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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V TO-220AB-3
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 130W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP8N50NZ
  仓库库存编号：FDP8N50NZ-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N CH 650V 9A ITO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 13W（Tc） ITO-220AB
  
  型号：DMG9N65CTI
  仓库库存编号：DMG9N65CTIDI-ND
  别名：DMG9N65CTIDI
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 4A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 38W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：SPA04N80C3
  仓库库存编号：SPA04N80C3IN-ND
  别名：SP000216300
  SPA04N80C3IN
  SPA04N80C3X
  SPA04N80C3XK
  SPA04N80C3XKSA1
  SPA04N80C3XTIN
  SPA04N80C3XTIN-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GPP 8A 1000V GPP INLINE
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 3.9A Through Hole GBU
  
  型号：GBU8M-E3/51
  仓库库存编号：GBU8M-E3/51GI-ND
  别名：GBU8M-E3/51-ND
  GBU8ME351
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.6A（Tc） 74W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFBC30ASPBF
  仓库库存编号：IRFBC30ASPBF-ND
  别名：*IRFBC30ASPBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 650V 2A X2 TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Tc） 55W（Tc） TO-252
  
  型号：IXTY2N65X2
  仓库库存编号：IXTY2N65X2-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 650V 8A X2 TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 150W（Tc） TO-220
  
  型号：IXTP8N65X2
  仓库库存编号：IXTP8N65X2-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  RECT BRIDGE GPP 10A 100V GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 10A Through Hole GBU
  
  型号：GBU1001
  仓库库存编号：GBU1001DI-ND
  别名：GBU1001-ND
  GBU1001DI
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 560V 7.6A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 7.6A（Tc） 32W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：SPA08N50C3
  仓库库存编号：SPA08N50C3IN-ND
  别名：SP000216306
  SPA08N50C3IN
  SPA08N50C3X
  SPA08N50C3XK
  SPA08N50C3XKSA1
  SPA08N50C3XTIN
  SPA08N50C3XTIN-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 10.5A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 10.5A（Tc） 114W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP12N50E-GE3
  仓库库存编号：SIHP12N50E-GE3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 28A 100W D2PAK
  详细描述：IGBT 600V 28A 100W Surface Mount D2PAK
  
  型号：IRG4BC30KDSTRLP
  仓库库存编号：IRG4BC30KDSTRLPCT-ND
  别名：IRG4BC30KDSTRLPCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 800V 15A BU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 3.4A Through Hole isoCINK+? BU
  
  型号：BU1508-E3/51
  仓库库存编号：BU1508-E3/51GI-ND
  别名：BU1508-E3/51-ND
  BU1508-E3/51GI
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 2.5A（Tc） 20W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF3N80K5
  仓库库存编号：497-14272-5-ND
  别名：497-14272-5
  STF3N80K5-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 80W（Tc） TO-252
  
  型号：IXTY4N65X2
  仓库库存编号：IXTY4N65X2-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 8A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI08N80C3
  仓库库存编号：SPI08N80C3IN-ND
  别名：SP000014819
  SP000683148
  SPI08N80C3-ND
  SPI08N80C3IN
  SPI08N80C3X
  SPI08N80C3XK
  SPI08N80C3XKSA1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 650V 2A X2 TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 2A（Tc） 55W（Tc） TO-220
  
  型号：IXTP2N65X2
  仓库库存编号：IXTP2N65X2-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 950V 3.5A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 3.5A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF5N95K5
  仓库库存编号：497-14274-5-ND
  别名：497-14274-5
  STF5N95K5-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 14.5A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 14.5A（Tc） 156W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP15N50E-GE3
  仓库库存编号：SIHP15N50E-GE3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET P-CH 65V 28A TO-263
  详细描述：表面贴装 P 沟道 28A（Tc） 83W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA28P065T
  仓库库存编号：IXTA28P065T-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 5A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 5A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） I2PAK
  
  型号：IRF830ALPBF
  仓库库存编号：IRF830ALPBF-ND
  别名：*IRF830ALPBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 12A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 156W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP12N65E-GE3
  仓库库存编号：SIHP12N65E-GE3-ND
  别名：SIHP12N65E-GE3CT
  SIHP12N65E-GE3CT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 11A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 110W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：STU13N60M2
  仓库库存编号：497-13885-5-ND
  别名：497-13885-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 10.5A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.5A（Tc） 114W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：SIHB12N50E-GE3
  仓库库存编号：SIHB12N50E-GE3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 6A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 31W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：SIHF6N65E-GE3
  仓库库存编号：SIHF6N65E-GE3-ND
  别名：SIHF6N65E-GE3CT
  SIHF6N65E-GE3CT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 800V 25A BU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 3.5A Through Hole isoCINK+? BU
  
  型号：BU2508-E3/45
  仓库库存编号：BU2508-E3/45GI-ND
  别名：BU2508-E3/45-ND
  BU2508-E3/45GI
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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