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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 19.4A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19.4A（Tc） 3.13W（Ta），140W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB19N20TM
  仓库库存编号：FQB19N20TMCT-ND
  别名：FQB19N20TMCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 12A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 240W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP12N60NZ
  仓库库存编号：FDP12N60NZ-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.4A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR420TRLPBF
  仓库库存编号：IRFR420TRLPBFCT-ND
  别名：IRFR420TRLPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 4A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 114W（Tc） TO-252
  
  型号：IXFY4N60P3
  仓库库存编号：IXFY4N60P3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 2.6A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 2.6A（Tc） 21.9W（Tc） TO-220F
  
  型号：FCPF2250N80Z
  仓库库存编号：FCPF2250N80Z-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 7A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 89W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP7N50
  仓库库存编号：FDP7N50-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 5W（Ta），50W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR844DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR844DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR844DP-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET NCH 650V 12A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 278W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：AOB12N65L
  仓库库存编号：785-1717-1-ND
  别名：785-1717-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IC GATE DVR SGL 9A HS 8-MLP
  详细描述：Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-MLP (3x3)
  
  型号：FAN3122CMPX
  仓库库存编号：FAN3122CMPXFSCT-ND
  别名：FAN3122CMPXCT
  FAN3122CMPXCT-ND
  FAN3122CMPXFSCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Comchip Technology
  TVS DIODE 12VWM 19.9VC SMC
  
  型号：ATV50C120JB-HF
  仓库库存编号：641-1599-1-ND
  别名：641-1599-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Comchip Technology
  TVS DIODE 24VWM 38.9VC SMC
  
  型号：ATV50C240JB-HF
  仓库库存编号：641-1601-1-ND
  别名：641-1601-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.5A（Ta） 1.56W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4488DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4488DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4488DY-T1-E3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  RECT BRIDGE GPP 25A 50V GBJ
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 25A Through Hole GBJ
  
  型号：GBJ25005-BP
  仓库库存编号：GBJ25005-BPMS-ND
  别名：GBJ25005-BPMS
  GBJ25005BP
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 4A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 52W（Tc） DPAK
  
  型号：FCD1300N80Z
  仓库库存编号：FCD1300N80ZCT-ND
  别名：FCD1300N80ZCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  MOSFET 2N-CH 30V 25A 8SON
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 25A 8.5W Surface Mount 8-LSON (5x6)
  
  型号：CSD87352Q5D
  仓库库存编号：296-29161-1-ND
  别名：296-29161-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 4.5A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 4.5A（Tc） 3.13W（Ta），100W（Tc） I2PAK
  
  型号：FQI5N60CTU
  仓库库存编号：FQI5N60CTU-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 1200V 6.2A 62W TO220-3
  详细描述：IGBT NPT 1200V 6.2A 62W Through Hole PG-TO220-3
  
  型号：SGP02N120XKSA1
  仓库库存编号：SGP02N120XKSA1-ND
  别名：SGP02N120
  SGP02N120-ND
  SP000683106
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4A 1.6W Surface Mount 8-SO
  
  型号：STS4DPF20L
  仓库库存编号：497-8042-1-ND
  别名：497-8042-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 6A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 73W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB6N40CTM
  仓库库存编号：FQB6N40CTMCT-ND
  别名：FQB6N40CTMCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 3W（Ta），74W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：IRF630STRLPBF
  仓库库存编号：IRF630STRLPBFCT-ND
  别名：IRF630STRLPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 800 V, 1.50 OHM TYP.,
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 60W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB5N80K5
  仓库库存编号：497-16923-1-ND
  别名：497-16923-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL640STRLPBF
  仓库库存编号：IRL640STRLPBFCT-ND
  别名：IRL640STRLPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 6.5A POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Tc） 52W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL12N60M2
  仓库库存编号：497-16039-1-ND
  别名：497-16039-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 60V 100A 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 3.1W（Ta），156W（Tc） 8-VSONP（5x6）
  
  型号：CSD18531Q5AT
  仓库库存编号：296-41958-1-ND
  别名：296-41958-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 4A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 114W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXFP4N60P3
  仓库库存编号：IXFP4N60P3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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