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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 9A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 280W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA9N90C_F109
  仓库库存编号：FQA9N90C_F109-ND
  别名：FQA9N90CF109
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 17A 45W TO220FP
  详细描述：IGBT 600V 17A 45W Through Hole TO-220AB Full-Pak
  
  型号：IRG4IBC30WPBF
  仓库库存编号：IRG4IBC30WPBF-ND
  别名：*IRG4IBC30WPBF
  SP001533652
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 5VWM 11VC 8SO
  
  型号：SMDA05C/TR7
  仓库库存编号：SMDA05C/TR7TR-ND
  别名：SMDA05C/TR7TR
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 5VWM 11VC 8SO
  
  型号：SMDA05C/TR7
  仓库库存编号：SMDA05C/TR7CT-ND
  别名：SMDA05C-ND
  SMDA05CMS
  SMDA05CMS-ND
  SMDA05CMSE3
  SMDA05CMSE3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 17.5A（Tc） 151W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP65R190CFDXKSA1
  仓库库存编号：IPP65R190CFDXKSA1-ND
  别名：IPP65R190CFD
  IPP65R190CFD-ND
  SP000881160
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 9.9A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 9.9A（Tc） 40W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRLI640GPBF
  仓库库存编号：IRLI640GPBF-ND
  别名：*IRLI640GPBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 2.5A（Tc） 35W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFIBC30GPBF
  仓库库存编号：IRFIBC30GPBF-ND
  别名：*IRFIBC30GPBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 80A 290W TO247
  详细描述：IGBT Field Stop 600V 80A 290W Through Hole TO-247
  
  型号：FGH40N60SFDTU
  仓库库存编号：FGH40N60SFDTU-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 24A 40W TO220FP
  详细描述：IGBT 600V 24A 40W Through Hole TO-220FP
  
  型号：STGF20NB60S
  仓库库存编号：497-12596-5-ND
  别名：497-12596-5
  STGF20NB60S-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 33A TO-3PN
  详细描述：通孔 N 沟道 33A（Tc） 245W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FDA33N25
  仓库库存编号：FDA33N25-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  IC MOSFET DRVR SGL HS 9A 8-MSOP
  详细描述：Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-MSOP-PowerPad
  
  型号：UCC37322DGN
  仓库库存编号：296-13688-5-ND
  别名：296-13688-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 11A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 125W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP11N60C3XKSA1
  仓库库存编号：SPP11N60C3XKSA1-ND
  别名：SP000681040
  SPP11N60C3
  SPP11N60C3BKSA1
  SPP11N60C3IN
  SPP11N60C3IN-ND
  SPP11N60C3X
  SPP11N60C3XIN
  SPP11N60C3XIN-ND
  SPP11N60C3XK
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 6.2A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 6.2A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STP8NK80ZFP
  仓库库存编号：497-5982-5-ND
  别名：497-5982-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 12VWM 24VC 8SO
  
  型号：SM8LC12/TR7
  仓库库存编号：SM8LC12/TR7CT-ND
  别名：SM8LC12/TR7CT
  SM8LC12E3MSCT
  SM8LC12E3MSCT-ND
  SM8LC12MS
  SM8LC12MS-ND
  SM8LC12MSCT
  SM8LC12MSCT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 含铅
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 15VWM 30VC 8SO
  
  型号：SM8LC15/TR7
  仓库库存编号：SM8LC15/TR7CT-ND
  别名：SM8LC15/TR7CT
  SM8LC15E3MSCT
  SM8LC15E3MSCT-ND
  SM8LC15MS
  SM8LC15MS-ND
  SM8LC15MSCT
  SM8LC15MSCT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 20A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 417W（Tc） TO-247
  
  型号：AOK20N60L
  仓库库存编号：785-1532-5-ND
  别名：AOK20N60L-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 16A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP16N50P
  仓库库存编号：IXTP16N50P-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 5.7A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 5.7A（Tc） 40W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFI740GLCPBF
  仓库库存编号：IRFI740GLCPBF-ND
  别名：*IRFI740GLCPBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 25A 50V GBPC
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 25A QC Terminal GBPC
  
  型号：GBPC25005-E4/51
  仓库库存编号：GBPC25005-E4/51GI-ND
  别名：GBPC25005-E4/51GI
  GBPC25005E451
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE 1PH 15A 50V GBPC
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 15A QC Terminal GBPC
  
  型号：GBPC15005-E4/51
  仓库库存编号：GBPC15005-E4/51-ND
  别名：GBPC15005E451
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE 1PH 15A 600V GBPC-W
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 15A Through Hole GBPC-W
  
  型号：GBPC1506W-E4/51
  仓库库存编号：GBPC1506W-E4/51GI-ND
  别名：GBPC1506W-E4/51-ND
  GBPC1506W-E4/51GI
  GBPC1506WE451
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 500V 29A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 29A（Tc） 357W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT29S50L
  仓库库存编号：785-1440-5-ND
  别名：785-1440-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 1.5A（Tc） 54W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP1N100
  仓库库存编号：IXTP1N100-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 35A 400V GBPC-W
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 35A Through Hole GBPC-W
  
  型号：GBPC3504W-E4/51
  仓库库存编号：GBPC3504W-E4/51GI-ND
  别名：GBPC3504W-E4/51GI
  GBPC3504W/1
  GBPC3504W/1GI
  GBPC3504W/1GI-ND
  GBPC3504WE451
  GBPC3504WGI
  GBPC3504WGI-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 35A 600V GBPCW
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 35A Through Hole GBPC-W
  
  型号：GBPC3506W-E4/51
  仓库库存编号：GBPC3506W-E4/51GI-ND
  别名：GBPC3506W-E4/1
  GBPC3506W-E4/1-ND
  GBPC3506W-E4/1GI
  GBPC3506W-E4/1GI-ND
  GBPC3506W-E4/51GI
  GBPC3506WE451
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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