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Infineon Technologies
DIODE TUNING 10V 20MA SOD-323
详细描述:Varactor Single 10V Surface Mount PG-SOD323-2
型号:
BBY5803WE6327HTSA1
仓库库存编号:
BBY5803WE6327HTSA1CT-ND
别名:BBY 58-03W E6327CT
BBY 58-03W E6327CT-ND
BBY5803WE6327HTSA1CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V TO-236AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.1A(Ta) 478mW(Ta), 8.36W(Tc) TO-236AB(SOT23)
型号:
PMV55ENEAR
仓库库存编号:
1727-2534-1-ND
别名:1727-2534-1
568-12973-1
568-12973-1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 12A PQFN33
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta),29A(Tc) 2.8W(Ta) 8-PQFN(3x3)
型号:
IRFH3707TR2PBF
仓库库存编号:
IRFH3707TR2PBFCT-ND
别名:IRFH3707TR2PBFCT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V TO-236AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.9A(Ta) 510mW(Ta), 3.9W(Tc) TO-236AB(SOT23)
型号:
PMV50ENEAR
仓库库存编号:
1727-2533-1-ND
别名:1727-2533-1
568-12972-1
568-12972-1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 12A 8PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta) 2.8W(Ta),25W(Tc) 8-PQFN(3.3x3.3),Power33
型号:
IRFHM8337TRPBF
仓库库存编号:
IRFHM8337TRPBFCT-ND
别名:IRFHM8337TRPBFCT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 4A(Ta) 510mW(Ta) TO-236AB(SOT23)
型号:
PMV32UP,215
仓库库存编号:
1727-1153-1-ND
别名:1727-1153-1
568-10321-1
568-10321-1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 400V 170MA SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 170mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP324H6327XTSA1
仓库库存编号:
BSP324H6327XTSA1CT-ND
别名:BSP324H6327XTSA1CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V 4.4A 6TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.4A(Ta) 530mW(Ta),8.33W(Tc) 6-TSOP
型号:
PMN27XPE,115
仓库库存编号:
1727-1356-1-ND
别名:1727-1356-1
568-10798-1
568-10798-1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.8A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP373NH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSP373NH6327XTSA1CT-ND
别名:BSP373NH6327XTSA1CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 660mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP297H6327XTSA1
仓库库存编号:
BSP297H6327XTSA1CT-ND
别名:BSP297H6327XTSA1CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 7.6A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.6A(Tc) 57W(Tc) PG-TO-252
型号:
IPD50R500CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD50R500CEAUMA1CT-ND
别名:IPD50R500CEAUMA1CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 1.5A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.5A(Tc) 6W(Tc) PG-SOT223
型号:
IPN80R4K5P7ATMA1
仓库库存编号:
IPN80R4K5P7ATMA1CT-ND
别名:IPN80R4K5P7ATMA1CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 82A 5X6 PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 23A(Ta),82A(Tc) 3.6W(Ta),46W(Tc) PQFN(5x6)
型号:
IRFH5303TR2PBF
仓库库存编号:
IRFH5303TR2PBFCT-ND
别名:IRFH5303TR2PBFCT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),35W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ088N03LSGATMA1
仓库库存编号:
BSZ088N03LSGATMA1CT-ND
别名:BSZ088N03LSGINCT
BSZ088N03LSGINCT-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 16A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 16A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF9317TRPBF
仓库库存编号:
IRF9317TRPBFCT-ND
别名:IRF9317TRPBFCT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 1.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.5A(Tc) 13W(Tc) TO-252
型号:
IPD80R4K5P7ATMA1
仓库库存编号:
IPD80R4K5P7ATMA1CT-ND
别名:IPD80R4K5P7ATMA1CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.2A(Tc) 28.4W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R1K4C6
仓库库存编号:
IPD60R1K4C6CT-ND
别名:IPD60R1K4C6CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 13A 8DSO
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Ta) 1.56W(Ta) PG-DSO-8
型号:
BSO065N03MSGXUMA1
仓库库存编号:
BSO065N03MSGXUMA1CT-ND
别名:BSO065N03MS GINCT
BSO065N03MS GINCT-ND
BSO065N03MSG
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 300V 350MA SC73
详细描述:表面贴装 N 沟道 350mA(Ta) 1.5W(Ta) SOT-223
型号:
BSP130,115
仓库库存编号:
1727-4928-1-ND
别名:1727-4928-1
568-6220-1
568-6220-1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),48W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC0902NS
仓库库存编号:
BSC0902NSCT-ND
别名:BSC0902NSCT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 2A 3TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 2A(Tc) 42W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD02N80C3ATMA1
仓库库存编号:
SPD02N80C3ATMA1CT-ND
别名:SPD02N80C3ATMA1CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 11A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7424TRPBF
仓库库存编号:
IRF7424PBFCT-ND
别名:*IRF7424TRPBF
IRF7424PBFCT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 3A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Tc) 6W(Tc) PG-SOT223
型号:
IPN80R2K0P7ATMA1
仓库库存编号:
IPN80R2K0P7ATMA1CT-ND
别名:IPN80R2K0P7ATMA1CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 0.4A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 400mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP299H6327XUSA1
仓库库存编号:
BSP299H6327XUSA1CT-ND
别名:BSP299H6327XUSA1CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.8A(Tc) 25W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB02N60S5ATMA1
仓库库存编号:
SPB02N60S5ATMA1CT-ND
别名:SPB02N60S5INCT
SPB02N60S5INCT-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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