规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GPP 1PH 4A 100V GPP GBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 3A Through Hole GBU
型号：
GBU4B-E3/51
仓库库存编号：
GBU4B-E3/51-ND
别名：GBU4BE351
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 4A 800V GBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 3A Through Hole GBU
型号：
GBU4K-E3/45
仓库库存编号：
GBU4K-E3/45GI-ND
别名：GBU4K
GBU4K-E3/45-ND
GBU4K-ND
GBU4K/45
GBU4K/45-ND
GBU4KE345
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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ON Semiconductor
IGBT 600V 30A 117W TO220-3
详细描述：IGBT NPT 600V 30A 117W Through Hole TO-220
型号：
NGTB15N60EG
仓库库存编号：
NGTB15N60EGOS-ND
别名：NGTB15N60EG-ND
NGTB15N60EGOS
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
IGBT 600V 25A 80W TO220
详细描述：IGBT 600V 25A 80W Through Hole TO-220AB
型号：
STGP14NC60KD
仓库库存编号：
497-5121-5-ND
别名：497-5121-5
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 8A 600V GBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 3.9A Through Hole GBU
型号：
GBU8J-E3/45
仓库库存编号：
GBU8J-E3/45GI-ND
别名：GBU8J
GBU8J-E3/45-ND
GBU8J-E3/45GI
GBU8J-ND
GBU8J/45
GBU8J/45-ND
GBU8JE345
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 8A 400V GBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 3.9A Through Hole GBU
型号：
GBU8G-E3/45
仓库库存编号：
GBU8G-E3/45GI-ND
别名：GBU8G
GBU8G-E3/45-ND
GBU8G-E3/45GI
GBU8G-ND
GBU8G/45
GBU8G/45-ND
GBU8GE345
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GPP 8A 200V GPP INLINE GBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 3.9A Through Hole GBU
型号：
GBU8D-E3/45
仓库库存编号：
GBU8D-E3/45GI-ND
别名：GBU8D-E3/45-ND
GBU8DE345
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 8A 800V GBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 3.9A Through Hole GBU
型号：
GBU8K-E3/45
仓库库存编号：
GBU8K-E3/45GI-ND
别名：GBU8K
GBU8K-E3/45-ND
GBU8K-E3/45GI
GBU8K-ND
GBU8K/45
GBU8K/45-ND
GBU8KE345
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 7.5A（Tc） 85W（Tc） I-Pak
型号：
STU10N60M2
仓库库存编号：
497-13977-5-ND
别名：497-13977-5
STU10N60M2-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE 15A 400V GSIB-5S
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 3.5A Through Hole GSIB-5S
型号：
GSIB1540-E3/45
仓库库存编号：
GSIB1540-E3/45GI-ND
别名：GSIB1540-E3/45-ND
GSIB1540-E3/45GI
GSIB1540E345
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Diodes Incorporated
RECT BRIDGE GPP 10A 400V GBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 10A Through Hole GBU
型号：
GBU1004
仓库库存编号：
GBU1004DI-ND
别名：GBU1004-ND
GBU1004DI
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
IGBT 1200V 6A 25W TO220FP
详细描述：IGBT 1200V 6A 25W Through Hole TO-220FP
型号：
STGF3NC120HD
仓库库存编号：
497-4353-5-ND
别名：497-4353-5
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Diodes Incorporated
RECT BRIDGE GPP 400V 20A GBJ
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 20A Through Hole GBJ
型号：
GBJ2004-F
仓库库存编号：
GBJ2004-FDI-ND
别名：GBJ2004-FDI
GBJ2004F
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Diodes Incorporated
RECT BRIDGE GPP 10A 1000V GBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 10A Through Hole GBU
型号：
GBU1010
仓库库存编号：
GBU1010DI-ND
别名：GBU1010-ND
GBU1010DI
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Texas Instruments
IC VREF SERIES 4.096V SOT5
详细描述：系列 电压基准 IC ±0.1% 20mA SOT-23-5
型号：
REF1941AIDDCT
仓库库存编号：
296-38445-1-ND
别名：296-38445-1
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 650V 25A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Tc） 357W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
AOB25S65L
仓库库存编号：
785-1539-1-ND
别名：785-1539-1
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Micro Commercial Co
IC RECT BRIDGE GPP 35A 400V GBJ
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 35A Through Hole GBJ
型号：
GBJ3504-BP
仓库库存编号：
GBJ3504-BPMS-ND
别名：GBJ3504-BPMS
GBJ3504BP
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE 1PH 6A 400V GBPC6
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 3A Through Hole GBPC6
型号：
GBPC604-E4/51
仓库库存编号：
GBPC604-E4/51GI-ND
别名：GBPC604-E4/51-ND
GBPC604-E4/51GI
GBPC604E451
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE 1PH 6A 50V GBPC6
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 3A Through Hole GBPC6
型号：
GBPC6005-E4/51
仓库库存编号：
GBPC6005-E4/51GI-ND
别名：GBPC6005-E4/51-ND
GBPC6005-E4/51GI
GBPC6005E451
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 6A 200V GBPC6
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 3A Through Hole GBPC6
型号：
GBPC602-E4/51
仓库库存编号：
GBPC602-E4/51GI-ND
别名：GBPC602
GBPC602-E4/51GI
GBPC602-ND
GBPC602/1
GBPC602/1-ND
GBPC602/1GI
GBPC602/1GI-ND
GBPC602E451
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 6A 800V GBPC6
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 3A Through Hole GBPC6
型号：
GBPC608-E4/51
仓库库存编号：
GBPC608-E4/51GI-ND
别名：GBPC608-E4/51-ND
GBPC608-E4/51GI
GBPC608E451
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 3.6A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFBF30PBF
仓库库存编号：
IRFBF30PBF-ND
别名：*IRFBF30PBF
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
IGBT 600V 35A 125W TO220
详细描述：IGBT 600V 35A 125W Through Hole TO-220
型号：
STGP19NC60KD
仓库库存编号：
497-8439-5-ND
别名：497-8439-5
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
IGBT 600V 16A 32W TO220FP
详细描述：IGBT 600V 16A 32W Through Hole TO-220FP
型号：
STGF19NC60HD
仓库库存编号：
497-5740-ND
别名：497-5740
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.6A（Tc） 100W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
IXTY1R6N100D2
仓库库存编号：
IXTY1R6N100D2-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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