规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 97A 480W SOT227
详细描述：IGBT Module NPT Single 1200V 97A 480W Chassis Mount ISOTOP?
型号：
APT75GT120JRDQ3
仓库库存编号：
APT75GT120JRDQ3-ND
别名：APT75GT120JRDQ3G
APT75GT120JRDQ3G-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
IGBT 3000V 50A 250W TO268
详细描述：IGBT 3000V 50A 250W Surface Mount TO-268
型号：
IXBT20N300
仓库库存编号：
IXBT20N300-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Global Power Technologies Group
IGBT BUCK CHOP 1200V 80A SOT227
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 80A 480W Chassis Mount SOT-227
型号：
GHIS040A120S-A2
仓库库存编号：
1560-1130-5-ND
别名：1560-1130
1560-1130-5
1560-1130-ND
GHIS040A120SA2
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Global Power Technologies Group
IGBT BOOST CHOP 1200V 80A SOT227
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 80A 480W Chassis Mount SOT-227
型号：
GHIS040A120S-A1
仓库库存编号：
1560-1057-5-ND
别名：1560-1057
1560-1057-5
1560-1057-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Global Power Technologies Group
IGBT BOOST CHOP 600V 160A SOT227
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 160A 380W Chassis Mount SOT-227
型号：
GHIS080A060S-A1
仓库库存编号：
1560-1060-5-ND
别名：1560-1060
1560-1060-5
1560-1060-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Global Power Technologies Group
IGBT BUCK CHOP 600V 160A SOT227
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 160A 380W Chassis Mount SOT-227
型号：
GHIS080A060S-A2
仓库库存编号：
1560-1133-5-ND
别名：1560-1133
1560-1133-5
1560-1133-ND
GHIS080A060SA2
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Global Power Technologies Group
IGBT BOOST CHP 1200V 120A SOT227
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 120A 680W Chassis Mount SOT-227
型号：
GHIS060A120S-A1
仓库库存编号：
1560-1059-5-ND
别名：1560-1059
1560-1059-5
1560-1059-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 51A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 51A（Tc） 290W（Tc） SOT-227
型号：
APT50M75JLLU3
仓库库存编号：
APT50M75JLLU3-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 170A 830W SOT227
详细描述：IGBT Module NPT Single 1200V 170A 830W Chassis Mount ISOTOP?
型号：
APT150GT120JR
仓库库存编号：
APT150GT120JR-ND
别名：APT150GT120JRMI
APT150GT120JRMI-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 48VWM 77.4VC PLAD
型号：
MPLAD30KP48CA
仓库库存编号：
1086-7462-ND
别名：1086-7462
1086-7462-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 45VWM 72.7VC PLAD
型号：
MPLAD30KP45CAE3
仓库库存编号：
1086-7459-ND
别名：1086-7459
1086-7459-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 260VWM 419VC PLAD
型号：
MPLAD30KP260CAE3
仓库库存编号：
1086-7411-ND
别名：1086-7411
1086-7411-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Global Power Technologies Group
IGBT BOOST CHP 1200V 160A SOT227
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 160A 480W Chassis Mount SOT-227
型号：
GHIS080A120S-A1
仓库库存编号：
1560-1061-5-ND
别名：1560-1061
1560-1061-5
1560-1061-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 103A SOT227
详细描述：底座安装 N 沟道 103A（Tc） 960W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT100F50J
仓库库存编号：
APT100F50J-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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SMC Diode Solutions
BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 2A KBP
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V Through Hole KBP
型号：
KBP210GTB
仓库库存编号：
1655-1830-ND
别名：1655-1830
1655-1830-1
1655-1830-1-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Texas Instruments
30V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFE
详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Ta），123A（Tc） 3.1W（Ta）, 83W（Tc） 8-VSONP（5x6）
型号：
CSD17581Q5AT
仓库库存编号：
296-44867-1-ND
别名：296-44867-1
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 50A
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta），44A（Tc） 2.7W（Ta），28W（Tc） 8-VSON（3.3x3.3）
型号：
CSD17308Q3T
仓库库存编号：
296-44075-1-ND
别名：296-44075-1
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
搜索
SMC Diode Solutions
BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A GBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V Through Hole GBU
型号：
GBU410TB
仓库库存编号：
1655-1850-ND
别名：1655-1850
1655-1850-1
1655-1850-1-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
SMC Diode Solutions
BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A GBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V Through Hole GBU
型号：
GBU406TB
仓库库存编号：
1655-1848-ND
别名：1655-1848
1655-1848-1
1655-1848-1-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 40W（Tc） ITO-220
型号：
TSM6NB60CI C0G
仓库库存编号：
TSM6NB60CI C0G-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
SMC Diode Solutions
BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A GBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V Through Hole GBU
型号：
GBU406GTB
仓库库存编号：
1655-1847-ND
别名：1655-1847
1655-1847-1
1655-1847-1-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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SMC Diode Solutions
BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A GBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V Through Hole GBU
型号：
GBU410GTB
仓库库存编号：
1655-1849-ND
别名：1655-1849
1655-1849-1
1655-1849-1-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 4.5A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Tc） 2W（Tc） 8-SO
型号：
STS4DNFS30
仓库库存编号：
497-6187-1-ND
别名：497-6187-1
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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SMC Diode Solutions
BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 6A GBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V Through Hole GBU
型号：
GBU610TB
仓库库存编号：
1655-1854-ND
别名：1655-1854
1655-1854-1
1655-1854-1-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
SMC Diode Solutions
BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A GBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V Through Hole GBU
型号：
GBU606TB
仓库库存编号：
1655-1852-ND
别名：1655-1852
1655-1852-1
1655-1852-1-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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