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• IXYS
  MOSFET N-CH 85V 280A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 280A（Tc） 700W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN280N085
  仓库库存编号：IXFN280N085-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 53A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 53A（Tc） 735W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXTN60N50L2
  仓库库存编号：IXTN60N50L2-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 178A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 178A（Tc） 830W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXTN200N10L2
  仓库库存编号：IXTN200N10L2-ND
  别名：624413
  Q5211084
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 2500V 32A 250W I4PAC
  详细描述：IGBT NPT 2500V 32A 250W Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：IXLF19N250A
  仓库库存编号：IXLF19N250A-ND
  别名：Q1750432
  Q6027284
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 4500V 1A TO268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Tc） 520W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT1N450HV
  仓库库存编号：IXTT1N450HV-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 58A（Tc） 520W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT50M65JFLL
  仓库库存编号：APT50M65JFLL-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 230A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 230A（Tc） 700W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN230N10
  仓库库存编号：IXFN230N10-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 3000V 80A 400W TO247
  详细描述：IGBT 3000V 80A 400W Through Hole TO-247AD (IXBH)
  
  型号：IXBH32N300
  仓库库存编号：IXBH32N300-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 128A 543W SOT227
  详细描述：IGBT Module PT Single 1200V 128A 543W Chassis Mount ISOTOP?
  
  型号：APT75GP120JDQ3
  仓库库存编号：APT75GP120JDQ3-ND
  别名：APT75GP120JDQ3MI
  APT75GP120JDQ3MI-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 50A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 50A（Tc） 1135W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN50N80Q2
  仓库库存编号：IXFN50N80Q2-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 4500V 0.9A I4PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 900mA（Tc） 160W（Tc） ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：IXTF1N450
  仓库库存编号：IXTF1N450-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 3000V 130A 625W TO264
  详细描述：IGBT 3000V 130A 625W Through Hole TO-264
  
  型号：IXBK55N300
  仓库库存编号：IXBK55N300-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 2500V 170A 780W TO264
  详细描述：IGBT NPT 2500V 170A 780W Through Hole TO-264 (IXGK)
  
  型号：IXGK75N250
  仓库库存编号：IXGK75N250-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 2500V 5A TO264
  详细描述：通孔 N 沟道 5A（Tc） 960W（Tc） TO-264（IXTK）
  
  型号：IXTK5N250
  仓库库存编号：IXTK5N250-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 3600V 92A ISOPLUS I5PAK
  详细描述：IGBT 3600V 92A 417W Through Hole ISOPLUSi5-Pak?
  
  型号：IXBL60N360
  仓库库存编号：IXBL60N360-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 4500V 2A I5PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 2A（Tc） 220W（Tc） ISOPLUSi5-Pak?
  
  型号：IXTL2N450
  仓库库存编号：IXTL2N450-ND
  别名： 627941
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Littelfuse Inc.
  TVS DIODE 380VWM 520VC AXIAL
  
  型号：AK10-380C
  仓库库存编号：F5938-ND
  别名：AK10-380C-ND
  AK10380C
  F5938
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Littelfuse Inc.
  TVS DIODE 430VWM 625VC AXIAL
  
  型号：AK10-430C
  仓库库存编号：AK10-430C-ND
  别名：AK10430C
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Apex Microtechnology
  IC MOTOR DRIVER PAR 12DIP
  详细描述：Half Bridge (2) Driver AC Motors, Piezo Devices Power MOSFET 12-PowerDip
  
  型号：SA12
  仓库库存编号：598-1364-ND
  别名：598-1364
  598-2140-5
  598-2140-5-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  TRANS PNP 40V 0.6A SOT-23
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 40V 600mA 200MHz 300mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
  
  型号：MMBT4403LT3G
  仓库库存编号：MMBT4403LT3GOSCT-ND
  别名：MMBT4403LT3GOSCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 30V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
  
  型号：BC849BLT1G
  仓库库存编号：BC849BLT1GOSCT-ND
  别名：BC849BLT1GOSCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  TRANS PNP 40V 0.6A SOT23
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 40V 600mA 200MHz 300mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
  
  型号：MMBT4403LT1G
  仓库库存编号：MMBT4403LT1GOSCT-ND
  别名：MMBT4403LT1GOSCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  TRANS NPN 30V 0.1A SOT23
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 30V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
  
  型号：BC848ALT1G
  仓库库存编号：BC848ALT1GOSCT-ND
  别名：BC848ALT1GOSCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  TRANS NPN 30V 0.1A SOT23
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 30V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
  
  型号：BC848BLT1G
  仓库库存编号：BC848BLT1GOSCT-ND
  别名：BC848BLT1GOSCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  TRANS NPN 65V 0.1A SOT23
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 65V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
  
  型号：BC846ALT1G
  仓库库存编号：BC846ALT1GOSCT-ND
  别名：BC846ALT1GOSCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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