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IXYS
MOSFET N-CH 500V 78A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 78A（Tc） 1130W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX78N50P3
仓库库存编号：
IXFX78N50P3-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 22A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 23A（Tc） 625W（Tc） TO-247 [B]
型号：
APT22F80B
仓库库存编号：
APT22F80B-ND
别名：APT22F80BMI
APT22F80BMI-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
IGBT 600V 143A 625W TO247
详细描述：IGBT PT 600V 143A 625W Through Hole TO-247 [B]
型号：
APT80GA60B
仓库库存编号：
APT80GA60B-ND
别名：APT80GA60BMI
APT80GA60BMI-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 120A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 960W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX120N30T
仓库库存编号：
IXFX120N30T-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 21A 105W TO247
详细描述：IGBT 1200V 21A 105W Through Hole ISO247?
型号：
IXYJ20N120C3D1
仓库库存编号：
IXYJ20N120C3D1-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 64A 480W TO247
详细描述：IGBT 1200V 64A 480W Through Hole TO-247 (IXYH)
型号：
IXYH40N120C3D1
仓库库存编号：
IXYH40N120C3D1-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 67A TO247AD
详细描述：通孔 N 沟道 67A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH67N10
仓库库存编号：
IXTH67N10-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECT BRIDGE 3-PHA 800V 35A D-63
详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 800V 35A QC Terminal D-63
型号：
VS-36MT80
仓库库存编号：
36MT80-ND
别名：*36MT80
36MT80
VS-36MT80-ND
VS36MT80
VS36MT80-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECT BRIDGE 3-PHA 200V 35A D63
详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 200V 35A QC Terminal D-63
型号：
VS-36MT20
仓库库存编号：
VS-36MT20-ND
别名：*36MT20
36MT20
36MT20-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 800V 25A D-63
详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 800V 25A QC Terminal D-63
型号：
VS-26MT80
仓库库存编号：
VS-26MT80GI-ND
别名：*26MT80
26MT80
26MT80-ND
VS-26MT80-ND
VS-26MT80GI
VS26MT80
VS26MT80-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 170A 962W TO264
详细描述：IGBT NPT 1200V 170A 962W Through Hole TO-264
型号：
APT85GR120L
仓库库存编号：
APT85GR120L-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 85A 350W SUPER247
详细描述：IGBT 600V 85A 350W Through Hole SUPER-247 (TO-274AA)
型号：
IRG4PSC71KDPBF
仓库库存编号：
IRG4PSC71KDPBF-ND
别名：*IRG4PSC71KDPBF
SP001544764
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 170A 962W TO247
详细描述：IGBT NPT 1200V 170A 962W Through Hole T-MAX?
型号：
APT85GR120B2
仓库库存编号：
APT85GR120B2-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N/P-CH 200V 26A/17A I4PAC
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 200V 26A, 17A 125W Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
型号：
FMP26-02P
仓库库存编号：
FMP26-02P-ND
别名：FMP2602P
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 64A 357W TMAX
详细描述：IGBT NPT 1200V 64A 357W Through Hole
型号：
APT33GF120B2RDQ2G
仓库库存编号：
APT33GF120B2RDQ2G-ND
别名：APT33GF120B2RDQ2GMI
APT33GF120B2RDQ2GMI-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 110A PLUS264
详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 1890W（Tc） PLUS264?
型号：
IXFB110N60P3
仓库库存编号：
IXFB110N60P3-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Analog Devices Inc.
TRANS 2NPN 45V 0.025A TO78-6
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) Matched Pair 45V 25mA 450MHz 500mW Through Hole TO-78-6
型号：
MAT01GH
仓库库存编号：
MAT01GH-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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IXYS
IGBT 600V 200A 695W TO264
详细描述：IGBT PT 600V 200A 695W Through Hole TO-264 (IXXK)
型号：
IXXK100N60B3H1
仓库库存编号：
IXXK100N60B3H1-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 24A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 1000W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK24N100Q3
仓库库存编号：
IXFK24N100Q3-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
IGBT N-CHAN 150A 600V ISOTOP
详细描述：IGBT Module Single 600V 200A 600W Chassis Mount ISOTOP
型号：
STGE200NB60S
仓库库存编号：
497-6731-5-ND
别名：497-6731-5
STGE200NB60S-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 40VWM 64.5VC PLAD
型号：
MPLAD15KP40AE3
仓库库存编号：
1086-7261-ND
别名：1086-7261
1086-7261-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 112A 356W SOT-227
详细描述：IGBT Module PT Single 600V 112A 356W Chassis Mount ISOTOP?
型号：
APT60GA60JD60
仓库库存编号：
APT60GA60JD60-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 44A PLUS264
详细描述：通孔 N 沟道 44A（Tc） 1560W（Tc） PLUS264?
型号：
IXFB44N100Q3
仓库库存编号：
IXFB44N100Q3-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 44A SOT227
详细描述：底座安装 N 沟道 44A（Tc） 450W（Tc） SOT-227
型号：
APT5010JVRU2
仓库库存编号：
APT5010JVRU2-ND
别名：APT5010JVRU2MI
APT5010JVRU2MI-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 70A PLUS264
详细描述：通孔 N 沟道 70A（Tc） 890W（Tc） PLUS264?
型号：
IXFB70N60Q2
仓库库存编号：
IXFB70N60Q2-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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