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Central Semiconductor Corp
TRANSISTOR PNP QUAD SMD
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 4 PNP (Quad) 60V 600mA 250MHz 1W Surface Mount 16-SOIC
型号：
MMPQ2907A BK
仓库库存编号：
MMPQ2907A BK-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 6A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 75W（Tc） DPAK
型号：
FCD850N80Z
仓库库存编号：
FCD850N80ZCT-ND
别名：FCD850N80ZCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Texas Instruments
IC DUAL HS PWR FET DRVR 8-MSOP
详细描述：Low-Side Gate Driver IC Inverting, Non-Inverting 8-MSOP-PowerPad
型号：
UCC37325DGN
仓库库存编号：
296-15698-5-ND
别名：296-15698-5
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Texas Instruments
IC DUAL HS PWR FET DRVR 8-MSOP
详细描述：Low-Side Gate Driver IC Inverting 8-MSOP-PowerPad
型号：
UCC37323DGN
仓库库存编号：
296-15692-5-ND
别名：296-15692-5
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 650V 7A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 52W（Tc） TO-220F-3（Y 型）
型号：
FQPF7N65CYDTU
仓库库存编号：
FQPF7N65CYDTU-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Comchip Technology
TVS DIODE 40VWM 64.5VC R-6
型号：
A5KP40A-G
仓库库存编号：
641-1543-1-ND
别名：641-1543-1
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Comchip Technology
TVS DIODE 40VWM 64.5VC R-6
型号：
A5KP40CA-G
仓库库存编号：
641-1544-1-ND
别名：641-1544-1
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Comchip Technology
TVS DIODE 12VWM 19.9VC R-6
型号：
A5KP12CA-G
仓库库存编号：
641-1538-1-ND
别名：641-1538-1
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Comchip Technology
TVS DIODE 12VWM 19.9VC R-6
型号：
A5KP12A-G
仓库库存编号：
641-1537-1-ND
别名：641-1537-1
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Comchip Technology
TVS DIODE 24VWM 38.9VC R-6
型号：
A5KP24A-G
仓库库存编号：
641-1539-1-ND
别名：641-1539-1
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Comchip Technology
TVS DIODE 36VWM 58.1VC R-6
型号：
A5KP36CA-G
仓库库存编号：
641-1542-1-ND
别名：641-1542-1
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Comchip Technology
TVS DIODE 24VWM 38.9VC R-6
型号：
A5KP24CA-G
仓库库存编号：
641-1540-1-ND
别名：641-1540-1
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 23A 100W TO220AB
详细描述：IGBT 600V 23A 100W Through Hole TO-220AB
型号：
IRG4BC30UPBF
仓库库存编号：
IRG4BC30UPBF-ND
别名：*IRG4BC30UPBF
SP001535872
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Texas Instruments
IC MOSFET DVR 4A DUAL HS 8MSOP
详细描述：Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-MSOP-PowerPad
型号：
UCC27424QDGNRQ1
仓库库存编号：
296-28419-1-ND
别名：296-28419-1
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 7.2A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.2A（Tc） 110W（Tc） D2PAK
型号：
STB9NK50ZT4
仓库库存编号：
497-12543-1-ND
别名：497-12543-1
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 13.5A
详细描述：通孔 N 沟道 13.5A（Tc） 218W（Tc） TO-3PN
型号：
FQA13N50C_F109
仓库库存编号：
FQA13N50C_F109-ND
别名：FQA13N50CF109
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 15A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 218W（Tc） TO-3PN
型号：
FQA13N50CF
仓库库存编号：
FQA13N50CF-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 27A POWER33
详细描述：表面贴装 N 沟道 27A（Ta），108A（Tc） 2.9W（Ta），56W（Tc） Dual Cool ? 33
型号：
FDMC8321LDC
仓库库存编号：
FDMC8321LDCCT-ND
别名：FDMC8321LDCCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Texas Instruments
IC REG CTRLR PWN VM 8VSSOP
详细描述：Converter Offline Boost, Flyback, Forward Topology 1MHz 8-VSSOP
型号：
UCC35706DGK
仓库库存编号：
296-11434-5-ND
别名：296-11434-5
UCC35706DGKG4
UCC35706DGKG4-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Central Semiconductor Corp
TRANSISTOR QUAD SMD
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN, 2 PNP 30V 1A 200MHz 1W Surface Mount 16-SOIC
型号：
MMPQ6502 TR13
仓库库存编号：
MMPQ6502 TR13CT-ND
别名：MMPQ6502 TR13CT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Texas Instruments
IC REG CTRLR PWN VM 8SOIC
详细描述：Converter Offline Boost, Flyback, Forward Topology 1MHz 8-SOIC
型号：
UCC35706D
仓库库存编号：
296-11433-5-ND
别名：296-11433-5
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
N-CHANNEL 900 V, 2.1 OHM TYP., 3
详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 110W（Tc） DPAK
型号：
STD6N90K5
仓库库存编号：
497-17072-1-ND
别名：497-17072-1
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 60V 23A 8VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 3.2W（Ta），156W（Tc） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD18532Q5B
仓库库存编号：
296-35628-1-ND
别名：296-35628-1
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 5VWM 9.8VC SOT23
型号：
SM05/TR7
仓库库存编号：
SM05/TR7CT-ND
别名：SM05/TR7CT
SM05E3CT
SM05E3CT-ND
SM05MSCT
SM05MSCT-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 20A TO3PN
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 312W（Tc） TO-3PN
型号：
GP1M020A050N
仓库库存编号：
1560-1191-5-ND
别名：1560-1191-1
1560-1191-1-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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