以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• STMicroelectronics
  TVS DIODE 28VWM 45VC SMC
  
  型号：LNBTVS4-304S
  仓库库存编号：497-12495-1-ND
  别名：497-12495-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  IC GATE DVR SGL 9A HS INV 8-SOIC
  详细描述：Low-Side Gate Driver IC Inverting 8-SOIC
  
  型号：FAN3121TMX
  仓库库存编号：FAN3121TMXCT-ND
  别名：FAN3121TMXCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  IC GATE DVR SGL 9A CMOS 8-SOIC
  详细描述：Low-Side Gate Driver IC Inverting 8-SOIC
  
  型号：FAN3121CMX
  仓库库存编号：FAN3121CMXCT-ND
  别名：FAN3121CMXCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 5W（Ta），48W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR166DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR166DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR166DP-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GPP 8A 400V GPP INLINE GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 3.9A Through Hole GBU
  
  型号：GBU8G-E3/51
  仓库库存编号：GBU8G-E3/51GI-ND
  别名：GBU8G-E3/51-ND
  GBU8GE351
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET 2P-CH 100V 13A PWRFLAT56
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 100V 13A 62.5W Surface Mount PowerFlat? (5x6)
  
  型号：STL13DP10F6
  仓库库存编号：497-14987-1-ND
  别名：497-14987-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 5.5A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 5.5A（Tc） 51W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF6N80CT
  仓库库存编号：FQPF6N80CT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 30V 100A 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 29A（Ta），100A（Tc） 3.1W（Ta） 8-VSON（5x6）
  
  型号：CSD17305Q5A
  仓库库存编号：296-25855-1-ND
  别名：296-25855-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 40V 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta），100A（Tc） 3.1W（Ta），150W（Tc） 8-VSON（5x6）
  
  型号：CSD18501Q5A
  仓库库存编号：296-30570-1-ND
  别名：296-30570-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  IC GATE DVR SGL 9A HS INV 8-MLP
  详细描述：Low-Side Gate Driver IC Inverting 8-MLP (3x3)
  
  型号：FAN3121TMPX
  仓库库存编号：FAN3121TMPXCT-ND
  别名：FAN3121TMPXCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  IC GATE DVR SGL 9A LOSIDE 8-MLP
  详细描述：Low-Side Gate Driver IC Inverting 8-MLP (3x3)
  
  型号：FAN3121CMPX
  仓库库存编号：FAN3121CMPXCT-ND
  别名：FAN3121CMPXCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 7.5A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 7.5A（Tc） 3.13W（Ta），147W（Tc） I2PAK（TO-262）
  
  型号：FQI8N60CTU
  仓库库存编号：FQI8N60CTU-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 39A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 39A（Tc） 251W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FDP39N20
  仓库库存编号：FDP39N20-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.6A（Ta） 2.2W（Ta） SOT-223-4
  
  型号：FDT86102LZ
  仓库库存编号：FDT86102LZFSCT-ND
  别名：FDT86102LZFSCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N/P-CH 60V 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 60V 3.6A, 2.6A 1.25W Surface Mount 8-SO
  
  型号：ZXMC4559DN8TA
  仓库库存编号：ZXMC4559DN8CT-ND
  别名：ZXMC4559DN8CT
  ZXMC4559DN8TA-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V TO-220F-3
  详细描述：通孔 N 沟道 4.5A（Tc） 33.8W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF6N60ZUT
  仓库库存编号：FDPF6N60ZUT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 20A POWER33
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta），20A（Tc） 2.3W（Ta），41W（Tc） Power33
  
  型号：FDMC86324
  仓库库存编号：FDMC86324CT-ND
  别名：FDMC86324CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 700V 2A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 2A（Tc） 28W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF2N70
  仓库库存编号：FQPF2N70-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.1A（Ta） 3W（Ta） SOT-223
  
  型号：ZVN4306GVTA
  仓库库存编号：ZVN4306GVCT-ND
  别名：ZVN4306GV
  ZVN4306GVCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 11.5A（Tc） 42W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF12N50NZ
  仓库库存编号：FDPF12N50NZ-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 10.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.5A（Tc） 135W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB11N40CTM
  仓库库存编号：FQB11N40CTMCT-ND
  别名：FQB11N40CTMCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N CH 600V 7.4A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 7.4A（Tc） 89W（Tc） TO-220F-3
  
  型号：FCPF600N60Z
  仓库库存编号：FCPF600N60Z-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  IGBT 600V 25A 80W DPAK
  详细描述：IGBT 600V 25A 80W Surface Mount D-Pak
  
  型号：STGD14NC60KT4
  仓库库存编号：497-5739-1-ND
  别名：497-5739-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 11.5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 11.5A（Tc） 170W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP12N50NZ
  仓库库存编号：FDP12N50NZ-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 9A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 22W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA60R360P7XKSA1
  仓库库存编号：IPA60R360P7XKSA1-ND
  别名：SP001606040
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索