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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 3A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STP4NK80ZFP
  仓库库存编号：STP4NK80ZFP-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 525V 4A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 20W（Tc） I2PAKFP（TO-281）
  
  型号：STFILED524
  仓库库存编号：STFILED524-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：通孔 N 沟道 1.85A（Tc） 77W（Tc） TO-251（IPAK）
  
  型号：TSM2N100CH C5G
  仓库库存编号：TSM2N100CH C5G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 211A 8PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 211A (Tc) 74W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
  
  型号：FDMS1D4N03S
  仓库库存编号：FDMS1D4N03SCT-ND
  别名：FDMS1D4N03SCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 950V 3.5A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 3.5A（Tc） 70W（Tc） I-Pak
  
  型号：STU5N95K5
  仓库库存编号：STU5N95K5-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 110W（Tc） DPAK
  
  型号：STD9N80K5
  仓库库存编号：STD9N80K5-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 125W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM60N380CP ROG
  仓库库存编号：TSM60N380CP ROGTR-ND
  别名：TSM60N380CP ROGTR
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 125W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM60N380CP ROG
  仓库库存编号：TSM60N380CP ROGCT-ND
  别名：TSM60N380CP ROGCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 125W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM60N380CP ROG
  仓库库存编号：TSM60N380CP ROGDKR-ND
  别名：TSM60N380CP ROGDKR
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 7.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.5A（Tc） 100W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD5NM50T4
  仓库库存编号：497-3162-1-ND
  别名：497-3162-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 10A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V Through Hole KBJL
  
  型号：TS10KL80 D3G
  仓库库存编号：TS10KL80 D3G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 620V 8.4A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 8.4A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF10N62K3
  仓库库存编号：STF10N62K3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 30V 53A 8VSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 3.2W（Ta） 8-VSON（5x6）
  
  型号：CSD17570Q5B
  仓库库存编号：296-39993-1-ND
  别名：296-39993-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V POWERPAK SO-8L
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 89W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIHJ8N60E-T1-GE3
  仓库库存编号：SIHJ8N60E-T1-GE3CT-ND
  别名：SIHJ8N60E-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 6A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 110W（Tc） I2PAK
  
  型号：STB6NK60Z-1
  仓库库存编号：497-5955-5-ND
  别名：497-5955-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 6A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V Through Hole TS-6P
  
  型号：TS6P05G D2G
  仓库库存编号：TS6P05G D2G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 5A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 5A（Tc） 96W（Tc） I-Pak
  
  型号：STD5NM60-1
  仓库库存编号：497-12786-5-ND
  别名：497-12786-5
  STD5NM60-1-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 36.8W（Tc） TO-251（IPAK）
  
  型号：TSM60NB900CH C5G
  仓库库存编号：TSM60NB900CH C5G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 80V 100A SO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR680DP-T1-RE3
  仓库库存编号：SIR680DP-T1-RE3CT-ND
  别名：SIR680DP-T1-RE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 4.5A TO-251
  详细描述：通孔 N 沟道 4.5A（Tc） 37W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPS65R950C6AKMA1
  仓库库存编号：IPS65R950C6AKMA1-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251
  详细描述：通孔 N 沟道 4.6A（Tc） 41W（Tc） TO-251
  
  型号：DMJ70H1D3SI3
  仓库库存编号：DMJ70H1D3SI3DI-ND
  别名：DMJ70H1D3SI3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251
  详细描述：通孔 N 沟道 4.6A（Tc） 41W（Tc） TO-251
  
  型号：DMJ70H1D3SH3
  仓库库存编号：DMJ70H1D3SH3DI-ND
  别名：DMJ70H1D3SH3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 44.6W（Tc） ITO-220S
  
  型号：TSM7NC60CF C0G
  仓库库存编号：TSM7NC60CF C0G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 6A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 110W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB6NK60ZT4
  仓库库存编号：497-12537-1-ND
  别名：497-12537-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 95A SO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 95A（Tc） 104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR668DP-T1-RE3
  仓库库存编号：SIR668DP-T1-RE3CT-ND
  别名：SIR668DP-T1-RE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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