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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 22A POLARPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Tc） 5.2W（Tc） PolarPak?
  
  型号：STK22N6F3
  仓库库存编号：497-10009-1-ND
  别名：497-10009-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  无铅
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 22A TO3P
  详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 500W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXFQ22N60P3
  仓库库存编号：IXFQ22N60P3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 1000V 60A 180W TO264
  详细描述：IGBT NPT and Trench 1000V 60A 180W Through Hole TO-264
  
  型号：FGL60N100BNTDTU
  仓库库存编号：FGL60N100BNTDTU-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  无铅
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 24VWM 43VC 8SO
  
  型号：SMDA24C/TR7
  仓库库存编号：SMDA24C/TR7CT-ND
  别名：SMDA24C/TR7CT
  SMDA24CE3MSCT
  SMDA24CE3MSCT-ND
  SMDA24CMS
  SMDA24CMS-ND
  SMDA24CMSCT
  SMDA24CMSCT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  含铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Tc） 227W（Tc） D2PAK
  
  型号：SIHB22N65E-GE3
  仓库库存编号：SIHB22N65E-GE3CT-ND
  别名：SIHB22N65E-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  无铅
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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 60A 185W TO220AB
  详细描述：IGBT 600V 60A 185W Through Hole TO-220AB
  
  型号：STGP30NC60K
  仓库库存编号：497-7014-5-ND
  别名：497-7014-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 40A 160W TO3P
  详细描述：IGBT 600V 40A 160W Through Hole TO-3P
  
  型号：SGH40N60UFTU
  仓库库存编号：SGH40N60UFTU-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  无铅
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 400V 38A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 38A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB45N40DM2AG
  仓库库存编号：497-16133-1-ND
  别名：497-16133-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  无铅
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 28A TO3P
  详细描述：通孔 N 沟道 28A（Tc） 695W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXFQ28N60P3
  仓库库存编号：IXFQ28N60P3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 21A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Tc） 170W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB28N60DM2
  仓库库存编号：497-16349-1-ND
  别名：497-16349-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CHAN 650V 15A POWERPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） 156W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
  
  型号：SIHH14N65EF-T1-GE3
  仓库库存编号：SIHH14N65EF-T1-GE3CT-ND
  别名：SIHH14N65EF-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  无铅
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• IXYS
  IGBT 600V 75A 300W TO247AD
  详细描述：IGBT PT 600V 75A 300W Through Hole TO-247AD (IXGH)
  
  型号：IXGH48N60C3
  仓库库存编号：IXGH48N60C3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CHAN 600V 19A POWERPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Tc） 174W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
  
  型号：SIHH21N60EF-T1-GE3
  仓库库存编号：SIHH21N60EF-T1-GE3CT-ND
  别名：SIHH21N60EF-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  无铅
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• IXYS
  MOSFET N-CH 75V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 357W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP80N075L2
  仓库库存编号：IXTP80N075L2-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  不受无铅要求限制
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 30A TO3P
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 500W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXFQ30N60X
  仓库库存编号：IXFQ30N60X-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 900V 63A 290W TO-247
  详细描述：IGBT PT 900V 63A 290W Through Hole TO-247 [B]
  
  型号：APT35GA90B
  仓库库存编号：APT35GA90B-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 29A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 29A（Tc） 250W（Tc） TO-247AD
  
  型号：SIHW30N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHW30N60E-GE3-ND
  别名：SIHW30N60E-GE3CT
  SIHW30N60E-GE3CT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 120V 20A/129A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta），129A（Tc） 3.2W（Ta），156W（Tc） 8-Dual Cool?88
  
  型号：FDMT800120DC
  仓库库存编号：FDMT800120DCCT-ND
  别名：FDMT800120DCCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 36A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 36A（Tc） 312W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FCB36N60NTM
  仓库库存编号：FCB36N60NTMCT-ND
  别名：FCB36N60NTMCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 1500V 10A 62.5W TO3PF
  详细描述：IGBT 1500V 10A 62.5W Through Hole TO-3PF
  
  型号：SGF5N150UFTU
  仓库库存编号：SGF5N150UFTU-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 34A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 34A（Tc） 695W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH34N50P3
  仓库库存编号：IXFH34N50P3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 34A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 34A（Tc） 695W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXFQ34N50P3
  仓库库存编号：IXFQ34N50P3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 56A 250W TO247
  详细描述：IGBT PT 600V 56A 250W Through Hole TO-247 [B]
  
  型号：APT15GP60BG
  仓库库存编号：APT15GP60BG-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 43A 174W TO247
  详细描述：IGBT NPT 600V 43A 174W Through Hole TO-247 [B]
  
  型号：APT20GT60BRG
  仓库库存编号：APT20GT60BRG-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CHAN 600V 24A POWERPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 202W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
  
  型号：SIHH26N60EF-T1-GE3
  仓库库存编号：SIHH26N60EF-T1-GE3CT-ND
  别名：SIHH26N60EF-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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