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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GPP 1A 200V 50NS 4SMD
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 1A Surface Mount DFS
  
  型号：EDF1DS-E3/77
  仓库库存编号：EDF1DS-E3/77GICT-ND
  别名：EDF1DS-E3/77GICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 10A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：IRF8910TRPBF
  仓库库存编号：IRF8910PBFCT-ND
  别名：*IRF8910TRPBF
  IRF8910PBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TRANS PNP 140V 3A SOT-89
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 140V 3A 120MHz 2.1W Surface Mount SOT-89-3
  
  型号：ZX5T955ZTA
  仓库库存编号：ZX5T955ZCT-ND
  别名：ZX5T955ZCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 240V 0.2A SOT89
  详细描述：表面贴装 P 沟道 200mA（Ta） 1.5W（Ta） SOT-89-3
  
  型号：ZVP4424ZTA
  仓库库存编号：ZVP4424ZTACT-ND
  别名：ZVP4424ZTACT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 17A 8DSO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta） 1.56W（Ta） PG-DSO-8
  
  型号：BSO033N03MSGXUMA1
  仓库库存编号：BSO033N03MSGXUMA1CT-ND
  别名：BSO033N03MS GINCT
  BSO033N03MS GINCT-ND
  BSO033N03MSGXUMA1CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 19A 8TSDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），52W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
  
  型号：BSZ034N04LSATMA1
  仓库库存编号：BSZ034N04LSATMA1CT-ND
  别名：BSZ034N04LSATMA1CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  IGBT 600V 10A 54.4W TO252
  详细描述：IGBT 600V 23A 54.4W Surface Mount TO-252, (D-Pak)
  
  型号：AOD5B60D
  仓库库存编号：785-1592-2-ND
  别名：785-1592-2
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 20V 6.6A, 5.3A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：IRF7317TRPBF
  仓库库存编号：IRF7317PBFCT-ND
  别名：*IRF7317TRPBF
  IRF7317PBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 26A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 26A（Tc） 63W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：FDD390N15ALZ
  仓库库存编号：FDD390N15ALZCT-ND
  别名：FDD390N15ALZCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Central Semiconductor Corp
  MOSFET N-CH 100V 2A SOT-89
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Ta） 1.2W（Ta） SOT-89
  
  型号：CXDM1002N TR
  仓库库存编号：CXDM1002N CT-ND
  别名：CXDM1002N CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.9A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP613PH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSP613PH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSP613PH6327XTSA1CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7455TRPBF
  仓库库存编号：IRF7455PBFCT-ND
  别名：*IRF7455TRPBF
  IRF7455PBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 49A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 49A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC117N08NS5ATMA1
  仓库库存编号：BSC117N08NS5ATMA1CT-ND
  别名：BSC117N08NS5ATMA1CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V 16A 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 16A（Tc） 3.6W（Ta），33W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7405BDN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7405BDN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7405BDN-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 35V 15A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta），59A（Tc） 3.8W（Ta），55W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：FDD6635
  仓库库存编号：FDD6635CT-ND
  别名：FDD6635CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 15A 56W DPAK
  详细描述：IGBT 600V 15A 56W Surface Mount D-Pak
  
  型号：STGD6NC60HDT4
  仓库库存编号：497-5112-1-ND
  别名：497-5112-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.8A（Tc） 2.5W（Ta），6W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4100DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4100DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4100DY-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GPP 1A 600V 4DIP
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 1A Through Hole DFM
  
  型号：DF06M-E3/45
  仓库库存编号：DF06M-E3/45GI-ND
  别名：DF06M-E3/45-ND
  DF06M-E3/45GI
  DF06ME345
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Ta），26A（Tc） 2.5W（Ta），48W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
  
  型号：FDMS86105
  仓库库存编号：FDMS86105CT-ND
  别名：FDMS86105CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 25A, 30A 22W, 40W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
  
  型号：SI7998DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7998DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7998DP-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 35A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7623DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7623DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7623DN-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  TRANS PNP DARL 100V 4A TO225
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100V 4A 40W Through Hole TO-225AA
  
  型号：BD682T
  仓库库存编号：BD682T-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 1.9A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 1.9A（Tc） 2.5W（Ta），44W（Tc） I-Pak
  
  型号：FQU2N60CTU
  仓库库存编号：FQU2N60CTU-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 23A 6-PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 156W（Tc） PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH7085TRPBF
  仓库库存编号：IRFH7085TRPBFCT-ND
  别名：IRFH7085TRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 10.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 10.5A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4413ADY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4413ADY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4413ADY-T1-E3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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