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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 39A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 39A（Tc） 3.5W（Ta），7.8W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4126DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4126DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4126DY-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 8-PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta），75A（Tc） 2.4W（Ta），54W（Tc） Power33
  
  型号：FDMC8010
  仓库库存编号：FDMC8010CT-ND
  别名：FDMC8010CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR870DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR870DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR870DP-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  MOSFET 2N-CH 30V 40A 8LSON
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 40A 12W Surface Mount 8-LSON (5x6)
  
  型号：CSD87353Q5D
  仓库库存编号：296-29661-1-ND
  别名：296-29661-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR826ADP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR826ADP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR826ADP-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 2.5A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF3NK80Z
  仓库库存编号：497-4342-5-ND
  别名：497-4342-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 12V 17A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4838DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4838DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4838DY-T1-E3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 80A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta），130A（Tc） 2.7W（Ta），156W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS86350
  仓库库存编号：FDMS86350CT-ND
  别名：FDMS86350CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 3.1W（Ta），195W（Tc） 8-VSON（5x6）
  
  型号：CSD18540Q5BT
  仓库库存编号：296-37963-1-ND
  别名：296-37963-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 10A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STP11NK50ZFP
  仓库库存编号：497-5973-5-ND
  别名：497-5973-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 27A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 27A（Tc） 357W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：AOB27S60L
  仓库库存编号：785-1248-1-ND
  别名：785-1248-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  BRIDGE RECTIFIER 35A 800V GBJ
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 35A Through Hole GBJ
  
  型号：GBJ3508-BP
  仓库库存编号：GBJ3508-BPMS-ND
  别名：GBJ3508-BPMS
  GBJ3508BP
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 950V 8A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 130W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB10N95K5
  仓库库存编号：497-14971-1-ND
  别名：497-14971-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  IGBT 1200V 50A 192W TO247-3
  详细描述：IGBT 1200V 50A 192W Through Hole TO-247
  
  型号：NGTB25N120IHLWG
  仓库库存编号：NGTB25N120IHLWGOS-ND
  别名：NGTB25N120IHLWGOS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 1.85A（Tc） 70W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP2NK100Z
  仓库库存编号：497-7518-5-ND
  别名：497-7518-5
  STP2NK100Z-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE BRIDGE 1000V 4.5A ENH PB
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 4.5A Through Hole isoCINK+? PB
  
  型号：PB5010-E3/45
  仓库库存编号：PB5010-E3/45GI-ND
  别名：PB5010-E3/45GI
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 200V 40A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 40A（Tc） 40W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF40NF20
  仓库库存编号：497-5805-5-ND
  别名：497-5805-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 34A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 34A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB40N60M2
  仓库库存编号：497-14963-1-ND
  别名：497-14963-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 35A 1000V GBPC
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 35A QC Terminal GBPC
  
  型号：GBPC3510-E4/51
  仓库库存编号：GBPC3510-E4/51GI-ND
  别名：GBPC3510-E4/1
  GBPC3510-E4/1-ND
  GBPC3510-E4/1GI
  GBPC3510-E4/1GI-ND
  GBPC3510-E4/51GI
  GBPC3510E451
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 900V 11A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 230W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW12NK90Z
  仓库库存编号：497-4421-5-ND
  别名：497-4421-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECT BRIDGE 1-PH 1200V 35A GBPCW
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1200V 35A Through Hole GBPC-W
  
  型号：VS-GBPC3512W
  仓库库存编号：GBPC3512W-ND
  别名：*GBPC3512W
  GBPC3512W
  VS-GBPC3512W-ND
  VSGBPC3512W
  VSGBPC3512W-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 950V 17.5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 17.5A（Tc） 250W（Tc） TO-220-3
  
  型号：STP20N95K5
  仓库库存编号：497-12863-5-ND
  别名：497-12863-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Linear Technology
  IC REG BUCK ADJ 3A SYNC 20TSSOP
  详细描述：可调式 降压 开关稳压器 IC 正 0.6V 1 输出 3A 20-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）裸露焊盘
  
  型号：LTC3612EFE#PBF
  仓库库存编号：LTC3612EFE#PBF-ND
  别名：LTC3612EFEPBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 950V 17.5A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 17.5A（Tc） 250W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW20N95K5
  仓库库存编号：497-12872-5-ND
  别名：497-12872-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Linear Technology
  IC REG BUCK BST ADJ 2.5A 20TSSOP
  详细描述：可调式 降压升压 开关稳压器 IC 正 2.5V 1 输出 2.5A 20-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）裸露焊盘
  
  型号：LTC3112EFE#PBF
  仓库库存编号：LTC3112EFE#PBF-ND
  别名：LTC3112EFEPBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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