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• Fairchild/ON Semiconductor
  TRANS NPN 45V 0.5A TO-92
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 45V 500mA 250MHz 625mW Through Hole TO-92-3
  
  型号：PN100A
  仓库库存编号：PN100A-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 2.5A 1.8W Surface Mount 8-SO
  
  型号：ZXMN6A11DN8TA
  仓库库存编号：ZXMN6A11DN8CT-ND
  别名：ZXMN6A11DN8CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.8A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD2N80TM
  仓库库存编号：FQD2N80TMCT-ND
  别名：FQD2N80TMCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  TVS DIODE 15VWM 24.4VC SMC
  
  型号：SMCG15A-E3/57T
  仓库库存编号：SMCG15A-E3/57TGICT-ND
  别名：SMCG15A-E3/57TGICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  TVS DIODE 36VWM 58.1VC SMC
  
  型号：SMCG36A-E3/57T
  仓库库存编号：SMCG36A-E3/57TGICT-ND
  别名：SMCG36A-E3/57TGICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  TVS DIODE 6VWM 10.3VC SMC
  
  型号：SMCG6.0A-E3/57T
  仓库库存编号：SMCG6.0A-E3/57TGICT-ND
  别名：SMCG6.0A-E3/57TGICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 1.6A 1.25W Surface Mount 8-SO
  
  型号：ZXMN10A08DN8TA
  仓库库存编号：ZXMN10A08DN8TACT-ND
  别名：ZXMN10A08DN8TACT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），63W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ160N10NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSZ160N10NS3GATMA1CT-ND
  别名：BSZ160N10NS3 GINCT
  BSZ160N10NS3 GINCT-ND
  BSZ160N10NS3GATMA1CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.8A（Tc） 2.5W（Ta），6W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4100DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4100DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4100DY-T1-E3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  RECTIFIER BRIDGE 1A 400V DB-1
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 1A Through Hole DB-1
  
  型号：DB104-BP
  仓库库存编号：DB104-BPMS-ND
  别名：DB104-BPMS
  DB104BP
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 100V 100A 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 3.2W（Ta），96W（Tc） 8-VSON（5x6）
  
  型号：CSD19533Q5A
  仓库库存编号：296-37479-1-ND
  别名：296-37479-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  含铅
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 60V 13A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta），80A（Tc） 2.3W（Ta），83W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6246
  仓库库存编号：785-1337-1-ND
  别名：785-1337-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GPP 1A 400V 4DIP
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 1A Through Hole DFM
  
  型号：DF04M-E3/45
  仓库库存编号：DF04M-E3/45GI-ND
  别名：DF04M-E3/45-ND
  DF04M-E3/45GI
  DF04ME345
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 12.1A 8SO
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 12.1A 3.7W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4202DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4202DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4202DY-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  RECTIFIER BRIDGE 1A 100V DB-1
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 1A Through Hole DB-1
  
  型号：DB102-BP
  仓库库存编号：DB102-BPMS-ND
  别名：DB102-BPMS
  DB102BP
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SIS890DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS890DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SIS890DN-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 20V 47A 8DFN
  详细描述：表面贴装 P 沟道 47A（Ta），85A（Tc） 7.3W（Ta），156W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6411
  仓库库存编号：785-1495-1-ND
  别名：785-1495-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 2A 1000V WOG
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 2A Through Hole WOG
  
  型号：2W10G-E4/51
  仓库库存编号：2W10G-E4/51GI-ND
  别名：2W10G
  2W10G-E4/51-ND
  2W10G-E4/51GI
  2W10G/1
  2W10G/1-ND
  2W10GE451
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 1.5A 800V WOG
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 1.5A Through Hole WOG
  
  型号：W08G-E4/51
  仓库库存编号：W08G-E4/51GI-ND
  别名：W08G-E4/1
  W08G-E4/1-ND
  W08G-E4/1GI
  W08G-E4/1GI-ND
  W08G-E4/1TR
  W08G-E4/1TR-ND
  W08G-E4/51GI
  W08GE4/51GI-ND
  W08GE451
  W08GHE4/51
  W08GHE4/51GI
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GPP 1A 50V 4SMD
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 1A Surface Mount DFS
  
  型号：DF005S-E3/45
  仓库库存编号：DF005S-E3/45GI-ND
  别名：DF005S-E3/45-ND
  DF005S-E3/45GI
  DF005SE345
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 19.7A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19.7A（Tc） 3.5W（Ta），7.8W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4090DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4090DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4090DY-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
  
  型号：BSZ097N10NS5ATMA1
  仓库库存编号：BSZ097N10NS5ATMA1CT-ND
  别名：BSZ097N10NS5ATMA1CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET 2N-CH 60V 5A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 5A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：STS5DNF60L
  仓库库存编号：497-15672-1-ND
  别名：497-15672-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 19A 8TSDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
  
  型号：BSZ042N06NSATMA1
  仓库库存编号：BSZ042N06NSATMA1CT-ND
  别名：BSZ042N06NS
  BSZ042N06NS-ND
  BSZ042N06NSATMA1CT
  BSZ042N06NSCT
  BSZ042N06NSCT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 19A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC039N06NSATMA1
  仓库库存编号：BSC039N06NSATMA1CT-ND
  别名：BSC039N06NS
  BSC039N06NS-ND
  BSC039N06NSATMA1CT
  BSC039N06NSCT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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