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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 15A 65W D2PAK
  详细描述：IGBT 600V 15A 65W Surface Mount D2PAK
  
  型号：STGB8NC60KDT4
  仓库库存编号：497-7985-1-ND
  别名：497-7985-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.7A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4848DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4848DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4848DY-T1-E3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 1.6A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 1.6A（Tc） 19.2W（Tc） TO-220F
  
  型号：FCPF4300N80Z
  仓库库存编号：FCPF4300N80Z-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 60V 20A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta），50A（Tc） 6.2W（Ta），83W（Tc） 8-DFN-EP（3.3x3.3）
  
  型号：AON7244
  仓库库存编号：785-1299-1-ND
  别名：785-1299-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 19A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Tc） 3.13W（Ta），139W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB19N20CTM
  仓库库存编号：FQB19N20CTMCT-ND
  别名：FQB19N20CTMCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 20A 62W DPAK
  详细描述：IGBT 600V 20A 62W Surface Mount D-Pak
  
  型号：STGD10NC60KDT4
  仓库库存编号：497-6183-1-ND
  别名：497-6183-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 4A IPAK-SL
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 32W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPS80R1K4P7AKMA1
  仓库库存编号：IPS80R1K4P7AKMA1-ND
  别名：SP001422736
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 4A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 32W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU80R1K4P7AKMA1
  仓库库存编号：IPU80R1K4P7AKMA1-ND
  别名：SP001422742
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IC GATE DVR LOW DUAL 4A HS 8MLP
  详细描述：Low-Side Gate Driver IC Inverting 8-MLP (3x3)
  
  型号：FAN3223CMPX
  仓库库存编号：FAN3223CMPXCT-ND
  别名：FAN3223CMPXCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 250V 0.26A DFN2020-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 260mA（Ta） 600mW（Ta） U-DFN2020-6（E 类）
  
  型号：DMP25H18DLFDE-7
  仓库库存编号：DMP25H18DLFDE-7DICT-ND
  别名：DMP25H18DLFDE-7DICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 40V 4A, 3.6A 1.8W Surface Mount 8-SO
  
  型号：ZXMC4A16DN8TA
  仓库库存编号：ZXMC4A16DN8CT-ND
  别名：ZXMC4A16DN8CT
  ZXMC4A16DN8TA-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 5.2A 1W Surface Mount 8-TSSOP
  
  型号：SI6968BEDQ-T1-E3
  仓库库存编号：SI6968BEDQ-T1-E3CT-ND
  别名：SI6968BEDQ-T1-E3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 25V 30A 8-PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta），70A（Tc） 2.5W（Ta），65W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
  
  型号：FDMS8560S
  仓库库存编号：FDMS8560SCT-ND
  别名：FDMS8560SCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  RECT BRIDGE GPP 6A 200V GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 6A Through Hole GBU
  
  型号：GBU602
  仓库库存编号：GBU602DI-ND
  别名：GBU602-ND
  GBU602DI
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 4.5A（Tc） 100W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP5N60NZ
  仓库库存编号：FDP5N60NZ-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2P-CH 30V 4.2A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 4.2A 1.8W Surface Mount 8-SO
  
  型号：ZXMP3A16DN8TA
  仓库库存编号：ZXMP3A16DN8CT-ND
  别名：ZXMP3A16DN8CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 6A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 30W（Tc） PG-TO220-3
  
  型号：IPP60R600P7XKSA1
  仓库库存编号：IPP60R600P7XKSA1-ND
  别名：SP001606032
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TVS DIODE 20VWM 32.4VC SMC
  
  型号：SMCJ20CA-13-F
  仓库库存编号：SMCJ20CA-FDICT-ND
  别名：SMCJ20CA-FDICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 3.1W（Ta），5.4W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4396DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4396DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4396DY-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 19A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Tc） 2.5W（Ta），6W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4840BDY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4840BDY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4840BDY-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 12A TO262F
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 28W（Tc） TO-262F
  
  型号：AOWF12T60P
  仓库库存编号：785-1702-5-ND
  别名：785-1693-5
  785-1693-5-ND
  785-1702-5
  AOWF12T60P-ND
  AOWF12T60PL
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 12A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 35W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF12T60PL
  仓库库存编号：785-1692-5-ND
  别名：785-1692-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V TO-220F-3
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 28W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF5N50UT
  仓库库存编号：FDPF5N50UT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR020TRPBF
  仓库库存编号：IRFR020PBFCT-ND
  别名：*IRFR020TRPBF
  IRFR020PBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 60V 5X6DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta），81A（Tc） 2.3W（Ta），83W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6444
  仓库库存编号：785-1227-1-ND
  别名：785-1227-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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