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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 150V 1A 6-MLP
详细描述：表面贴装 P 沟道 1A（Ta） 2.4W（Ta） 6-MicroFET（2x2）
型号：
FDMA86265P
仓库库存编号：
FDMA86265PCT-ND
别名：FDMA86265PCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 60V 7.7A POWERDI3333
详细描述：表面贴装 P 沟道 7.7A（Ta） 1W（Ta） PowerDI3333-8
型号：
DMP6023LFG-7
仓库库存编号：
DMP6023LFG-7DICT-ND
别名：DMP6023LFG-7DICT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 1.1A SSOT-6
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.1A（Ta） 1.6W（Ta） SuperSOT?-6
型号：
FDC2612
仓库库存编号：
FDC2612CT-ND
别名：FDC2612CT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.7A（Tc） 83W（Tc） DPAK
型号：
NDD05N50ZT4G
仓库库存编号：
NDD05N50ZT4GOSCT-ND
别名：NDD05N50ZT4GOSCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 55V 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 55V 4.7A, 3.4A 2W Surface Mount 8-SO
型号：
IRF7343TRPBF
仓库库存编号：
IRF7343PBFCT-ND
别名：*IRF7343TRPBF
IRF7343PBFCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 2.7A 3SSOT
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.7A（Ta） 1.5W（Ta） SuperSOT-3
型号：
FDN8601
仓库库存编号：
FDN8601CT-ND
别名：FDN8601CT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 710MA SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 710mA（Ta） 2W（Ta） SOT-223
型号：
ZVN2106GTA
仓库库存编号：
ZVN2106GCT-ND
别名：ZVN2106G
ZVN2106GCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GPP 1A 100V 50NS 4SMD
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 1A Surface Mount DFS
型号：
EDF1BS-E3/77
仓库库存编号：
EDF1BS-E3/77GICT-ND
别名：EDF1BS-E3/77GICT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 10.5A SOP8L
详细描述：表面贴装 P 沟道 10.5A（Ta） 1.7W（Ta） 8-SOP
型号：
DMG4413LSS-13
仓库库存编号：
DMG4413LSS-13DICT-ND
别名：DMG4413LSS-13DICT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
TVS DIODE 33.3VWM 69.7VC SMB
型号：
SM6T39CAY
仓库库存编号：
497-10806-1-ND
别名：497-10806-1
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Diodes Incorporated
TRANS NPN 30V 6A SOT89
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 30V 6A 140MHz 2.1W Surface Mount SOT-89-3
型号：
ZXTN2007ZTA
仓库库存编号：
ZXTN2007ZCT-ND
别名：ZXTN2007ZCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Diodes Incorporated
TRANS PNP 30V 5.5A SOT89
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 30V 5.5A 110MHz 2.1W Surface Mount SOT-89-3
型号：
ZXTP2008ZTA
仓库库存编号：
ZXTP2008ZCT-ND
别名：ZXTP2008ZCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRFRC20TRPBF
仓库库存编号：
IRFRC20PBFCT-ND
别名：*IRFRC20TRPBF
IRFRC20PBFCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 11.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
FDS6680AS
仓库库存编号：
FDS6680ASCT-ND
别名：FDS6680ASCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 30A SOT-23
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 30A, 40A 16.7W, 31W Surface Mount 8-Power33 (3x3)
型号：
SIZ340DT-T1-GE3
仓库库存编号：
SIZ340DT-T1-GE3CT-ND
别名：SIZ340DT-T1-GE3CT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 500MA SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 500mA（Ta） 2W（Ta） SOT-223
型号：
ZVN2110GTA
仓库库存编号：
ZVN2110GCT-ND
别名：ZVN2110G
ZVN2110GCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Diodes Incorporated
TRANS PNP 30V 5.5A SOT223
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 30V 5.5A 110MHz 3W Surface Mount SOT-223
型号：
ZXTP2008GTA
仓库库存编号：
ZXTP2008GCT-ND
别名：ZXTP2008GCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 20V 20A 8SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
型号：
AO4402
仓库库存编号：
785-1549-1-ND
别名：785-1549-1
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
TRANS NPN 300V 0.5A TO-92
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 300V 500mA 50MHz 625mW Through Hole TO-92-3
型号：
MPSA42
仓库库存编号：
MPSA42FS-ND
别名：MPSA42FS
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 10A SOT-223
详细描述：表面贴装 P 沟道 10A（Ta） 8.3W（Ta） SOT-223（TO-261）
型号：
NVF6P02T3G
仓库库存编号：
NVF6P02T3GOSCT-ND
别名：NVF6P02T3GOSCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Comchip Technology
RECTIFIER BRIDGE 1A 1000V DB
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 1A Through Hole DB
型号：
DB107-G
仓库库存编号：
641-1685-ND
别名：641-1685
DB107-G-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
TVS DIODE 33VWM 59VC SMC
型号：
STIEC45-33ACS
仓库库存编号：
497-16405-1-ND
别名：497-16405-1
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 9.2A 2W Surface Mount 8-SO
型号：
IRF9358TRPBF
仓库库存编号：
IRF9358TRPBFCT-ND
别名：IRF9358TRPBFCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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ON Semiconductor
TVS DIODE 5VWM 12VC 8SOIC
型号：
SRDA05-4R2G
仓库库存编号：
SRDA05-4R2GOSCT-ND
别名：SRDA05-4R2GOSCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 4.2W（Ta），36W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR410DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR410DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR410DP-T1-GE3CT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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