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• Texas Instruments
  40V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF
  详细描述：表面贴装 N 沟道 124A（Tc） 96W（Tc） 8-VSONP（5x6）
  
  型号：CSD18513Q5AT
  仓库库存编号：296-45231-1-ND
  别名：296-45231-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  不受无铅要求限制
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 7A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 78W（Tc） TO-263
  
  型号：R6007KNJTL
  仓库库存编号：R6007KNJTLCT-ND
  别名：R6007KNJTLCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 9A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 94W（Tc） TO-263
  
  型号：R6009KNJTL
  仓库库存编号：R6009KNJTLCT-ND
  别名：R6009KNJTLCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Comchip Technology
  RECTIFIER BRIDGE 4A 600V KBL
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 4A Through Hole KBL
  
  型号：KBL406-G
  仓库库存编号：641-1845-ND
  别名：641-1845
  KBL406-G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• SMC Diode Solutions
  BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V Through Hole GBU
  
  型号：GBU606GTB
  仓库库存编号：1655-1851-ND
  别名：1655-1851
  1655-1851-1
  1655-1851-1-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• SMC Diode Solutions
  BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 6A GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V Through Hole GBU
  
  型号：GBU610GTB
  仓库库存编号：1655-1853-ND
  别名：1655-1853
  1655-1853-1
  1655-1853-1-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• SMC Diode Solutions
  BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 8A GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V Through Hole GBU
  
  型号：GBU810TB
  仓库库存编号：1655-1858-ND
  别名：1655-1858
  1655-1858-1
  1655-1858-1-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• SMC Diode Solutions
  BRIDGE RECT 1PHASE 600V 8A GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V Through Hole GBU
  
  型号：GBU806TB
  仓库库存编号：1655-1856-ND
  别名：1655-1856
  1655-1856-1
  1655-1856-1-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 6A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V Through Hole GBU
  
  型号：GBU605 D2G
  仓库库存编号：GBU605 D2G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 70W（Tc） ITO-220
  
  型号：TSM4NB65CI C0G
  仓库库存编号：TSM4NB65CI C0G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• SMC Diode Solutions
  BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 8A GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V Through Hole GBU
  
  型号：GBU810GTB
  仓库库存编号：1655-1857-ND
  别名：1655-1857
  1655-1857-1
  1655-1857-1-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• SMC Diode Solutions
  BRIDGE RECT 1PHASE 600V 8A GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V Through Hole GBU
  
  型号：GBU806GTB
  仓库库存编号：1655-1855-ND
  别名：1655-1855
  1655-1855-1
  1655-1855-1-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• SMC Diode Solutions
  BRIDGE RECT 1PHASE 600V 10A GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V Through Hole GBU
  
  型号：GBU1006TB
  仓库库存编号：1655-1843-ND
  别名：1655-1843
  1655-1843-1
  1655-1843-1-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• SMC Diode Solutions
  BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 10A GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V Through Hole GBU
  
  型号：GBU1010TB
  仓库库存编号：1655-1844-ND
  别名：1655-1844
  1655-1844-1
  1655-1844-1-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• SMC Diode Solutions
  BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A GBJ
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V Through Hole GBJ
  
  型号：GBJ606TB
  仓库库存编号：1655-1869-ND
  别名：1655-1869
  1655-1869-1
  1655-1869-1-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• SMC Diode Solutions
  BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 6A GBJ
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V Through Hole GBJ
  
  型号：GBJ610TB
  仓库库存编号：1655-1870-ND
  别名：1655-1870
  1655-1870-1
  1655-1870-1-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  40V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF
  详细描述：表面贴装 N 沟道 159A（Tc） 104W（Tc） 8-VSONP（5x6）
  
  型号：CSD18511Q5AT
  仓库库存编号：296-45230-1-ND
  别名：296-45230-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 525V 4.4A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 4.4A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF5N52K3
  仓库库存编号：497-12581-5-ND
  别名：497-12581-5
  STF5N52K3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  TRANS NPN 80V 10A TO-220AB
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 10A 1.5MHz 90W Through Hole TO-220AB
  
  型号：BD809G
  仓库库存编号：BD809GOS-ND
  别名：BD809G-ND
  BD809GOS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• SMC Diode Solutions
  BRIDGE RECT 1PHASE 600V 15A GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V Through Hole GBU
  
  型号：GBU1506TB
  仓库库存编号：1655-1845-ND
  别名：1655-1845
  1655-1845-1
  1655-1845-1-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• SMC Diode Solutions
  BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 15A GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V Through Hole GBU
  
  型号：GBU1510TB
  仓库库存编号：1655-1846-ND
  别名：1655-1846
  1655-1846-1
  1655-1846-1-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• SMC Diode Solutions
  BRIDGE RECT 1PHASE 600V 10A GBJ
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V Through Hole GBJ
  
  型号：GBJ1006TB
  仓库库存编号：1655-1859-ND
  别名：1655-1859
  1655-1859-1
  1655-1859-1-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• SMC Diode Solutions
  BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 10A GBJ
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V Through Hole GBJ
  
  型号：GBJ1010TB
  仓库库存编号：1655-1860-ND
  别名：1655-1860
  1655-1860-1
  1655-1860-1-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 50W（Tc） ITO-220
  
  型号：TSM4NB60CI C0G
  仓库库存编号：TSM4NB60CI C0G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 4.5A（Tc） 33W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF5N60C
  仓库库存编号：FQPF5N60CFS-ND
  别名：FQPF5N60C-ND
  FQPF5N60CFS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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