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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 12.4A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12.4A（Ta），60A（Tc） 2.5W（Ta），104W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS86101
  仓库库存编号：FDMS86101CT-ND
  别名：FDMS86101CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.9A（Tc） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS2572
  仓库库存编号：FDS2572CT-ND
  别名：FDS2572CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  无铅
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 31A（Ta），100A（Tc） 3.1W（Ta） 8-VSON-CLIP（5x6）
  
  型号：CSD16321Q5
  仓库库存编号：296-24517-1-ND
  别名：296-24517-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  含铅
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• Diodes Incorporated
  TRANS 2NPN 75V 5A SM8
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 75V 5A 140MHz 2.75W Surface Mount SM8
  
  型号：ZDT1053TA
  仓库库存编号：ZDT1053CT-ND
  别名：UZDT1053CT
  UZDT1053CT-ND
  ZDT1053CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 16A SO-8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta），156A（Tc） 910mW（Ta），125W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4833NT1G
  仓库库存编号：NTMFS4833NT1GOSCT-ND
  别名：NTMFS4833NT1GOSCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7460DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7460DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7460DP-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 5.2W（Ta），69W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR800DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR800DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR800DP-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2P-CH 20V 5A PPAK 1212-8
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 5A 1.3W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
  
  型号：SI7913DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7913DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7913DN-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IC GATE DVR SGL 9A LOSIDE 8-MLP
  详细描述：Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-MLP (3x3)
  
  型号：FAN3122TMPX
  仓库库存编号：FAN3122TMPXFSCT-ND
  别名：FAN3122TMPXCT
  FAN3122TMPXCT-ND
  FAN3122TMPXFSCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 5W（Ta），62.5W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7852ADP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7852ADP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7852ADP-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 40V 27A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 27A（Ta），85A（Tc） 2.3W（Ta），83W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6240
  仓库库存编号：785-1334-1-ND
  别名：785-1334-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 5W（Ta），62.5W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR876ADP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR876ADP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR876ADP-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Bourns Inc.
  TVS DIODE 5VWM 13.5VC 8SOIC
  
  型号：CDNBS08-SRDA05-4
  仓库库存编号：CDNBS08-SRDA05-4CT-ND
  别名：CDNBS08-SRDA05-4CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Bourns Inc.
  TVS DIODE 3.3VWM 10.9VC 8SOIC
  
  型号：CDNBS08-SRDA3.3-4
  仓库库存编号：CDNBS08-SRDA3.3-4CT-ND
  别名：CDNBS08-SRDA3.3-4CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7898DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7898DP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7898DP-T1-E3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 16A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.6A（Ta），16A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS86252
  仓库库存编号：FDMS86252CT-ND
  别名：FDMS86252CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 12A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS5672
  仓库库存编号：FDS5672CT-ND
  别名：FDS5672CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 18A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS8638
  仓库库存编号：FDS8638CT-ND
  别名：FDS8638CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET 2N-CH 30V 65A POWERFLAT
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 65A 60W Surface Mount PowerFlat? (5x6)
  
  型号：STL65DN3LLH5
  仓库库存编号：497-10881-1-ND
  别名：497-10881-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 25A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta），49A（Tc） 2.5W（Ta），104W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS8460
  仓库库存编号：FDMS8460CT-ND
  别名：FDMS8460CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 27.2A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 27.2A（Tc） 3W（Ta），6W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4122DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4122DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4122DY-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 25V 100A 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 31A（Ta），100A（Tc） 3.1W（Ta） 8-VSON-CLIP（5x6）
  
  型号：CSD16321Q5C
  仓库库存编号：296-25643-1-ND
  别名：296-25643-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  TRANS 4NPN 40V 0.5A 16SOIC
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 4 NPN (Quad) 40V 500mA 300MHz 1W Surface Mount 16-SOIC
  
  型号：MMPQ2222A
  仓库库存编号：MMPQ2222ACT-ND
  别名：MMPQ2222ACT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 100V 2.6A SOT223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.6A（Ta） 2W（Ta） SOT-223
  
  型号：ZXMP10A18GTA
  仓库库存编号：ZXMP10A18GCT-ND
  别名：ZXMP10A18GCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V 8.2A 8-TSSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 8.2A（Ta） 1.05W（Ta） 8-TSSOP
  
  型号：SI6423DQ-T1-GE3
  仓库库存编号：SI6423DQ-T1-GE3CT-ND
  别名：SI6423DQ-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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