规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 64A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 64A（Tc） 1250W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK64N60Q3
仓库库存编号：
IXFK64N60Q3-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Global Power Technologies Group
IGBT BOOST CHOP 600V 80A SOT227
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 80A 277W Chassis Mount SOT-227
型号：
GHIS040A060S-A1
仓库库存编号：
1560-1056-5-ND
别名：1560-1056
1560-1056-5
1560-1056-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Global Power Technologies Group
IGBT BOOST CHOP 1200V 60A SOT227
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 60A Chassis Mount SOT-227
型号：
GHIS030A120S-A1
仓库库存编号：
1560-1055-5-ND
别名：1560-1055
1560-1055-5
1560-1055-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 47A ISOPLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 47A（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXKR47N60C5
仓库库存编号：
IXKR47N60C5-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 64VWM 103VC PLAD
型号：
MPLAD15KP64A
仓库库存编号：
1086-7292-ND
别名：1086-7292
1086-7292-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 36VWM 58.1VC PLAD
型号：
MPLAD15KP36A
仓库库存编号：
1086-7256-ND
别名：1086-7256
1086-7256-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 26VWM 42.1VC PLAD
型号：
MPLAD15KP26A
仓库库存编号：
1086-7240-ND
别名：1086-7240
1086-7240-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 85VWM 137VC PLAD
型号：
MPLAD15KP85A
仓库库存编号：
1086-7324-ND
别名：1086-7324
1086-7324-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
IGBT 900V 87A 284W SOT-227
详细描述：IGBT Module PT Single 900V 87A 284W Chassis Mount ISOTOP?
型号：
APT46GA90JD40
仓库库存编号：
APT46GA90JD40-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 100A 416W SOT227
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 100A 416W Chassis Mount SOT-227
型号：
APT75GT120JU2
仓库库存编号：
APT75GT120JU2-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 25A（Tc） 545W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT25M100J
仓库库存编号：
APT25M100J-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 18A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 18A（Tc） 545W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT17F120J
仓库库存编号：
APT17F120J-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 41A（Tc） 378W（Tc） SOT-227
型号：
APT5010JLLU2
仓库库存编号：
APT5010JLLU2-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 49A（Tc） 540W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT47M60J
仓库库存编号：
APT47M60J-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 142A SOT227
详细描述：底座安装 N 沟道 142A（Tc） 450W（Tc） SOT-227
型号：
APT10M11JVRU3
仓库库存编号：
APT10M11JVRU3-ND
别名：APT10M11JVRU3MI
APT10M11JVRU3MI-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOD DIODE 1700V SOT-227
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1700V 50A Chassis Mount SOT-227
型号：
APT50DF170HJ
仓库库存编号：
APT50DF170HJ-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 19A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 19A（Tc） 545W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT19M120J
仓库库存编号：
APT19M120J-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 140A 480W SOT227
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 140A 480W Chassis Mount SOT-227
型号：
APT100GT120JU3
仓库库存编号：
APT100GT120JU3-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Global Power Technologies Group
IGBT BOOST CHOP 600V 120A SOT227
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 120A 297W Chassis Mount SOT-227
型号：
GHIS060A060S-A1
仓库库存编号：
1560-1058-5-ND
别名：1560-1058
1560-1058-5
1560-1058-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 45VWM 72.7VC PLAD
型号：
MPLAD15KP45CA
仓库库存编号：
1086-7270-ND
别名：1086-7270
1086-7270-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 22VWM 35.5VC PLAD
型号：
MPLAD15KP22CA
仓库库存编号：
1086-7234-ND
别名：1086-7234
1086-7234-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 58VWM 93.6VC PLAD
型号：
MPLAD15KP58CAE3
仓库库存编号：
1086-7287-ND
别名：1086-7287
1086-7287-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 51VWM 82.4VC PLAD
型号：
MPLAD15KP51CAE3
仓库库存编号：
1086-7279-ND
别名：1086-7279
1086-7279-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 64A 284W SOT227
详细描述：IGBT Module PT Single 1200V 64A 284W Chassis Mount ISOTOP?
型号：
APT35GP120J
仓库库存编号：
APT35GP120J-ND
别名：APT35GP120JMI
APT35GP120JMI-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 151A 462W SOT227
详细描述：IGBT Module PT Single 600V 151A 462W Chassis Mount ISOTOP?
型号：
APT80GP60J
仓库库存编号：
APT80GP60J-ND
别名：APT80GP60JMI
APT80GP60JMI-ND
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