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• IXYS
  THYRISTOR PHASE ISO247
  详细描述：TRIAC Standard 1200V (1.2kV) 88A Through Hole ISO247
  
  型号：CLA80MT1200NHR
  仓库库存编号：CLA80MT1200NHR-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 1200V 90A 625W TO247
  详细描述：IGBT 1200V 90A 625W Through Hole TO-247 (IXYH)
  
  型号：IXYH50N120C3D1
  仓库库存编号：IXYH50N120C3D1-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 47A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 47A（Tc） 415W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：SPW47N60C3
  仓库库存编号：SPW47N60C3IN-ND
  别名：SP000013953
  SPW47N60C3FKSA1
  SPW47N60C3IN
  SPW47N60C3X
  SPW47N60C3XK
  SPW47N60C3XTIN
  SPW47N60C3XTIN-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 69A 417W TO247
  详细描述：IGBT PT 1200V 69A 417W Through Hole TO-247 [B]
  
  型号：APT25GP120BDQ1G
  仓库库存编号：APT25GP120BDQ1G-ND
  别名：APT25GP120BDQ1GMI
  APT25GP120BDQ1GMI-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 70V 110A TO-264AA
  详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 500W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK110N07
  仓库库存编号：IXFK110N07-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECT BRIDGE 3-PHA 400V 35A D-63
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 400V 35A QC Terminal D-63
  
  型号：VS-36MT40
  仓库库存编号：36MT40-ND
  别名：*36MT40
  36MT40
  VS-36MT40-ND
  VS36MT40
  VS36MT40-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECT BRIDGE 3-PHA 1000V 35A D63
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1000V 35A QC Terminal D-63
  
  型号：VS-36MT100
  仓库库存编号：36MT100-ND
  别名：*36MT100
  36MT100
  VS-36MT100-ND
  VS36MT100
  VS36MT100-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 600V 32A PLUS247
  详细描述：通孔 P 沟道 32A（Tc） 890W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXTX32P60P
  仓库库存编号：IXTX32P60P-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Linear Technology
  IC REG BUCK BOOST ADJ 1.5A 14DFN
  详细描述：可调式 降压升压 开关稳压器 IC 正 2.5V 1 输出 1.5A 14-WFDFN 裸露焊盘
  
  型号：LTC3111MPDE#PBF
  仓库库存编号：LTC3111MPDE#PBF-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Linear Technology
  IC REG BUCK ADJ 2A 10MSOP
  详细描述：可调式 降压 开关稳压器 IC 正 0.79V 1 输出 2A 10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）裸露焊盘
  
  型号：LT3480MPMSE#PBF
  仓库库存编号：LT3480MPMSE#PBF-ND
  别名：LT3480MPMSEPBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
  详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 446W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW65R019C7FKSA1
  仓库库存编号：IPW65R019C7FKSA1-ND
  别名：SP000928646
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 29A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 29A（Tc） 1135W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT28M120B2
  仓库库存编号：APT28M120B2-ND
  别名：APT28M120B2MI
  APT28M120B2MI-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N CH 600V 98A MAX247
  详细描述：通孔 N 沟道 98A（Tc） 625W（Tc） MAX247?
  
  型号：STY100NM60N
  仓库库存编号：497-13289-5-ND
  别名：497-13289-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Cree/Wolfspeed
  MOSFET N-CH SIC 1KV 35A D2PAK-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 113.5W（Tc） D2PAK-7
  
  型号：C3M0065100J
  仓库库存编号：C3M0065100J-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1KV 24A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 24A（Tc） 568W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN24N100
  仓库库存编号：IXFN24N100-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 4500V 0.2A I4PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 200mA（Tc） 78W（Tc） ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：IXTF02N450
  仓库库存编号：IXTF02N450-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 85A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 85A（Tc） TO-264A
  
  型号：IXKK85N60C
  仓库库存编号：IXKK85N60C-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 600V 175A 520W SMPD
  详细描述：IGBT 600V 175A 520W Surface Mount 24-SMPD
  
  型号：MMIX1X200N60B3H1
  仓库库存编号：MMIX1X200N60B3H1-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 41A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 42A（Tc） 960W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT41F100J
  仓库库存编号：APT41F100J-ND
  别名：APT41F100JMI
  APT41F100JMI-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  TVS DIODE 14VWM 28VC TSSLP2-3
  
  型号：ESD204B102ELSE6327XTSA1
  仓库库存编号：ESD204B102ELSE6327XTSA1CT-ND
  别名：ESD204B102ELSE6327XTSA1CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  DIODE SCHOTTKY DUAL 7V SOT-323
  详细描述：RF Diode Schottky - 1 Pair Series Connection 7V 200mW SC-70-3 (SOT323)
  
  型号：MMBD352WT1G
  仓库库存编号：MMBD352WT1GOSCT-ND
  别名：MMBD352WT1GOSCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TRANS NPN 12V 1.5A SOT-323
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 12V 1.5A 260MHz 300mW Surface Mount SOT-323
  
  型号：2DD2652-7
  仓库库存编号：2DD2652DICT-ND
  别名：2DD2652DICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TRANS NPN 45V 0.1A SOT-523
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 45V 100mA 100MHz 150mW Surface Mount SOT-523
  
  型号：BC847CT-7-F
  仓库库存编号：BC847CT-7FDICT-ND
  别名：BC847CT-7-FDICT
  BC847CT-7-FDICT-ND
  BC847CT-7FDICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 390mA 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
  
  型号：BSD223PH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSD223PH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSD223PH6327XTSA1CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TRANS NPN 40V 2A SOT-563
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 40V 2A 150MHz 600mW Surface Mount SOT-563
  
  型号：DSS4240V-7
  仓库库存编号：DSS4240VDICT-ND
  别名：DSS4240VDICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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