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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 9A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 41W（Tc） PG-TO220-3
  
  型号：IPP60R360P7XKSA1
  仓库库存编号：IPP60R360P7XKSA1-ND
  别名：SP001606036
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 69W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7149DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7149DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7149DP-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IC GATE DVR LOSIDE DUAL 4A 8SOIC
  详细描述：Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC
  
  型号：FAN3224TMX_F085
  仓库库存编号：FAN3224TMX_F085CT-ND
  别名：FAN3224TMX_F085CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 6.3A 35W DPAK
  详细描述：IGBT NPT 600V 6.3A 35W Surface Mount D-Pak
  
  型号：IRGR2B60KDPBF
  仓库库存编号：IRGR2B60KDPBF-ND
  别名：SP001534018
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 13A 50W DPAK
  详细描述：IGBT 600V 13A 50W Surface Mount D-Pak
  
  型号：STGDL6NC60DT4
  仓库库存编号：497-7990-1-ND
  别名：497-7990-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Tc） 3.13W（Ta），140W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB19N20LTM
  仓库库存编号：FQB19N20LTMCT-ND
  别名：FQB19N20LTMCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N/P-CH 30V 4.4A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 4.4A, 3.7A 1.1W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4539ADY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4539ADY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4539ADY-T1-E3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V TO-220F-3
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 39W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF12N60NZ
  仓库库存编号：FDPF12N60NZ-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Comchip Technology
  TVS DIODE 36VWM 58.1VC SMC
  
  型号：ATV50C360J-HF
  仓库库存编号：641-1604-1-ND
  别名：641-1604-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  IGBT 650V 10A TO220
  详细描述：IGBT 650V 20A 30W Through Hole TO-220
  
  型号：AOTF10B65M1
  仓库库存编号：785-1766-ND
  别名：785-1766
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 60W（Tc） DPAK
  
  型号：STD7N65M2
  仓库库存编号：497-15050-1-ND
  别名：497-15050-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 7A 22W TO220FP
  详细描述：IGBT 600V 7A 22W Through Hole TO-220FP
  
  型号：STGFL6NC60D
  仓库库存编号：497-7479-5-ND
  别名：497-7479-5
  STGFL6NC60D-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 100V 17A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta），52A（Tc） 6.2W（Ta），57W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6294
  仓库库存编号：785-1667-1-ND
  别名：785-1667-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 4A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 32W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP80R1K4P7XKSA1
  仓库库存编号：IPP80R1K4P7XKSA1-ND
  别名：SP001422718
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TRANS 2NPN 25V 5A SM8
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 25V 5A 180MHz 2.75W Surface Mount SM8
  
  型号：ZDT1049TA
  仓库库存编号：ZDT1049CT-ND
  别名：ZDT1049CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 8.8A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 8.8A（Tc） 38W（Tc） TO-220F-3（Y 型）
  
  型号：FQPF9N25CYDTU
  仓库库存编号：FQPF9N25CYDTU-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 11.5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 11.5A（Tc） 165W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP12N50
  仓库库存编号：FDP12N50-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 8.7A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4401BDY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4401BDY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4401BDY-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 4A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 24W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：IPA80R1K4P7XKSA1
  仓库库存编号：IPA80R1K4P7XKSA1-ND
  别名：SP001422546
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 6.6A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 6.6A（Tc） 56W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF7N80C
  仓库库存编号：FQPF7N80C-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 11.8A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 11.8A（Tc） 50W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF19N20
  仓库库存编号：FQPF19N20-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 3.9A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 3.9A（Tc） 30W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF5N50NZU
  仓库库存编号：FDPF5N50NZU-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 7.5A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.5A（Tc） 3.13W（Ta），147W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB8N60CTM_WS
  仓库库存编号：FQB8N60CTM_WSCT-ND
  别名：FQB8N60CTM_WSCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 5.8A, 8.2A 1W, 1.25W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4816BDY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4816BDY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4816BDY-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 14A POWER33
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta），20A（Tc） 2W（Ta），41W（Tc） Power33
  
  型号：FDMC8462
  仓库库存编号：FDMC8462CT-ND
  别名：FDMC8462CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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