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• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 87A 283W SOT-227
  详细描述：IGBT Module PT Single 600V 87A 283W Chassis Mount ISOTOP?
  
  型号：APT47GA60JD40
  仓库库存编号：APT47GA60JD40-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 42A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 42A（Tc） 568W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR64N60Q3
  仓库库存编号：IXFR64N60Q3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Tc） 195W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT1N300P3HV
  仓库库存编号：IXTT1N300P3HV-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 28A（Tc） 690W（Tc） TO-264 [L]
  
  型号：APT10035LLLG
  仓库库存编号：APT10035LLLG-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 38A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 38A（Tc） 694W（Tc） TO-264 [L]
  
  型号：APT8020LFLLG
  仓库库存编号：APT8020LFLLG-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 565W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT12067B2FLLG
  仓库库存编号：APT12067B2FLLG-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 23A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 23A（Tc） 570W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR32N100Q3
  仓库库存编号：IXFR32N100Q3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
  详细描述：通孔 N 沟道 2A（Tc） 520W（Tc） TO-247HV
  
  型号：IXTH2N300P3HV
  仓库库存编号：IXTH2N300P3HV-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  2500V TO 4500V VERY HI VOLT PWR
  详细描述：通孔 N 沟道 1A（Tc） 520W（Tc） TO-247HV
  
  型号：IXTH1N450HV
  仓库库存编号：IXTH1N450HV-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 23A（Tc） 545W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT22F100J
  仓库库存编号：APT22F100J-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  TVS DIODE 190VWM 290VC AXIAL
  
  型号：AK6-190C-BP
  仓库库存编号：AK6-190C-BPMS-ND
  别名：AK6-190C-BPMS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  TVS DIODE 76VWM 135VC AXIAL
  
  型号：AK10-076C-BP
  仓库库存编号：AK10-076C-BPMS-ND
  别名：AK10-076C-BPMS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 49A（Tc） 540W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT47F60J
  仓库库存编号：APT47F60J-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 22A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 700W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXTX22N100L
  仓库库存编号：IXTX22N100L-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 130A 431W SOT227
  详细描述：IGBT Module PT Single 600V 130A 431W Chassis Mount ISOTOP?
  
  型号：APT65GP60J
  仓库库存编号：APT65GP60J-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Global Power Technologies Group
  IGBT BUCK CHOP 600V 120A SOT227
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 120A 312W Chassis Mount SOT-227
  
  型号：GHIS060A060S-A2
  仓库库存编号：1560-1131-5-ND
  别名：1560-1131
  1560-1131-5
  1560-1131-ND
  GHIS060A060SA2
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 192A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 192A（Tc） 1500W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN210N30P3
  仓库库存编号：IXFN210N30P3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1100V 40A PLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 40A（Tc） 1560W（Tc） PLUS264?
  
  型号：IXFB40N110Q3
  仓库库存编号：IXFB40N110Q3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Tc） 520W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT3N200P3HV
  仓库库存编号：IXTT3N200P3HV-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 3000V 80A 400W TO268
  详细描述：IGBT 3000V 80A 400W Surface Mount TO-268HV
  
  型号：IXBT32N300HV
  仓库库存编号：IXBT32N300HV-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  SMPD HIPERFETS & MOSFETS
  详细描述：表面贴装 N 沟道 63A（Tc） 520W（Tc） Polar3?
  
  型号：MMIX1T132N50P3
  仓库库存编号：MMIX1T132N50P3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 63A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 63A（Tc） 780W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN80N50Q3
  仓库库存编号：IXFN80N50Q3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Global Power Technologies Group
  IGBT BUCK CHOP 1200V 120A SOT227
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 120A 680W Chassis Mount SOT-227
  
  型号：GHIS060A120S-A2
  仓库库存编号：1560-1132-5-ND
  别名：1560-1132
  1560-1132-5
  1560-1132-ND
  GHIS060A120SA2
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1.5KV 12A TO268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 890W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT12N150HV
  仓库库存编号：IXTT12N150HV-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 49A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 49A（Tc） 960W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN62N80Q3
  仓库库存编号：IXFN62N80Q3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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