规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 16.1A(Tc) 2.5W(Ta),6.3W(Tc) 8-SO
型号:
SI4401DDY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4401DDY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4401DDY-T1-GE3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4.1A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.1A(Tc) 83W(Tc) DPAK
型号:
NDD04N60ZT4G
仓库库存编号:
NDD04N60ZT4GOSCT-ND
别名:NDD04N60ZT4GOSCT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 250V 230MA SOT-23-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 230mA(Ta) 1.1W(Ta) SOT-23-6
型号:
ZVN4525E6TA
仓库库存编号:
ZVN4525E6CT-ND
别名:ZVN4525E6CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 19.7A(Tc) 2.5W(Ta),5.7W(Tc) 8-SO
型号:
SI4425DDY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4425DDY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4425DDY-T1-GE3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 11.1A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 11.1A(Tc) 2.5W(Ta),5.7W(Tc) 8-SO
型号:
SI4056DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4056DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4056DY-T1-GE3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 40V 10.3A PWRDI3333
详细描述:表面贴装 P 沟道 10.3A(Ta) 1W(Ta) PowerDI3333-8
型号:
DMP4013LFG-7
仓库库存编号:
DMP4013LFG-7DICT-ND
别名:DMP4013LFG-7DICT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Diodes Incorporated
TRANS PNP DARL 120V 2A SOT-223
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 120V 2A 160MHz 2W Surface Mount SOT-223
型号:
FZT705TA
仓库库存编号:
FZT705CT-ND
别名:FZT705
FZT705CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8 PPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 35A(Tc) 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7617DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7617DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7617DN-T1-GE3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
TVS DIODE 30.8VWM 64.3VC SMB
型号:
SM6T36CAY
仓库库存编号:
497-10804-1-ND
别名:497-10804-1
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 54A 8DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 54A(Ta),150A(Tc) 7.4W(Ta),83W(Tc) 8-DFN(5x6)
型号:
AON6512
仓库库存编号:
785-1366-1-ND
别名:785-1366-1
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 60V 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Ta),50A(Tc) 3.1W(Ta),77W(Tc) 8-VSONP(5x6)
型号:
CSD18534Q5A
仓库库存编号:
296-35583-1-ND
别名:296-35583-1
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 450V 0.075A SOT223
详细描述:表面贴装 P 沟道 75mA(Ta) 2W(Ta) SOT-223
型号:
ZVP0545GTA
仓库库存编号:
ZVP0545GCT-ND
别名:ZVP0545GCT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 8V 12A SC70-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 3.5W(Ta),19W(Tc) PowerPAK? SC-70-6 单
型号:
SIA414DJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA414DJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA414DJ-T1-GE3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Texas Instruments
MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 15A 2.1W Surface Mount 8-SOIC
型号:
CSD88537ND
仓库库存编号:
296-37303-1-ND
别名:296-37303-1
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Littelfuse Inc.
TVS DIODE 300VWM 482VC SMD
型号:
1.5SMC350CA
仓库库存编号:
1.5SMC350CACT-ND
别名:1.5SMC350CACT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
IC DVR LOW SIDE 8-SOIC
型号:
NCV8402ADDR2G
仓库库存编号:
NCV8402ADDR2GOSCT-ND
别名:NCV8402ADDR2GOSCT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 100V 50 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Ta) 3.2W(Ta),63W(Tc) 8-VSON(5x6)
型号:
CSD19534Q5A
仓库库存编号:
296-43636-1-ND
别名:296-43636-1
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 3.8W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS434DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS434DN-T1-GE3CT-ND
别名:SIS434DN-T1-GE3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Tc) 2.5W(Ta),5.7W(Tc) 8-SO
型号:
SI4114DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4114DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4114DY-T1-GE3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Diodes Incorporated
TRANS NPN 300V 3.5A SOT-223
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 300V 3.5A 80MHz 3W Surface Mount SOT-223
型号:
FZT857TA
仓库库存编号:
FZT857CT-ND
别名:FZT857
FZT857CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Diodes Incorporated
TRANS NPN 100V 6A SOT-223
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 6A 130MHz 3W Surface Mount SOT-223
型号:
FZT853TA
仓库库存编号:
FZT853CT-ND
别名:FZT853
FZT853CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 4.8W(Ta),41.7W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR426DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR426DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR426DP-T1-GE3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SO
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 40V 8A 3.2W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4909DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4909DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4909DY-T1-GE3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 60A 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta),60A(Tc) 2.8W(Ta) 8-VSON(3.3x3.3)
型号:
CSD17309Q3
仓库库存编号:
296-27250-1-ND
别名:296-27250-1
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 240V 0.48A SOT223
详细描述:表面贴装 P 沟道 480mA(Ta) 2.5W(Ta) SOT-223
型号:
ZVP4424GTA
仓库库存编号:
ZVP4424GCT-ND
别名:ZVP4424G
ZVP4424GCT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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