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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 1400V 35A D34A
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1400V 35A QC Terminal D-34
  
  型号：VS-36MB140A
  仓库库存编号：36MB140A-ND
  别名：*36MB140A
  36MB140A
  VS-36MB140A-ND
  VS36MB140A
  VS36MB140A-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 600V 75A 540W PLUS247
  详细描述：IGBT PT 600V 75A 540W Through Hole PLUS247?-3
  
  型号：IXGX72N60A3H1
  仓库库存编号：IXGX72N60A3H1-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 900V 117A 500W TO-247
  详细描述：IGBT PT 900V 117A 500W Through Hole
  
  型号：APT64GA90B2D30
  仓库库存编号：APT64GA90B2D30-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Linear Technology
  IC REG CTRLR BUCK 12MSOP
  详细描述：Buck Regulator Positive or Negative Output Step-Down DC-DC Controller IC 12-MSOP-EP
  
  型号：LTC3863MPMSE#PBF
  仓库库存编号：LTC3863MPMSE#PBF-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 40A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 40A（Tc） 540W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ40N50L2
  仓库库存编号：IXTQ40N50L2-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 56A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 56A（Tc） 780W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT56F50B2
  仓库库存编号：APT56F50B2-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 34A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 36A（Tc） 624W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT34F60B
  仓库库存编号：APT34F60B-ND
  别名：APT34F60BMI
  APT34F60BMI-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 77A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 77A（Tc） 481W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT77N60BC6
  仓库库存编号：APT77N60BC6-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 35A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 35A（Tc） 403W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT5014BLLG
  仓库库存编号：APT5014BLLG-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 75A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 1040W（Tc） TO-264 [L]
  
  型号：APT75M50L
  仓库库存编号：APT75M50L-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Linear Technology
  IC REG BUCK ADJ 3A SYNC 20QFN
  详细描述：可调式 降压 开关稳压器 IC 正 0.6V 1 输出 3A 20-WFQFN 裸露焊盘
  
  型号：LTC3612MPUDC#PBF
  仓库库存编号：LTC3612MPUDC#PBF-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 150A 625W TMAX
  详细描述：IGBT PT 600V 150A 625W Through Hole
  
  型号：APT50GP60B2DQ2G
  仓库库存编号：APT50GP60B2DQ2G-ND
  别名：APT50GP60B2DQ2GMI
  APT50GP60B2DQ2GMI-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  TVS DIODE 58VWM 110VC AXIAL
  
  型号：AK3-058C-BP
  仓库库存编号：AK3-058C-BPMS-ND
  别名：AK3-058C-BPMS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Linear Technology
  IC REG BUCK ADJ 3A SYNC 20TSSOP
  详细描述：可调式 降压 开关稳压器 IC 正 0.6V 1 输出 3A 20-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）裸露焊盘
  
  型号：LTC3612MPFE#PBF
  仓库库存编号：LTC3612MPFE#PBF-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 200V 53A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 P 沟道 53A（Tc） 312W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXTR90P20P
  仓库库存编号：IXTR90P20P-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Linear Technology
  IC REG BCK BST ADJ 1A SYNC 16TSS
  详细描述：可调式 降压升压 开关稳压器 IC 正 2.7V 1 输出 1A 16-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）裸露焊盘
  
  型号：LTC3114MPFE-1#PBF
  仓库库存编号：LTC3114MPFE-1#PBF-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 84A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 84A（Tc） 1135W（Tc） TO-264
  
  型号：APT84M50L
  仓库库存编号：APT84M50L-ND
  别名：APT84M50LMI
  APT84M50LMI-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 84A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 84A（Tc） 1135W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT84M50B2
  仓库库存编号：APT84M50B2-ND
  别名：APT84M50B2MI
  APT84M50B2MI-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 88A 500W TO247
  详细描述：IGBT NPT 1200V 88A 500W Through Hole TO-247
  
  型号：APT40GR120B2SCD10
  仓库库存编号：APT40GR120B2SCD10-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 29A TO264
  详细描述：通孔 N 沟道 29A（Tc） 1135W（Tc） TO-264 [L]
  
  型号：APT28M120L
  仓库库存编号：APT28M120L-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 2000V 1A TO-247HV
  详细描述：通孔 N 沟道 1A（Tc） 125W（Tc） TO-247HV
  
  型号：IXTH1N200P3HV
  仓库库存编号：IXTH1N200P3HV-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 55A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 55A（Tc） 625W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX55N50
  仓库库存编号：IXFX55N50-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 51A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 51A（Tc） 480W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT51F50J
  仓库库存编号：APT51F50J-ND
  别名：APT51F50JMI
  APT51F50JMI-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 20A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 20A（Tc） 460W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT19F100J
  仓库库存编号：APT19F100J-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 153A 446W SOT227
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 153A 446W Chassis Mount ISOTOP?
  
  型号：APT100GN120J
  仓库库存编号：APT100GN120J-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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