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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 13A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 72W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP65R190C7FKSA1
  仓库库存编号：IPP65R190C7FKSA1-ND
  别名：SP000929426
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 8A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 30W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA65R190C7XKSA1
  仓库库存编号：IPA65R190C7XKSA1-ND
  别名：SP001080140
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 900V 5.8A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 5.8A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STP6NK90ZFP
  仓库库存编号：497-12617-5-ND
  别名：497-12617-5
  STP6NK90ZFP-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 35.7W（Tc） TO-220F-3
  
  型号：FCPF16N60NT
  仓库库存编号：FCPF16N60NTFS-ND
  别名：FCPF16N60NT-ND
  FCPF16N60NTFS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 560V 16A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 160W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：SPW16N50C3
  仓库库存编号：SPW16N50C3IN-ND
  别名：SP000014472
  SPW16N50C3FKSA1
  SPW16N50C3IN
  SPW16N50C3X
  SPW16N50C3XK
  SPW16N50C3XTIN
  SPW16N50C3XTIN-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 900 V, 0.60 OHM TYP.,
  详细描述：通孔 N 沟道 TO-247-3
  
  型号：STW8N90K5
  仓库库存编号：497-17085-ND
  别名：497-17085
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 800 V, 0.75 OHM TYP.,
  详细描述：通孔 N 沟道 TO-247-3
  
  型号：STW7N90K5
  仓库库存编号：497-17081-ND
  别名：497-17081
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 24A
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 190W（Tc） TO-220
  
  型号：STP33N60DM2
  仓库库存编号：497-16352-5-ND
  别名：497-16352-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 11.3A TO-3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 11.3A（Tc） 110W（Tc） TO-3PF
  
  型号：FQAF16N50
  仓库库存编号：FQAF16N50-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 12A 400V GBPC
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 12A QC Terminal GBPC
  
  型号：GBPC1204-E4/51
  仓库库存编号：GBPC1204-E4/51GI-ND
  别名：GBPC1204-E4/51GI
  GBPC1204E451
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE 1PH 12A 600V GBPC-W
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 12A Through Hole GBPC-W
  
  型号：GBPC1206W-E4/51
  仓库库存编号：GBPC1206W-E4/51GI-ND
  别名：GBPC1206W-E4/51-ND
  GBPC1206WE451
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 12A 1000V GBPC
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 12A QC Terminal GBPC
  
  型号：GBPC1210-E4/51
  仓库库存编号：GBPC1210-E4/51GI-ND
  别名：GBPC1210
  GBPC1210-E4/51GI
  GBPC1210-ND
  GBPC1210/1
  GBPC1210/1-ND
  GBPC1210/1GI
  GBPC1210/1GI-ND
  GBPC1210CT-ND
  GBPC1210E451
  GBPC1210TR-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO247-3
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 219W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R125P6XKSA1
  仓库库存编号：IPW60R125P6XKSA1-ND
  别名：SP001114656
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 24A
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 190W（Tc） TO-247
  
  型号：STW33N60DM2
  仓库库存编号：497-16353-5-ND
  别名：497-16353-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 0.2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Tc） 1.1W（Ta），25W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：IXTY02N50D
  仓库库存编号：IXTY02N50D-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 21A
  详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 170W（Tc） TO-220
  
  型号：STP28N60DM2
  仓库库存编号：497-16348-5-ND
  别名：497-16348-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 21A
  详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF28N60DM2
  仓库库存编号：497-16351-5-ND
  别名：497-16351-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 650V 32A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 32A（Tc） 500W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IXTP32N65X
  仓库库存编号：IXTP32N65X-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 650V 14A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 78W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IXTP32N65XM
  仓库库存编号：IXTP32N65XM-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 34A
  详细描述：通孔 N 沟道 34A（Tc） 250W（Tc） TO-220
  
  型号：STP43N60DM2
  仓库库存编号：497-16342-5-ND
  别名：497-16342-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECT BRIDGE 1-PH 400V 25A GBPCW
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 25A Through Hole GBPC-W
  
  型号：VS-GBPC2504W
  仓库库存编号：GBPC2504W-ND
  别名：GBPC2504W
  VS-GBPC2504W-ND
  VSGBPC2504W
  VSGBPC2504W-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 36A 250W TO247
  详细描述：IGBT NPT 1200V 36A 250W Through Hole TO-247 [B]
  
  型号：APT15GT120BRG
  仓库库存编号：APT15GT120BRG-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 28A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 28A（Tc） 695W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH28N60P3
  仓库库存编号：IXFH28N60P3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECT BRIDGE GPP 35A 600V GBPCW
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 35A Through Hole GBPC-W
  
  型号：VS-GBPC3506W
  仓库库存编号：VS-GBPC3506WVS-ND
  别名：GBPC3506WIR
  GBPC3506WIR-ND
  GBPC3506WVS
  GBPC3506WVS-ND
  VS-GBPC3506WIR
  VS-GBPC3506WIR-ND
  VS-GBPC3506WVS
  VSGBPC3506W
  VSGBPC3506WIR-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 55A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 55A（Tc） 310W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA55N25
  仓库库存编号：FQA55N25-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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