以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  IGBT 650V 20A TO220
  详细描述：IGBT 650V 60A 45W Through Hole TO-220
  
  型号：AOTF20B65M1
  仓库库存编号：785-1770-ND
  别名：785-1770
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 20V 14.1A 14-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 14.1A, 20A 3W, 5.4W Surface Mount 14-SOIC
  
  型号：SI4340CDY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4340CDY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4340CDY-T1-E3CT
  SI4340CDYT1E3
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V 12A/16A POWER56
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 12A, 16A 1W Surface Mount Power56
  
  型号：FDMS9600S
  仓库库存编号：FDMS9600SCT-ND
  别名：FDMS9600SCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 32A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 32A（Tc） 204W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA32N20C
  仓库库存编号：FQA32N20C-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 220A POWERFLAT56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 220A（Tc） 113W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL220N3LLH7
  仓库库存编号：497-14968-1-ND
  别名：497-14968-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  IGBT 600V 17A 32W TO220FP
  详细描述：IGBT 600V 17A 32W Through Hole TO-220FP
  
  型号：STGF17NC60SD
  仓库库存编号：497-13580-5-ND
  别名：497-13580-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  BRIDGE RECT 1000V 25A TS-6P
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 25A Through Hole TS-6P
  
  型号：DFB25100
  仓库库存编号：DFB25100-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 18A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 26W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPAW60R180P7SXKSA1
  仓库库存编号：IPAW60R180P7SXKSA1-ND
  别名：SP001606072
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  BRIDGE RECT 200V 25A TS-6P
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 25A Through Hole TS-6P
  
  型号：DFB2520
  仓库库存编号：DFB2520-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 80V 100A 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 3.1W（Ta），195W（Tc） 8-VSON（5x6）
  
  型号：CSD19502Q5B
  仓库库存编号：296-37194-1-ND
  别名：296-37194-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 10A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Tc） 150W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB10N65K3
  仓库库存编号：497-14032-1-ND
  别名：497-14032-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 74W（Tc）
  
  型号：IRF830ASTRLPBF
  仓库库存编号：IRF830ASTRLPBFCT-ND
  别名：IRF830ASTRLPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 950V 6A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 110W（Tc） H2Pak-2
  
  型号：STH6N95K5-2
  仓库库存编号：497-16316-1-ND
  别名：497-16316-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  RECT BRIDGE GPP 12A 800V GBPC
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 12A QC Terminal GBPC
  
  型号：GBPC1208
  仓库库存编号：GBPC1208FS-ND
  别名：GBPC1208FS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 240W（Tc） TO-3P
  
  型号：FQA10N80C_F109
  仓库库存编号：FQA10N80C_F109FS-ND
  别名：FQA10N80C_F109-ND
  FQA10N80C_F109FS
  FQA10N80CF109
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  IGBT 650V 20A TO220
  详细描述：IGBT 650V 40A 45W Through Hole TO-220
  
  型号：AOTF20B65M2
  仓库库存编号：785-1771-ND
  别名：785-1771
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET 2N-CH 100V 20A PWRFLAT56
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 20A 62.5W Surface Mount PowerFlat? (5x6)
  
  型号：STL20DN10F7
  仓库库存编号：497-14967-1-ND
  别名：497-14967-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Texas Instruments
  IC REG CTRLR BST FLYBK ISO 8SOIC
  详细描述：Converter Offline Boost, Flyback, Forward Topology 1MHz 8-SOIC
  
  型号：UCC2809DTR-2
  仓库库存编号：296-38324-1-ND
  别名：296-38324-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 23A 75W TO3PF
  详细描述：IGBT 600V 23A 75W Through Hole TO-3PF
  
  型号：SGF23N60UFTU
  仓库库存编号：SGF23N60UFTU-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 8A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 30.5W（Tc） TO-220F
  
  型号：FCPF650N80Z
  仓库库存编号：FCPF650N80Z-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 6.6A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 6.6A（Tc） 3.13W（Ta），167W（Tc） I2PAK（TO-262）
  
  型号：FQI7N80TU
  仓库库存编号：FQI7N80TU-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 18A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 72W（Tc） PG-TO220-3
  
  型号：IPP60R180P7XKSA1
  仓库库存编号：IPP60R180P7XKSA1-ND
  别名：SP001606038
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Texas Instruments
  IC REG CTRLR PWM CM 8-TSSOP
  详细描述：Converter Offline Boost, Buck, Flyback, Forward Topology 1MHz 8-TSSOP
  
  型号：UCC3809PW-2
  仓库库存编号：296-12395-5-ND
  别名：296-12395-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 18A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 26W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA60R180P7XKSA1
  仓库库存编号：IPA60R180P7XKSA1-ND
  别名：SP001606042
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Texas Instruments
  IC REG CTRLR PWM CM 8VSSOP
  详细描述：Converter Offline Boost, Buck, Flyback, Forward Topology 1MHz 8-VSSOP
  
  型号：UCC3809P-2
  仓库库存编号：296-13440-5-ND
  别名：296-13440-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索