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Texas Instruments
IC REG CTRLR PWM CM/VM 20TSSOP
详细描述：Converter Offline Full-Bridge Topology 1MHz 20-TSSOP
型号：
UCC3895PW
仓库库存编号：
296-11686-5-ND
别名：296-11686-5
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 50A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 960W（Tc） TO-3P
型号：
IXFQ50N50P3
仓库库存编号：
IXFQ50N50P3-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 96A 416W TO-247
详细描述：IGBT PT 600V 96A 416W Through Hole TO-247 [B]
型号：
APT54GA60B
仓库库存编号：
APT54GA60B-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
IGBT 900V 43A 250W TO247
详细描述：IGBT PT 900V 43A 250W Through Hole TO-247 [B]
型号：
APT15GP90BDQ1G
仓库库存编号：
APT15GP90BDQ1G-ND
别名：APT15GP90BDQ1GMI
APT15GP90BDQ1GMI-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CHAN 650V 23A POWERPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Tc） 202W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
型号：
SIHH24N65EF-T1-GE3
仓库库存编号：
SIHH24N65EF-T1-GE3CT-ND
别名：SIHH24N65EF-T1-GE3CT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 80A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 390W（Tc） TO-247（IXFH）
型号：
IXFH80N25X3
仓库库存编号：
IXFH80N25X3-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 60A TO268
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 1040W（Tc） TO-268
型号：
IXFT60N50P3
仓库库存编号：
IXFT60N50P3-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 94A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 94A（Tc） 1040W（Tc） TO-3P
型号：
IXFQ94N30P3
仓库库存编号：
IXFQ94N30P3-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 75A 390W TO247AC
详细描述：IGBT NPT 600V 75A 390W Through Hole TO-247AC
型号：
AUIRGP50B60PD1
仓库库存编号：
AUIRGP50B60PD1-ND
别名：SP001511310
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1KV 750MA TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 750mA（Tc） 40W（Tc） TO-263
型号：
IXTA05N100HV
仓库库存编号：
IXTA05N100HV-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
不受无铅要求限制
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 50A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 960W（Tc） TO-268
型号：
IXFT50N50P3
仓库库存编号：
IXFT50N50P3-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 690W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH30N50Q3
仓库库存编号：
IXFH30N50Q3-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 94A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 94A（Tc） 1040W（Tc） TO-268
型号：
IXFT94N30P3
仓库库存编号：
IXFT94N30P3-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 690W（Tc） TO-268
型号：
IXFT30N50Q3
仓库库存编号：
IXFT30N50Q3-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 70A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 70A（Tc） 690W（Tc） TO-268
型号：
IXFT70N20Q3
仓库库存编号：
IXFT70N20Q3-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 50A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 690W（Tc） TO-268
型号：
IXFT50N30Q3
仓库库存编号：
IXFT50N30Q3-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 80A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 360W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH80N10Q
仓库库存编号：
IXFH80N10Q-ND
别名：IXFH80N10
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 75A TO268
详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 400W（Tc） TO-268
型号：
IXTT75N10L2
仓库库存编号：
IXTT75N10L2-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 120A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 1130W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX120N30P3
仓库库存编号：
IXFX120N30P3-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 64A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 64A（Tc） 830W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX64N50P
仓库库存编号：
IXFX64N50P-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 120A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 1130W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK120N30P3
仓库库存编号：
IXFK120N30P3-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 45A T-MAX
详细描述：通孔 N 沟道 45A（Tc） 780W（Tc） T-MAX? [B2]
型号：
APT43M60B2
仓库库存编号：
APT43M60B2-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 60A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 540W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ60N20L2
仓库库存编号：
IXTQ60N20L2-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
不受无铅要求限制
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 15A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） 690W（Tc） TO-268
型号：
IXFT15N100Q3
仓库库存编号：
IXFT15N100Q3-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Texas Instruments
IC REG CTRLR BST FLYBK PWM 16DIP
详细描述：Converter Offline Boost, Flyback, Forward Topology 1MHz 16-PDIP
型号：
UC2825BN
仓库库存编号：
296-11169-5-ND
别名：296-11169-5
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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