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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 40A（Tc） 290W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT40N60JCU2
  仓库库存编号：APT40N60JCU2-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 2500V 30A 114W I4-PAK
  详细描述：IGBT NPT 2500V 30A 114W Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：IXGF25N250
  仓库库存编号：IXGF25N250-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 1700V 200A 1040W PLUS247
  详细描述：IGBT 1700V 200A 1040W Through Hole PLUS247?-3
  
  型号：IXBX75N170
  仓库库存编号：IXBX75N170-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 600V 75A 300W TO247
  详细描述：IGBT PT 600V 75A 300W Through Hole TO-247AD (IXGH)
  
  型号：IXGH48N60C3C1
  仓库库存编号：IXGH48N60C3C1-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 120A 521W SOT227
  详细描述：IGBT Module NPT Single 1200V 120A 521W Chassis Mount ISOTOP?
  
  型号：APT50GF120JRDQ3
  仓库库存编号：APT50GF120JRDQ3-ND
  别名：APT50GF120JRDQ3MI
  APT50GF120JRDQ3MI-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  TRANSISTOR, NPN, 40V, 0.2A, 100A
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 40V 200mA 250MHz 300mW Surface Mount SOT-23
  
  型号：MMBT3904L RFG
  仓库库存编号：MMBT3904L RFGTR-ND
  别名：MMBT3904L RFGTR
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  TRANSISTOR, NPN, 40V, 0.2A, 100A
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 40V 200mA 250MHz 300mW Surface Mount SOT-23
  
  型号：MMBT3904L RFG
  仓库库存编号：MMBT3904L RFGCT-ND
  别名：MMBT3904L RFGCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  TRANSISTOR, NPN, 40V, 0.2A, 100A
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 40V 200mA 250MHz 300mW Surface Mount SOT-23
  
  型号：MMBT3904L RFG
  仓库库存编号：MMBT3904L RFGDKR-ND
  别名：MMBT3904L RFGDKR
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  TRANSISTOR, NPN, 40V, 0.2A, 100A
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 40V 200mA 250MHz 300mW Surface Mount SOT-23
  
  型号：MMBT3904 RFG
  仓库库存编号：MMBT3904 RFGTR-ND
  别名：MMBT3904 RFGTR
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  TRANSISTOR, NPN, 40V, 0.2A, 100A
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 40V 200mA 250MHz 300mW Surface Mount SOT-23
  
  型号：MMBT3904 RFG
  仓库库存编号：MMBT3904 RFGCT-ND
  别名：MMBT3904 RFGCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  TRANSISTOR, NPN, 40V, 0.2A, 100A
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 40V 200mA 250MHz 300mW Surface Mount SOT-23
  
  型号：MMBT3904 RFG
  仓库库存编号：MMBT3904 RFGDKR-ND
  别名：MMBT3904 RFGDKR
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  TRANSISTOR, NPN, 45V, 0.1A, 200A
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 45V 100mA 100MHz 200mW Surface Mount SOT-23
  
  型号：BC847B RFG
  仓库库存编号：BC847B RFGTR-ND
  别名：BC847B RFGTR
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  TRANSISTOR, NPN, 45V, 0.1A, 200A
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 45V 100mA 100MHz 200mW Surface Mount SOT-23
  
  型号：BC847B RFG
  仓库库存编号：BC847B RFGCT-ND
  别名：BC847B RFGCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  TRANSISTOR, NPN, 45V, 0.1A, 200A
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 45V 100mA 100MHz 200mW Surface Mount SOT-23
  
  型号：BC847B RFG
  仓库库存编号：BC847B RFGDKR-ND
  别名：BC847B RFGDKR
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  DIODE, ZENER, 15V, 200MW, 2%, SO
  详细描述：Zener Diode 200mW ±2% Surface Mount SOD-323F
  
  型号：UDZS15B RRG
  仓库库存编号：UDZS15B RRGTR-ND
  别名：UDZS15B RRGTR
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  DIODE, ZENER, 15V, 200MW, 2%, SO
  详细描述：Zener Diode 200mW ±2% Surface Mount SOD-323F
  
  型号：UDZS15B RRG
  仓库库存编号：UDZS15B RRGCT-ND
  别名：UDZS15B RRGCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  DIODE, ZENER, 15V, 200MW, 2%, SO
  详细描述：Zener Diode 200mW ±2% Surface Mount SOD-323F
  
  型号：UDZS15B RRG
  仓库库存编号：UDZS15B RRGDKR-ND
  别名：UDZS15B RRGDKR
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300mA（Ta） 300mW（Ta） SOT-23
  
  型号：TSM2N7002KCX RFG
  仓库库存编号：TSM2N7002KCX RFGTR-ND
  别名：TSM2N7002KCX RFGTR
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300mA（Ta） 300mW（Ta） SOT-23
  
  型号：TSM2N7002KCX RFG
  仓库库存编号：TSM2N7002KCX RFGCT-ND
  别名：TSM2N7002KCX RFGCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300mA（Ta） 300mW（Ta） SOT-23
  
  型号：TSM2N7002KCX RFG
  仓库库存编号：TSM2N7002KCX RFGDKR-ND
  别名：TSM2N7002KCX RFGDKR
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  TVS DIODE 10VWM 17VC MICROSMP
  
  型号：MSMP10A-M3/89A
  仓库库存编号：MSMP10A-M3/89A-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  TVS DIODE 11VWM 18.2VC MICROSMP
  
  型号：MSMP11A-M3/89A
  仓库库存编号：MSMP11A-M3/89A-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  TVS DIODE 12VWM 19.9VC MICROSMP
  
  型号：MSMP12A-M3/89A
  仓库库存编号：MSMP12A-M3/89A-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  TVS DIODE 13VWM 21.5VC MICROSMP
  
  型号：MSMP13A-M3/89A
  仓库库存编号：MSMP13A-M3/89A-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  TVS DIODE 14VWM 23.2VC MICROSMP
  
  型号：MSMP14A-M3/89A
  仓库库存编号：MSMP14A-M3/89A-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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