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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR440DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR440DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR440DP-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 100V 7.9A POWER56
  详细描述：表面贴装 P 沟道 7.9A（Ta），50A（Tc） 2.5W（Ta），104W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
  
  型号：FDMS86163P
  仓库库存编号：FDMS86163PCT-ND
  别名：FDMS86163PCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  MOSFET 2N-CH 30V 32A 8LSON
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 32A 12W Surface Mount 8-LSON (5x6)
  
  型号：CSD87351ZQ5D
  仓库库存编号：296-35666-1-ND
  别名：296-35666-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 6A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 28.4W（Tc） TO-220F
  
  型号：FCPF850N80Z
  仓库库存编号：FCPF850N80Z-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 17A 70W TO220AB
  详细描述：IGBT 600V 17A 70W Through Hole TO-220AB
  
  型号：HGTP3N60A4
  仓库库存编号：HGTP3N60A4-ND
  别名：HGTP3N60A4_NL
  HGTP3N60A4_NL-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 11A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 124W（Tc） TO-263
  
  型号：R6011KNJTL
  仓库库存编号：R6011KNJTLCT-ND
  别名：R6011KNJTLCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 950V 3.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.5A（Tc） 70W（Tc） DPAK
  
  型号：STD5N95K5
  仓库库存编号：497-14213-1-ND
  别名：497-14213-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 4.3A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 4.3A（Tc） 48W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF7N60
  仓库库存编号：FQPF7N60-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 85W（Tc） DPAK
  
  型号：STD11N65M2
  仓库库存编号：497-15048-1-ND
  别名：497-15048-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 3.9A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 3.9A（Tc） 3.13W（Ta），130W（Tc） I2PAK
  
  型号：FQI4N80TU
  仓库库存编号：FQI4N80TU-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  IC MOSFET DVR DUAL HS 4A 8-DIP
  详细描述：Low-Side Gate Driver IC Inverting 8-PDIP
  
  型号：UCC27423P
  仓库库存编号：296-15866-5-ND
  别名：296-15866-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  IC DUAL HS PWR FET DRVR 8-DIP
  详细描述：Low-Side Gate Driver IC Inverting 8-PDIP
  
  型号：UCC37323P
  仓库库存编号：296-15693-5-ND
  别名：296-15693-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  IC MOSFET DRVR DUAL HS 4A 8-DIP
  详细描述：Low-Side Gate Driver IC Inverting 8-PDIP
  
  型号：UCC27323P
  仓库库存编号：296-12530-5-ND
  别名：296-12530-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  IC MOSFET DRVR DUAL HS 4A 8-DIP
  详细描述：Low-Side Gate Driver IC Inverting, Non-Inverting 8-PDIP
  
  型号：UCC27325P
  仓库库存编号：296-12536-5-ND
  别名：296-12536-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 14A 32W TO220FP
  详细描述：IGBT 600V 14A 32W Through Hole TO-220FP
  
  型号：STGF19NC60WD
  仓库库存编号：497-7477-5-ND
  别名：497-7477-5
  STGF19NC60WD-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 4A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 24W（Tc） TO-220F-3（Y 型）
  
  型号：FCPF1300N80ZYD
  仓库库存编号：FCPF1300N80ZYD-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 4.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Tc） 85W（Tc） DPAK
  
  型号：STD6N80K5
  仓库库存编号：497-14983-1-ND
  别名：497-14983-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 14A 83W D2PAK
  详细描述：IGBT NPT 600V 14A 83W Surface Mount TO-263AB (D2PAK)
  
  型号：FGB7N60UNDF
  仓库库存编号：FGB7N60UNDF-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 15A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7478DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7478DP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7478DP-T1-E3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 5A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 5A（Tc） 31.3W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF7N50U_G
  仓库库存编号：FDPF7N50U_G-ND
  别名：FDPF7N50UG
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 16A 32W TO220FP
  详细描述：IGBT 600V 16A 32W Through Hole TO-220FP
  
  型号：STGF19NC60KD
  仓库库存编号：497-12595-5-ND
  别名：497-12595-5
  STGF19NC60KD-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 7A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 83W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FCP7N60
  仓库库存编号：FCP7N60-ND
  别名：FCP7N60_NL
  FCP7N60_NL-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 650V 30W TO-220F
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 30W Through Hole TO-220F
  
  型号：FGPF4565
  仓库库存编号：FGPF4565-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 12A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 42W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF13N50FT
  仓库库存编号：FDPF13N50FT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 5A（Tc） 114W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXFP5N50P3
  仓库库存编号：IXFP5N50P3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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