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• Diodes Incorporated
  TRANS PNP 25V 3A SOT23
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 25V 3A 725mW Surface Mount SOT-23
  
  型号：ZXTP749FTA
  仓库库存编号：ZXTP749FTACT-ND
  别名：ZXTP749FTACT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 3.5W（Ta），7.8W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4630DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4630DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4630DY-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  无铅
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.5A（Tc） 85W（Tc） DPAK
  
  型号：STD10N60M2
  仓库库存编号：497-13937-1-ND
  别名：497-13937-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 900 V, 0.25 OHM TYP.,
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Tc） 60W（Tc） DPAK
  
  型号：STD4N90K5
  仓库库存编号：497-17069-1-ND
  别名：497-17069-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 20V 3.9A 6-MFP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 3.9A 1W Surface Mount 6-Micro Foot?
  
  型号：SI8902EDB-T2-E1
  仓库库存编号：SI8902EDB-T2-E1CT-ND
  别名：SI8902EDB-T2-E1CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4378DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4378DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4378DY-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 500 V, 0.35 OHM TYP.,
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 110W（Tc） DPAK
  
  型号：STD12N50DM2
  仓库库存编号：497-16347-1-ND
  别名：497-16347-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.8A（Ta） 1.8W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7464DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7464DP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7464DP-T1-E3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.8A（Ta） 1.8W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7464DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7464DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7464DP-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GPP 1A 200V 50NS 4DIP
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 1A Through Hole DFM
  
  型号：EDF1DM-E3/45
  仓库库存编号：EDF1DM-E3/45GI-ND
  别名：EDF1DM-E3/45-ND
  EDF1DM-E3/45GI
  EDF1DME345
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 650V 4A ITO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 8.35W（Ta） ITO-220AB
  
  型号：DMG4N65CTI
  仓库库存编号：DMG4N65CTIDI-ND
  别名：DMG4N65CTIDI
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  含铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR476DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR476DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR476DP-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 78W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：SIHB6N65E-GE3
  仓库库存编号：SIHB6N65E-GE3CT-ND
  别名：SIHB6N65E-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 5W（Ta），48W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7634BDP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7634BDP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7634BDP-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 2A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 2A（Tc） 45W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：STU3LN80K5
  仓库库存编号：497-17295-ND
  别名：497-17295
  STU3LN80K5-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N CH 650V 4A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 2.19W（Ta） TO-220-3
  
  型号：DMG4N65CT
  仓库库存编号：DMG4N65CTDI-ND
  别名：DMG4N65CTDI
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  IC REG BUCK SYNC 35A 40QFN
  详细描述：Half Bridge Driver Synchronous Buck Converters Power MOSFET 40-QFN (6x6)
  
  型号：NCP5369MNR2G
  仓库库存编号：NCP5369MNR2GOSCT-ND
  别名：NCP5369MNR2GOSCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GPP 1PH 3A 800V GBPC1
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 2A Through Hole GBPC1
  
  型号：GBPC108-E4/51
  仓库库存编号：GBPC108-E4/51-ND
  别名：GBPC108E451
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 3A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 60W（Tc） TO-220
  
  型号：STP4LN80K5
  仓库库存编号：497-17294-ND
  别名：497-17294
  STP4LN80K5-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GPP 1PH 4A 200V GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 2.3A Through Hole GBU
  
  型号：G3SBA20-E3/51
  仓库库存编号：G3SBA20-E3/51GI-ND
  别名：G3SBA20-E3/51-ND
  G3SBA20-E3/51GI
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Comchip Technology
  RECTIFIER BRIDGE 4A 1000V KBL
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 4A Through Hole KBL
  
  型号：KBL410-G
  仓库库存编号：641-1686-ND
  别名：641-1686
  KBL410-G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220 FLPK
  详细描述：通孔 N 沟道 5.3A（Tc） 30W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：SIHF5N50D-E3
  仓库库存编号：SIHF5N50D-E3-ND
  别名：SIHF5N50D-E3CT
  SIHF5N50D-E3CT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 12A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 278W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT12N60
  仓库库存编号：785-1192-5-ND
  别名：785-1192-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  RECT BRIDGE GPP 6A 50V GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 6A Through Hole GBU
  
  型号：GBU6005
  仓库库存编号：GBU6005-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 30A 42W TO-220F
  详细描述：IGBT NPT 600V 30A 42W Through Hole TO-220F-3
  
  型号：FGPF15N60UNDF
  仓库库存编号：FGPF15N60UNDF-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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