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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE 1PH 35A 200V GBPC-W
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 35A Through Hole GBPC-W
  
  型号：GBPC3502W-E4/51
  仓库库存编号：GBPC3502W-E4/51GI-ND
  别名：GBPC3502W-E4/51-ND
  GBPC3502W-E4/51GI
  GBPC3502WE451
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 24A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF28N60M2
  仓库库存编号：497-14216-5-ND
  别名：497-14216-5
  STF28N60M2-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 1200V 40A 180W TO263
  详细描述：IGBT PT 1200V 40A 180W Surface Mount TO-263 (IXGA)
  
  型号：IXGA20N120A3
  仓库库存编号：IXGA20N120A3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 900V 15A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 35W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：IPA90R340C3
  仓库库存编号：IPA90R340C3-ND
  别名：IPA90R340C3XKSA1
  SP000415916
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 22A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 205W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FCP22N60N
  仓库库存编号：FCP22N60N-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 24.3A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 24.3A（Tc） 240W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：SPW24N60C3
  仓库库存编号：SPW24N60C3IN-ND
  别名：SP000014695
  SPW24N60C3-ND
  SPW24N60C3FKSA1
  SPW24N60C3IN
  SPW24N60C3X
  SPW24N60C3XK
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 500V 10A TO-3P
  详细描述：通孔 P 沟道 10A（Tc） 300W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ10P50P
  仓库库存编号：IXTQ10P50P-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 1200V 57A 200W TO247AC
  详细描述：IGBT 1200V 57A 200W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRG4PH50SPBF
  仓库库存编号：IRG4PH50SPBF-ND
  别名：*IRG4PH50SPBF
  SP001533562
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 200V 35A D-34A
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 35A QC Terminal D-34
  
  型号：VS-36MB20A
  仓库库存编号：36MB20A-ND
  别名：*36MB20A
  36MB20A
  VS-36MB20A-ND
  VS36MB20A
  VS36MB20A-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 200V 25A D-34A
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 25A QC Terminal D-34
  
  型号：VS-26MB20A
  仓库库存编号：26MB20A-ND
  别名：*26MB20A
  26MB20A
  VS-26MB20A-ND
  VS26MB20A
  VS26MB20A-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 120A 298W TO247
  详细描述：IGBT Field Stop 600V 120A 298W Through Hole TO-247
  
  型号：FGH60N60UFDTU
  仓库库存编号：FGH60N60UFDTU-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 6A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP6N100D2
  仓库库存编号：IXTP6N100D2-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 1200V 54A 390W TO247
  详细描述：IGBT NPT 1200V 54A 390W Through Hole TO-247
  
  型号：HGTG18N120BND
  仓库库存编号：HGTG18N120BND-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 600V 35A D-34A
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 35A QC Terminal D-34
  
  型号：VS-36MB60A
  仓库库存编号：36MB60A-ND
  别名：*36MB60A
  36MB60A
  VS-36MB60A-ND
  VS36MB60A
  VS36MB60A-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 7A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 335W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT7F120B
  仓库库存编号：APT7F120B-ND
  别名：APT7F120BMI
  APT7F120BMI-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 50A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 1040W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH50N60P3
  仓库库存编号：IXFH50N60P3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 110A 446W TO247
  详细描述：IGBT NPT 600V 110A 446W Through Hole TO-247 [B]
  
  型号：APT50GT60BRDQ2G
  仓库库存编号：APT50GT60BRDQ2G-ND
  别名：APT50GT60BRDQ2GMI
  APT50GT60BRDQ2GMI-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 88A 500W TO247
  详细描述：IGBT NPT 1200V 88A 500W Through Hole TO-247-3
  
  型号：APT40GR120B
  仓库库存编号：APT40GR120B-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 900V 75A 400W TO247AD
  详细描述：IGBT PT 900V 75A 400W Through Hole TO-247AD (IXGH)
  
  型号：IXGH50N90B2D1
  仓库库存编号：IXGH50N90B2D1-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 9A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 180W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH9N80
  仓库库存编号：IXFH9N80-ND
  别名：Q3837074
  Q4932885
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 7A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 180W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH7N80
  仓库库存编号：IXFH7N80-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 6A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 180W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH6N100Q
  仓库库存编号：IXFH6N100Q-ND
  别名：478547
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 75A 521W D3PAK
  详细描述：IGBT NPT 1200V 75A 521W Surface Mount D3Pak
  
  型号：APT25GR120SD15
  仓库库存编号：APT25GR120SD15-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 88A 500W D3PAK
  详细描述：IGBT NPT 1200V 88A 500W Surface Mount D3Pak
  
  型号：APT40GR120S
  仓库库存编号：APT40GR120S-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 85A 350W SUPER247
  详细描述：IGBT 600V 85A 350W Through Hole SUPER-247 (TO-274AA)
  
  型号：IRG4PSC71UDPBF
  仓库库存编号：IRG4PSC71UDPBF-ND
  别名：*IRG4PSC71UDPBF
  SP001545818
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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