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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 40A 1212
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SIS862DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS862DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SIS862DN-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 15A 6W Surface Mount 8-LSON (5x6)
  
  型号：CSD87331Q3D
  仓库库存编号：296-29695-1-ND
  别名：296-29695-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 40A 1212-8 PWR
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SIS476DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS476DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SIS476DN-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IC BRIDGE DVR P-N 2A 30V 8-SOIC
  详细描述：Half-Bridge Gate Driver IC Inverting, Non-Inverting 8-SOIC
  
  型号：FAN3278TMX
  仓库库存编号：FAN3278TMXCT-ND
  别名：FAN3278TMXCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Tc） 45W（Tc） DPAK
  
  型号：STD2N80K5
  仓库库存编号：497-14265-1-ND
  别名：497-14265-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 40V 46A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 46A（Tc） 39W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7463ADP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7463ADP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7463ADP-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 60V 17A 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta），100A（Tc） 3.2W（Ta），116W（Tc） 8-SON（5x6）
  
  型号：CSD18533Q5A
  仓库库存编号：296-35027-1-ND
  别名：296-35027-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 9.8A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4463BDY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4463BDY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4463BDY-T1-E3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 3.6A 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.6A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7415DN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7415DN-T1-E3CT-ND
  别名：SI7415DN-T1-E3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 3.6A 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.6A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7415DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7415DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7415DN-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.7A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4848DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4848DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4848DY-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N/P-CH 40V 10A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 40V 10A, 9.2A 3.1W, 3.2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4564DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4564DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4564DY-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 700V 0.17A 3DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 170mA（Tj） 2.5W（Ta） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：DN2470K4-G
  仓库库存编号：DN2470K4-GCT-ND
  别名：DN2470K4-GCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TRANS PNP 60V 6A D-PAK
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 6A 120MHz 4.2W Surface Mount TO-252-3
  
  型号：ZXT951KTC
  仓库库存编号：ZXT951KTCDICT-ND
  别名：ZXT951KCT
  ZXT951KCT-ND
  ZXT951KTCDICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21.5A（Tc） 113W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN102-200Y,115
  仓库库存编号：1727-5227-1-ND
  别名：1727-5227-1
  568-6544-1
  568-6544-1-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 19A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Tc） 2.5W（Ta），6W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4840BDY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4840BDY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4840BDY-T1-E3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 30V 25A 8DFN
  详细描述：表面贴装 P 沟道 25A（Ta），50A（Tc） 6.25W（Ta），83W（Tc） 8-DFN-EP（3.3x3.3）
  
  型号：AON7405
  仓库库存编号：785-1305-1-ND
  别名：785-1305-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 1.5A 1000V WOG
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 1.5A Through Hole WOG
  
  型号：W10G-E4/51
  仓库库存编号：W10G-E4/51GI-ND
  别名：W10G-E4/1
  W10G-E4/1-ND
  W10G-E4/1GI
  W10G-E4/1GI-ND
  W10G-E4/1TR
  W10G-E4/1TR-ND
  W10G-E4/51GI
  W10GE451
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 25A 22W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
  
  型号：SI7272DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7272DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7272DP-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7157DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7157DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7157DP-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N CH 60V 13.5A 8PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13.5A（Ta），22A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
  
  型号：FDMS86520L
  仓库库存编号：FDMS86520LFSCT-ND
  别名：FDMS86520LFSCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 5VWM 13VC SOT143
  
  型号：USB50405CE3/TR7
  仓库库存编号：USB50405CE3/TR7CT-ND
  别名：USB50405CE3/TR7CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 12V 34A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 34A（Tc） 2.5W（Ta），5.7W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4838BDY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4838BDY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4838BDY-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 3.5W（Ta），7.8W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4630DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4630DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4630DY-T1-E3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 58A（Tc） 4.6W（Ta），46W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7884BDP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7884BDP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7884BDP-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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