10A Through Hole isoCINK+? BU
  
  型号：BU1010A-M3/45
  仓库库存编号：BU1010A-M3/45GI-ND
  别名：BU1010A-M3/45-ND
  BU1010A-M3/45GI
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 38.7W（Tc） TO-220
  
  型号：TSM4N80CZ C0G
  仓库库存编号：TSM4N80CZ C0G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 113.6W（Tc） TO-220
  
  型号：TSM80N08CZ C0G
  仓库库存编号：TSM80N08CZ C0G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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