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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 8A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 58W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXFP20N50P3M
  仓库库存编号：IXFP20N50P3M-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP450P2
  仓库库存编号：IXTP450P2-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  不受无铅要求限制
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 44A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 44A（Ta），130A（Tc） 3.2W（Ta），125W（Tc） Dual Cool?56
  
  型号：FDMS8320LDC
  仓库库存编号：FDMS8320LDCCT-ND
  别名：FDMS8320LDCCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Global Power Technologies Group
  IGBT 1350V 40A 223W TO3PN
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 1350V 40A 223W Through Hole TO-3P
  
  型号：GPA020A135MN-FD
  仓库库存编号：1560-1217-5-ND
  别名：1560-1217-1
  1560-1217-1-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  IC REG CTRLR ISO PWM VM 8DIP
  详细描述：Converter Offline Up to 400kHz 8-PDIP
  
  型号：UCC3960P
  仓库库存编号：296-11562-5-ND
  别名：296-11562-5
  UCC3960PG4
  UCC3960PG4-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 20.6A（Tc） 208W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FCP190N65F
  仓库库存编号：FCP190N65F-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 20A POWERFLAT6X5
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 60W（Tc） PowerFlat?（6x5）
  
  型号：STL75NH3LL
  仓库库存编号：497-8485-1-ND
  别名：497-8485-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Tc） 90W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB12NM60N
  仓库库存编号：497-7931-1-ND
  别名：497-7931-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Rohm Semiconductor
  NCH 600V 24A POWER MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 245W（Tc） LPTS
  
  型号：R6024KNJTL
  仓库库存编号：R6024KNJTLCT-ND
  别名：R6024KNJTLCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 29A 80W TO220
  详细描述：IGBT 600V 29A 80W Through Hole TO-220AB
  
  型号：STGP10NB60SD
  仓库库存编号：497-5008-5-ND
  别名：497-5008-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 8A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 380W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXFP20N50P3
  仓库库存编号：IXFP20N50P3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 36A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 36A（Tc） 347W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXFP36N30P3
  仓库库存编号：IXFP36N30P3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 7A TO-263AA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 180W（Tc） TO-263（IXFA）
  
  型号：IXFA7N60P3
  仓库库存编号：IXFA7N60P3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 36A TO-263AA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 36A（Tc） 347W（Tc） TO-263AA
  
  型号：IXFA36N30P3
  仓库库存编号：IXFA36N30P3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 16A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 330W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXFP16N50P3
  仓库库存编号：IXFP16N50P3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 16A TO3P
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 300W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ450P2
  仓库库存编号：IXTQ450P2-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  不受无铅要求限制
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 20A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 380W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXFQ20N50P3
  仓库库存编号：IXFQ20N50P3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 24A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 480W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA460P2
  仓库库存编号：IXTA460P2-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  不受无铅要求限制
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 16A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 347W（Tc） TO-220
  
  型号：IXFP16N60P3
  仓库库存编号：IXFP16N60P3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 24A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 190W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB33N60DM2
  仓库库存编号：497-16354-1-ND
  别名：497-16354-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.2W（Ta），125W（Tc） 10-PolarPAK?（L）
  
  型号：SIE726DF-T1-GE3
  仓库库存编号：SIE726DF-T1-GE3CT-ND
  别名：SIE726DF-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 12VWM 24VC 8SO
  
  型号：SMDA12-6/TR7
  仓库库存编号：SMDA12-6/TR7CT-ND
  别名：SMDA12-6/TR7CT
  SMDA12-6E3MSCT-ND
  SMDA12-6MS
  SMDA12-6MS-ND
  SMDA12-6MSCT
  SMDA12-6MSCT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 含铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CHAN 650V 12A POWERPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 130W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
  
  型号：SIHH11N65E-T1-GE3
  仓库库存编号：SIHH11N65E-T1-GE3CT-ND
  别名：SIHH11N65E-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 16A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH450P2
  仓库库存编号：IXTH450P2-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CHAN 600V 24A POWERPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 130W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
  
  型号：SIHH11N65EF-T1-GE3
  仓库库存编号：SIHH11N65EF-T1-GE3CT-ND
  别名：SIHH11N65EF-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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